电源控制芯片中的过流保护设计

本文介绍采用直接检测LDMOS漏端电压来判断其是否过流的设计方法,给出了电路结构.通过电路分析,并利用BCD高压工艺,在cadence环境下进行电路仿真验证.结果证明:该方法能够快速、实时地实现过流保护功能,相比其它方法,在功耗、效率、工艺兼容性、成本等方面均有很大提高,可以直接应用于电源控制芯片中的安全保护设计.     

采用频率抖动技术降低开关电源芯片的EMI设计

介绍了一种能有效抑制开关电源芯片应用中,功率开关管电磁辐射干扰的频率抖动技术原理及其电路实现。采用调频技术,让调制信号去控制开关电源的工作频率,使其原有的频率发生偏移。这样,原先集中在狭窄频谱上的电磁辐射能量得以分布在较宽频谱范围,实现了对EM I的有效抑制。基于3μm的高压BCD工艺模型,在Cadence设计环境下,采用差分电路控制开关电源中振荡电容的充放电;用镜像电流选通电路调控电容充放电电流的大小,完成了带频率抖动振荡器的电路设计,给出了实验仿真的结果和电路拓扑结构。并使用MATLAB工具对功率开关管驱动信号中有/无频率抖动功能的输出波形进行了频谱特性的对比分析,得到了采用频率抖动技术大致可以减小EM I辐射幅值近一倍的结论。     

谈开口箱

通过分析开口箱的有关问题，引导出开口箱名称的来由和两种工作原理；介绍了开口箱的设计、制作、材料和结构，以及开口箱的3种调整方法和各自的特点；最后介绍了开口箱的阻抗曲线与Q值和听感的关系。     

音箱研讨(五)——扬声器的机械Q值QMS

阐述了机械Q值及其在扬声器研究中的重要性,经理论和实践分析,证明QMS值以较大为宜;分析了影响QMS的因素,并提出了控制QMS的方法。     

一款超高压LDMOS管的物理建模

借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTIII,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等.所得结论与实测结果基本吻合.     

谈开口箱和品质因数调整法

分析了在开口箱中倒相管的作用,并且介绍了开口箱品质因数QTSB的调整。与调整开口箱的阻抗曲线的谷fM（fB）使它达到能与设计值fB（fBO）的常规方法相比较,称此方法为“品质因数调整法”。通过控制开口箱的品质因数,从而使音箱获得良好的低频特性。     

Si基OLED微显示器阳极图案化研究

在传统的Si基OLED微显示器像素阳极工艺流程基础上,提出利用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制作像素阳极的一次图案化工艺,从而精简工艺流程,节省投资。分析了常规CMOS工艺中Al作为像素阳极表面材料对OLED微显示器光电性能的影响,开发了一种Si芯片作为微显示器基板,最小像素面积为12mm×4mm,在其表面制作有机发光材料,形成Si基OLED微显示器。实验结果表明,在5V驱动电压下,本文研制的OLED微显示器发光强度可达1 000cd/m2以上,电流密度0.1mA/mm2以上,光电响应速度280ns以下,表明利用常规CMOS工艺开发Si基微显示器的可行性。     

谈开口箱

问题八：为什么开口箱经过精心设计还需要进行调整呢？如何调整开口箱？由于开口箱的设计从扬声器的测试到箱子的总装,会产生一系列误差,例如环境的温度、湿度和大气压对扬声器的参数影响就很大;     

基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究

对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能,栅-漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD（器件与工艺计算机辅助设计）,研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在工艺设计上减小栅-漏电容Cgd,降低器件优值,提高开关性能的途径。     

音箱研讨(四)——扬声器的谐振频率fs

3各种扬声器系统(音箱)对扬声器谐振频率的要求扬声器的谐振频率不是愈低愈好,也不是愈高愈好,要根据音箱具体的情况而定。下面从4种比较常见的扬声器系统的特性、用途和对扬声器的要求来分析。