纳米复合β-Ni(OH)2电极材料的制备与电化学性能

氢氧化镍(Ni(OH)2)是碱性二次电池的正极材料,本文采用化学沉淀法制备了纳米Ni(OH)2超微粉体,XRD检测证实晶型为β相，用TEM对粉体进行形貌分析，结果表明所得产物是颗粒状纳米晶，粒径20nm左右．将纳米Ni(OH)2粉以10％的比例掺杂到常规球镍中制得纳米复合β-Ni(OH)2电极材料，其电化学容量和放电平台较常规球镍有很大提高，大电流放电时，纳米复合β—Ni(OH)2电极材料的电化学容量比常规球镍提高达40．9％。     

Al3+、Zn2+替代镍离子纳米氢氧化镍电极材料

提出了多离子不同位置替代镍离子(利用晶格畸变互补性)来制备氢氧化镍电极材料的方法,并对AP+、Zn2+的替代量、阴离子种类、活性剂的种类和反应温度进行了正交试验,得出了最佳的Al3+、Zn2+替代纳米氢氧化镍的制备工艺,获得电化学容量达316mAh/g的电极材料.通过晶格常数分析,证实了晶格畸变互补性.     

非晶纳米氢氧化镍电极材料的研究

介绍了非晶纳米Ni(OH)2材料的制备方法以及用XRD、TEM和SAD3种方法研究了这种电极材料的结构特性;报导了非晶纳米Ni(OH)2电极的制备方法及其电化学性能测试方法。实验结果表明,非晶纳米Ni(OH)2电极具有容量大、放电电压高等优点,是一种高效的电极材料。     

双光束激发改进纳米氮化硅合成工艺

氮化硅是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施;采用双光束激发制备得到了超微非晶纳米氮化硅粉体。     

激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究

氮化硅是优良的陶瓷材料,应用广泛.本文研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备了超微的、非晶纳米氮化硅粉体.实验证明,纳米氮化硅粉体具有一些特殊的物理性能和光谱特性.     

用双光束激发改进纳米Si_3N_4激光合成工艺

氮化硅(Si_3N_4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si_3N_4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米 Si_3N_4粉体。     

Zn2+、Al3+替代纳米α相氢氧化镍制备正交试验研究

本文采用多离子替代制备出纳米α-Ni(OH)2电极材料。XRD测试表明其晶型为α型,TEM观察表明粒子形状不规则,大小在20-30 nm左右。通过对Zn2 、Al3 离子替代量,表面活性剂种类,阴离子种类和反应温度的正交试验优化,得出最佳的工艺参数,并合成出质量电化学容量为316 mA·h/g的电极材料(相同制备工艺得到的日本田中化学球镍电极容量仅为220 mA·h/g)。     

用双光束激发改进纳米Si3N4激光合成工艺

氮化硅(Si3N4)是优良的陶瓷材料，应用十分广泛．本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si3N4的工作原理，提出了减少游离硅的措施，采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米Si3N4粉体。     

扫描探针显微术及其在纳米科技中的应用

综述了近二十年来以扫描隧道显微镜为代表的、基于探针的成像显微装置基本原理及应用领域。     

激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究

研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米氮化硅粉体。实验证明,纳米氮化硅粉体具有很多奇异物理性能和光谱特性。