纳米复合β-Ni(OH)2电极材料的制备与电化学性能

氢氧化镍(Ni(OH)2)是碱性二次电池的正极材料,本文采用化学沉淀法制备了纳米Ni(OH)2超微粉体,XRD检测证实晶型为β相，用TEM对粉体进行形貌分析，结果表明所得产物是颗粒状纳米晶，粒径20nm左右．将纳米Ni(OH)2粉以10％的比例掺杂到常规球镍中制得纳米复合β-Ni(OH)2电极材料，其电化学容量和放电平台较常规球镍有很大提高，大电流放电时，纳米复合β—Ni(OH)2电极材料的电化学容量比常规球镍提高达40．9％。     

双光束激发改进纳米氮化硅合成工艺

氮化硅是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施;采用双光束激发制备得到了超微非晶纳米氮化硅粉体。     

激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究

氮化硅是优良的陶瓷材料,应用广泛.本文研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备了超微的、非晶纳米氮化硅粉体.实验证明,纳米氮化硅粉体具有一些特殊的物理性能和光谱特性.     

用双光束激发改进纳米Si_3N_4激光合成工艺

氮化硅(Si_3N_4)是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si_3N_4的工作原理,提出了减少游离硅的措施,采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米 Si_3N_4粉体。     

用双光束激发改进纳米Si3N4激光合成工艺

氮化硅(Si3N4)是优良的陶瓷材料，应用十分广泛．本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米Si3N4的工作原理，提出了减少游离硅的措施，采用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米Si3N4粉体。     

扫描探针显微术及其在纳米科技中的应用

综述了近二十年来以扫描隧道显微镜为代表的、基于探针的成像显微装置基本原理及应用领域。     

激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究

研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米氮化硅粉体。实验证明,纳米氮化硅粉体具有很多奇异物理性能和光谱特性。     

双光束激励制备纳米氮化硅粉体

介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理。通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)／n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7～15nm的无团聚、理想化学剂量[n(N)／n(Si)=1．314]的非晶纳米氮化硅粉体。用透射电子显微镜观察了粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱的蓝移和宽化以及Raman光谱的蓝移现象。     

退火对钨酸镉晶体光谱性能影响的研究

研究了提拉法生长的钨酸镉单晶在真空与氧气氛中退火对晶体透过率、激发发射光谱和荧光寿命等的影响,结果表明:氧退火有利于提高晶体的透过率与光产额,并在一定程度上提高了蓝光发射比例,提高了该晶体的能量分辨率,这可能是氧退火使晶体的氧空位减少,导致晶体在340～440 nm由氧空位缺陷产生的吸收减弱所致.同时,氧退火有利于缩短晶体的荧光寿命,从而提高钨酸镉的时间分辨率.     

纳米Si3N4制备及光学特性研究

为了制备高纯度的非晶纳米氮化硅粉体,在传统的激光诱导化学气相沉积法反应装置的基础上,加入正交紫外光束以激励NH3分解,从而提高气相中n(N)/n(Si)比,减少产物中游离硅的摩尔浓度.利用TEM技术和光谱分析技术研究了粒子的形貌和特性.结果表明:在一定的工艺参数条件下,可制备出粒径超微(7～15 nm)、无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体;表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的"蓝移"和"宽化"现象;采用双光束激励的激光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.