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1.

基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管 总被引：4，自引：1，他引：3

熊晨荣王民生黄文韬陈培毅王燕罗广礼《半导体学报》2003,24(z1):128-131

用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,Jp(峰值电流)=1.589kA/cm2,对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1.24,Jp=1.086kA/cm2.两种情况下,较低的PVCR可归结为GexSi1-x/Si异质结构本身的能级特性和热效应. 相似文献

2.

硅基隧穿二极管 总被引：1，自引：0，他引：1

陈培毅熊晨荣王燕《微纳电子技术》2003,40(12):1-6

隧穿二极管是一种很有前途的基于带隙工程的异质结构量子器件,其电流电压(I-V)曲线中所呈现的微分负阻特性能够用于开发多种不同的电路功能。在最近的研究中,空穴型双势垒单势阱共振隧穿二极管得到了实现,为Si1-xGex/Si异质结隧穿二极管器件的改进和电路应用打下了良好的基础。相似文献

3.

基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管

熊晨荣王民生黄文韬陈培毅王燕罗广礼《半导体学报》2003,24(Z1)

用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,Jp(峰值电流)=1.589kA/cm2,对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1.24,Jp=1.086kA/cm2.两种情况下,较低的PVCR可归结为GexSi1-x/Si异质结构本身的能级特性和热效应. 相似文献

4.

基于SiGe／Si的空穴型共振隧穿二极管

熊晨荣王民生黄文韬陈培毅王燕罗广礼《半导体学报》2003,24(5):128-131

用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管，常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1．13，Jp(峰值电流)=1．589kA／cm^2，对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1．24，Jp=1．086kA／cm^2，两种情况下，较低的PVCR可归结为Ge2Si1-x／Si异质结构本身的能级特性和热效应。相似文献