X射线不同方向入射界面产生剂量增强的模拟研究

为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同的方向入射界面时在规定的区域内产生的能量沉积,进而得到剂量增强系数.     

80C196单片机系统X射线剂量增强效应研究

研究了主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应.对系统及三部分单元电路进行了X射线和γ射线的总剂量对比辐照实验,测量了系统工作电流,同时监测196芯片和PSD芯片输出波形的变化.研究了单元电路的辐照敏感性对系统辐射损伤的贡献,得到了系统及单元电路的剂量增强系数.从实验结果综合分析得出:相对而言,PSD单元电路是辐射敏感区域,严重影响了系统的抗辐射能力;系统和单元电路的剂量增强并不显著,一方面,芯片采用的是塑封工艺,不存在重金属材料,另一方面,封装外壳吸收了部分低能X射线,实验测量到的剂量增强系数小于真实值.     

总剂量辐照SiO2/6H-SiC引起的界面势垒变化

辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化,影响其工作性能和可靠性。测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的I-V曲线,通过Fowler-Nordheim(F-N)隧道电流拟合,得到了界面势垒的大小,辐照前的为2.596 eV,辐照后降为1.492eV。界面势垒变化主要是由辐照产生的界面态引起的。     

6H-SiC热氧化层高温漏电及红外光谱表征研究

对6H-SiC衬底上热氧化生长的SiO2层进行了不同温度退火后的高温漏电流研究.根据SiO2层红外反射特征光谱的变化,研究了SiO2结构变化对高温Ⅰ-Ⅴ特性影响的机理.研究认为,可以通过低温高温两步退火工艺改善6H-SiC衬底上热氧化生长SiO2层的质量.     

6H-SiC氧化层中Na离子的C-V测试研究

半导体热氧化过程中,不可避免会沾污Na离子,造成MOS电容的C-V曲线平带电压漂移.在1200℃下热氧化,生成SiC/SiO2界面,进而制作MOS电容.采用高电压偏置,在高温度条件下作用于MOS电容;利用Keithley590 C-V分析仪,测量其C-V曲线.计算出氧化层Na离子密度为2.26×1012/cm2,高温负高压偏置不能完全恢复MOS电容的C-V特性,且高压偏置处理后的MOS电容在积累区的电容值减小,与Si材料MOS的情况不同.主要原因是SiC氧化层和界面质量较差,在高温和高压下弱键断裂、固定电荷重新分布.     

6H-SiC材料与器件辐照效应的研究进展

介绍了6H-SiC材料和器件辐照效应研究的目的和方法,并对国内外最近几年的研究情况进行了介绍、分析和总结.指出目前的研究主要集中于辐射效应方面,但在抗辐射加固技术方面研究不足,国内应根据现有条件注重辐射效应机理方面的研究.     

X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算

当X射线射入不同材料组成的界面时，在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用MCNP Monte-Carlo程序计算了钨－硅、钽－硅界面的剂量增强系数。     

场效应管X射线剂量增强的实验测量

为了实验精确测量场效应管的X射线剂量增强系数,介绍了如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置,以及实验测量的详细过程.得到了两种不同类型场效应管的辐照数据,根据实验数据计算了其剂量增强系数.剂量增强效应十分明显,IRF540场效应管在阈电压1.5 V时相对剂量增强系数为16,IRF9530要小些,在阈电压为4v时相对剂量增强系数约7.5.     

Fe、Co、V和Ti材料的X荧光效率测量

介绍了在Ru-200 X光机上,根据Cu靶的韧致辐射谱,采用滤波法产生单能X射线,对Fe、Co、V和Ti荧光片作荧光效率测量.给出了荧光效率的理论推导公式和实验结果,并进行了理论和实验比较.