病死动物去哪了——动物无害化处理探秘

正今年是农历猪年,许多人都赋予它喜庆、富足的寓意,不过,去年的一场非洲猪瘟疫情闹得不少地方人心惶惶。猪年春节刚过,"三全"食品一生产批次的灌汤水饺被抽查出非洲猪瘟病毒,让这一动物疫情再次受到社会关注。自2018年8月辽宁沈阳发现我国首起非洲猪瘟疫情以来,截至2019年3月1日,包括北京、上海等地共28个省份先后发生111起非洲猪瘟疫情。近日,我国农业农村部发布消息,目前,100起疫情按规定解除封锁,19个省份的疫区也全部解除封锁,防控工作取得了阶段性的成效。尽管非洲猪瘟并不传染人,不会对消费者食用猪肉的安全造成影响,然而面对来势汹汹的疫     

氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展

<正> 当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时间为5.5ps(室温下),功耗为20mW,这是目前最快的半导体三端开关器件。 在硅HBT器件研究中,近年来的报道集中在a-Si/c-Si异质结界面及其HBT的直流特性上,研究如何利用异质界面的高注入来获得尽可能高的电流增益和低的基区电阻。然而,直到目前仍未见到a-Si HBT高频性能的报道。本文首先报道采用氢化非晶硅发射极,而基     

HACCP在生猪屠宰加工企业中的应用

大中型生猪屠宰加工企业，采用HACCP系统，全面进行危害分析(HA)，确定加工中关键控制点(CCP)，继而建立消除或降低这些危害的关键限值(CL)，通过监控关键控制点，以有效预防影响肉品安全性的潜在危害，并将危害消除或降低到可接受的水平。     

利用反应离子刻蚀实现GaAs晶片通孔工艺

贯穿晶片的背面通孔已成为ＧａＡｓＭＭＩＣ和功率ＭＥＳＦＥＴ的有效接地方式。本文介绍了利用Ｃｌ２／ＳｉＣｌ４作为反应气体，以正性光刻胶为掩模的反应离子刻蚀背孔工艺。利用该工艺刻蚀出的深孔具有倾斜的剖面和光滑的侧壁，孔的横向侧蚀小，在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上获得了良好的均匀性和重复性。     

Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究

本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.     

高掺杂氢化非晶硅薄膜

采用低浓度硅烷,低生长速率,在PECVD系统中制得高掺杂氢化非晶硅(N~+α-Si:H)薄膜,其电导率高达5～36Ω~(-1)cm~(-1)。应用该技术制成了新型二维电子气Si/N~+α-Si∶H异质结双极型晶体管,在硅微波功率异质结双极型晶体管研制上取得重大突破。     

低电压高效率非晶硅发射极异质结UHF功率晶体管

本文报道了利用重掺杂氢化非晶硅作宽禁带发射极材料的低电压硅异质结UHF功率晶体管的实验结果.制备的器件在9伏电压、工作频率470MHz下,输出连续波功率4W,功率增益8.2dB,集电极效率72％.在迄今有关非晶硅发射极HBT的报道中。这是首次详细报道可工作于UHF频率的低电压非晶硅发射极异质结功率晶体管.文中还讨论了这种异质结构的低压功率器件的设计和制备应考虑的一些问题,并提出一些解决办法.     

极高效a-Si:H发射异质结UHF功率晶体管(英文)

<正> In this paper, we describe the design, fabrication and high frequency performance of an a-Si:H emitter heterojunction power transistor which operates with low supply voltage at ultra high frequency. The packaged transistor can deliver 4.0W cw output power with 72% collector efficiency and 8.2dB gain at 470MHz for 9.0V low supply voltage. This is the best result reported up to now in the area of amorphous silicon emitter hetero-juction microwave power transistors.     

非晶硅/单晶硅n~+p异质结的制备及其电学特性的研究

异质结构的HBT和HEMT由干具有高频、高速的巨大潜力,越来越受到人们重视,并已进行了大量研究。但由于这两种结构都要求具有近乎理想的异质界面,一般需要采用昂贵的外延设备(MBE,MOCVD),因而研究及应用工作受到一定限制。 自1985年底开始,依据朱恩均提出的二维电子气发射极异质结双极晶体管(简称ZDEG-HBT:2-Demension-Electron-Gas HeterojunctlonBipolar Transistor)结构设想’‘’,针对ZDEGHBT的物理模型、工艺实现等问题进行了理论探讨和实验验证。依据新模型进行设计肘,可以适当降低对异质界面质量的要求,有可能利用普通工…