UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530'和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.     

氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展

<正> 当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时间为5.5ps(室温下),功耗为20mW,这是目前最快的半导体三端开关器件。 在硅HBT器件研究中,近年来的报道集中在a-Si/c-Si异质结界面及其HBT的直流特性上,研究如何利用异质界面的高注入来获得尽可能高的电流增益和低的基区电阻。然而,直到目前仍未见到a-Si HBT高频性能的报道。本文首先报道采用氢化非晶硅发射极,而基     

软件工程在现代远程教育多媒体课件开发中的应用研究

现代远程教育是建立在现代信息技术基础上的新型教育模式，而多媒体课件作为远程教育的重要载体，其开发制作技术尤为重要。在多年批量开发课件的经验基础上，本文提出现代远程教育多媒体课件开发应当采用软件工程的方法和思想，采用工程的概念、原理、技术和方法来开发与维护课件。本文以《Linux操作系统》为例介绍了课件的开发过程和开发思想，最后指出了多媒体课件开发技术的发展方向。     

Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究

本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.     

高线水平式连轧机热轧椭圆条形的在线矫直

在用水平二辊连轧机轧制中，椭圆轧件进入圆孔型翻转时易出现错辊、导卫装置损坏、轧件划伤等一系列问题。为此，研制了在线矫直导卫装置。使用结果证明，效果明显，为生产高质量、高附加值产品提供了保障。     

锗硅基区异质结双极型晶体管(GeSi-HBT)的研制

<正>GeSi/Si异质结构材料因其物理特性及其与硅平面工艺的相容性,是制备一系列高频、高速、低温器件的新型半导体材料,可用于通讯、雷达、遥感、计算机、低温电子学等领域。 南京大学与南京电子器件研究所合作,在国内首次研制出GeSi-HBT器件。该器件结构如图1所示。在N~+-Si(100)衬底上外延n-Si层作为集电区,采用快速辐射加热/超低压化学气相淀积(RRH/VLP-CVD)外延方法制备掺硼的GeSi基区,用PECVD方法生长掺磷的p-Si:H发射区。工艺上采取了一系列措施,完成了GeSi-HBT器件的制备。     

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530'和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.     

Si基多层Ge量子点近红外光电探测器研制

采用超高真空化学气相沉积( UHV/CVD)技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。 PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量子点吸收区,和原位掺杂P型Si盖层构成,电极分别制作于N-Si和P-Si上,以获得好的欧姆接触。制备的Si基Ge量子点光电探测器具有较低的暗电流密度(-1 V偏压下为7.35×10-6 A/cm2),与Si相比,探测波长延伸到1.31μm波段。     

高线中轧机错辊原因分析及解决措施

针对马鞍山钢铁集团公司高速线材厂二辊水平式布置的粗中轧机组轧辊严重错位问题，对轧辊轴承进行了更新改造，将双向双列圆锥滚子轴承改为双列圆柱轴承加止推轴承，实现了中轧机组的精确轴向调整，使错辊问题得到彻底解决，且新轴承寿命为原轴承寿命的6倍。     

锗近红外光电探测器制备工艺研究进展

Ge材料由于在近红外波段具有较大的吸收系数、高的载流子迁移率、以及与Si工艺相兼容等优势而被视为制备近红外光电探测器最理想的材料之一。针对Ge光电探测器制备过程中面临的挑战,文中综述了近年来笔者所在的课题组在Ge探测器材料、器件及工艺方面的研究进展。首先介绍了Si基Ge材料的制备工艺,利用低温缓冲层生长技术、Ge/Si键合技术、Ge浓缩技术等分别制备得到高晶体质量的Si基Ge材料。研究了Ge材料n型掺杂工艺,利用离子注入结合两步退火处理（低温预退火和激光退火）以及利用固态磷旋涂工艺等分别实现Ge材料n型高掺浅结制备。最后探究了金属/Ge接触势垒高度的调制方法,结合金属中间层和透明导电电极ITO制备得到性能良好的Ge肖特基光电探测器。