X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.     

应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析

运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.     

扫描电镜背散射装置及数据处理系统

电子背散射衍射装置是获取材料的亚微米的范畴晶体学信息扫描电镜附件,此装置在观察材料的形貌及分析成分的同时研究材料的取向关系。本文介绍了背散射衍射接收系统,该系统的CCD以快速方式接收的灵 为5mlux,积累方式接收的灵敏度为10μlux,分辨率为512dpi,扫描卡最高的分辨率为4096X4096。并成功地安装在北京有色金属研究总院JSM－840扫描电镜上,此系统设计合理,结构简单,操作方便安全。同时根据Hough变换的原理,编写了识别电子背散射衍射花样的软件,实现了全自动实时识别此花样,给出相应的数据。     

快凝速度对淬态Fe—6.5%Si薄带织构的影响

用快凝的方法以不同的冷凝速度制备了Ｆｅ－６．５％Ｓｉ薄带。研究了快凝速度对制备态薄带晶粒取向的影响，研究结果表明，凝速较慢时样品为（００１）面织构，随冷速的增高，织构减弱。     

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 文章介绍了在原有测角仪上设计安装了新的步进马达驱动装置和相应的控制接口以及对其进行控制的软件系统，实现了由计算机实时控制的数据采集和数据处理系统，经改造后的测角仪可用于常规X射线联机检测和分析，扩展了设备的功能，提高了分析效率。此外，经过对测角仪织构测角台的改进，实现了极图数据同心圆方式收集的功能。相应的软件控制系统完成对测角仪和织构测角台的控制，实现了极图自动测量功能。     

GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响

用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响.结果表明:在高温退火条件下,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力,致使该区域范性形变,从而产生高密度的位错.GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动,聚集后可形成小角晶界,从而导致GaAs晶体的晶格参数和取向均发生变化     

菊池花样自动识别系统

为实现EBSP花样的全自动实时在线标定，用Hough变换实现了对电子背散射衍射花样带宽和夹角的自动识别。可实时识别多条菊池带，并选取其中封闭三角形，给出三角形的边宽和夹角，为全自动标定菊池花样打下基础。用Hough变换将菊池图像中的某一条菊池边从直角坐标转换到用ρ、θ表示的Hough空间，将菊池图像中的某一条菊池边从直角坐标转换到用ρ、θ表示的换算公式如下：     

立方织构 Cu-Ni基带及缓冲层的研究

系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素。在获得了强立方织构Cu Ni合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽 (FWHM)≤ 10°) ,通过SOE方法得到了取向良好NiO(2 0 0 )缓冲层     

镍电极材料层错结构的X射线衍射分析

β－Ni(OH）2的X射线衍射谱的基本特征是衍射线的选择宽化,它与晶粒内部的微结构特性如微晶尺寸参数和层错缺陷结构等有关。通过镍电极材料的全谱X射线分析区分这些微特性、测定层错概率,解释镍电极 电化学性能。