纳米Al/Al2O3多层膜的光电子谱与电性能

用热蒸发和自然氧化法制备纳米量级Al/Al2O3多层膜.检测XPS光电子能谱和UPS谱线,得到Ei(k∥I)关系曲线,并发现薄膜具有负阻特性.     

Mo／Si多层膜界面离子束处理及TEM观察

Ｍｏ／Ｓｉ多层膜界面离子束处理及ＴＥＭ观察薛钰芝Ｒ．Ｓｃｈｌａｔｍａｎｎ，林纪宁Ａ．Ｋｅｐｐｅｌ，Ｊ．Ｖｅｒｈｏｅｖｅｎ（大连铁道学院，大连１１６０２２）（荷兰ＦＯＭ原子分子物理研究所）软Ｘ射线多层膜（ＭｕｌｔｉｌａｙｅｒｓｆｏｒＳｏｆｔＸ－ｒａｙＯ...     

Mo/Si和Mo/B_4C软X射线多层膜的界面热稳定性研究

用磁控溅射法制备Mo／Si多层膜（周期为25nm，20层）和Mo／B4C多层膜（周期为3．9nm，121层），并在真空中加热30min，温度为200，400，600，800和1000℃。用小角X射线衍射法和透射电镜研究不同温度下（保温0．5h）加热的样品。实验结果表明，当加热温度达600℃时，Mo／Si多层膜周期被破坏。而Mo／B4C多层膜在800℃加热温度下仍保持周期性层状结构。说明Mo／B4C多层膜不仅周期只有3．9nm，而且具有很好的热稳定性，可以作为较短波长的软X射线多层膜推广应用。     

Cr/Cr2O3多层膜的研究

用真空蒸镀及自然氧化方法在玻璃基底上制备纳米量级的4、5、6、7对层的Cr／Cr2O3多层膜。采用称重法测定薄膜的厚度；在常温和低温下使用三点法测定多层膜的电特性；用扫描电镜（SEM）观察薄膜的表面和截面的形貌及成分；用X射线衍射仪检测相结构。结果表明：制备的是纳米量级非晶态的Cr／Cr2O3多层膜，在常温和低温（77K）下均具有类似负阻的特性。     

纳米多层膜的电性能及表面形貌

用热蒸发沉积和自然氧化法制备纳米量级的Al／Al2O3及Cr／Cr2O3薄膜和多层膜．本文采用三点法测定了常温、低温下的U—I特性，发现常温、低温下纳米量级的Al／Al2O3及Cr／Cr2O3薄膜具有类似负阻的特性。SEM检测表明，薄膜表面均匀，薄膜的厚度和称重法所得的厚度基本相符．AFM和STM观察表明薄膜表面存在着岛状结构，表面粗糙度在纳米尺度范围内。     

机械诱发自蔓延反应合成CuIn(S0.5Se0.5)2粉体

以Cu/In/S/Se单质混合粉体为原料,采用机械合金化的方法合成纳米晶CuIn(S0.5Se0.5)2粉体。研究磨球尺寸对Cu/In/S/Se粉体机械合金化自蔓延反应孕育期及合成产物的影响,分析不同磨球直径下Cu/In/S/Se机械合金化临界粉体的晶粒大小及晶格畸变。结果表明,随着磨球直径的增大,反应孕育期缩短,反应残留的In含量减小;不同磨球直径下Cu/In/S/Se机械合金化临界粉体中Cu/In/Se均为纳米晶;磨球直径增大,Se的晶格畸变增加,而In晶格畸变化不大,Cu可以在较短时间内获得更为精细的结构。     

OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究

用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件, 对比酞菁铜厚度为15、40、80 nm的3种器件性能后,得到40 nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率.分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40 nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V*s, 阈值电压为-9.5 V.     

多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu(In1-xAlx)Se2薄膜的研究

本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu-In-Al多层膜,后采用真空硒化退火获得Al含量不同的Cu(In1-xAlx)Se2多晶薄膜.通过SEM和XRD微观形貌结构分析发现,薄膜中Al的含量对薄膜的表面形貌和结构有一定影响.Al/(In+Al)比例越大,越容易获得尺寸较小、分布比较均匀的晶粒.同时Al含量对薄膜的方阻有一定的影响,Al含量越高,方阻越大.而且Al含量的多少可以调节薄膜的禁带宽度的大小.     

高精度智能温控系统的实现

介绍了一种基于智能控制算法的温控系统的设计。该算法采用分段线性化定量求解控制量,实现了定性与定量相结合的智能控制方法。在此基础上再对控温参数进行分段,使控温在各温度区间都达到了高精度。该系统用铂电阻作为温度传感器,用计算机和可编程控制器实行控温,实现了由室温至250℃,控制精度达到±0 2℃。实验结果表明该系统控制精度高,无超调,稳定可靠,操作方便,其控制思想及方法是可行的。这种以空气为介质,小容量、小范围的温控系统适用于高分子、生物、制药等方面的研究。