9级时间延迟积分CMOS读出电路

报道一种能够实现时间延迟积分(TDI)功能的单元CMOS读出电路,具有戽链器件(BBD)结构,其输入级为电容反馈互阻抗放大器(CTIA).介绍了读出电路的设计,并对该电路进行了功能仿真和流片验证.该芯片采用0.6 μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺.测试结果表明,在常温下,本电路能够实现9级TDI功能,电荷处理能力为2.5 pC,工作电压5 V.最后讨论了电路存在的一些问题以及下一步努力的方向.     

0.2 THz二倍频器研究

基于六阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2 THz大功率二倍频器。肖特基二极管倒装焊接在50m石英电路上。采用电磁场和电路联合设计仿真获得了二倍频器的倍频效率。当入射功率在100 mW时,输出频率在190~225 GHz带内效率大于5%。在小功率（Pin100 mW）和大功率（Pin300 mW）注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。在100 mW驱动功率下采用自偏压测试,最大输出功率为14.5 mW@193 GHz,对应倍频效率为14%;在300 mW驱动功率下采用自偏压测试,在188~195 GHz,输出功率大于10 mW,最大输出功率为35 mW@192.8 GHz,对应倍频效率为11%。