BF_2~+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着Ｆ的扩散，而且还存在着Ｆ的发射和吸收，据此成功地解释了实验结果．     

氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟

在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与实验符合得很好．给出了氟在多晶硅中的发射系数ｅ约为６E－２／ｓ，氟在晶粒间界的扩散系数Ｄｂ＝９E－１２ｅｘｐ（－０．８９５／ｋＴ）和氟在Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的吸收系数Ｓ１与温度的变化关系．     

BF2^＋注入多晶硅栅的SIMS分析

文本采用ＳＩＭＳ技术，分析了ＢＦ２＾＋注入多晶硅栅退火前后Ｆ原子在多晶硅和ＳｉＯ２中的迁移特性，结果表明，８０ｋｅＶ，２×１０＾１５和５×１０＾１５ｃｍ＾－２ＢＦ２＾＋注入多晶硅栅经过９００℃，ｍｉｎ退火后，部分Ｆ原子已扩散到ＳｉＯ２中，Ｆ在多晶硅和ＳｉＯ２中的迁移行为呈现不规则的特性，这归因于损伤缺陷和键缺陷对Ｆ原子的富集作用。     

短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究

通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧化层、ＣｏＳｉ２／多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件辐照特性的影响，最后得到了薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗核加固方案．     

一种1.5～2 μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究

采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺,进行１．５￣２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比,做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８￣２３Ｖ,５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小,相应的欧拉电压可达２５￣３０Ｖ,工艺特点在于采用了硼掺杂多晶硅作ＰＭＯＳ管栅电极,磷掺杂多晶硅作ＮＭＯＳ管栅电极。     

双多晶硅栅SOI MOS器件的研究

采用多晶硅栅全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ工艺成功研制出多晶硅栅器件,其中Ｎ＋栅ＮＭＯＳ管的阈值电压为０．４５Ｖ,Ｐ＋栅ＰＭＯＳ管的阈值电压为－０．２２Ｖ,在１Ｖ和５Ｖ电源电压下多晶硅栅环振电路的单级门延迟时间分别为１．７ｎｓ和３５０ｐｓ,双多晶硅栅ＳＯＩ技术将是低压集成电路的一种较好选择。     

多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐射特性的影响

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射影响应。结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力。其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致。     

多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力．其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致．     

一种适合于ASIC应用的新的工艺技术—CMOS逻辑VLSIE^2PROM的单片集成

我们开发了一种新的工艺技术，实现了在ＣＭＯＳ ＶＬＳＩ制造中嵌入Ｅ＾２ＰＲＯＭ的制造技术。在此新工艺中，制造的是单层多晶硅的Ｅ＾２ＰＲＯＭ。与传统的双层多晶硅Ｅ＾２ＰＲＯＭ的工艺相比，减少了２５％的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层，可以缩小在ＣＭＯＳＶＬＳＩ中嵌入的Ｅ＾２ＰＲＯＭ的器件尺寸。器件工作电压范围宽为１．５－６Ｖ，静态电流低于１００ｎＡ。     

铕离子注入氧化硅膜光发射的研究

采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２薄膜的方法,获得掺杂剂量为１０１４ｃｍ－２及１０１５ｃｍ－２的ＳｉＯ２∶Ｅｕ３＋硅基复合膜,研究了该薄膜的光致发光退火特性．经１０００℃退火后观察到Ｅｕ３＋的红光发射．在１２００℃下氮气中退火观察到Ｅｕ２＋４５０ｎｍ的强光发射．讨论了Ｅｕ３＋向Ｅｕ２＋的转变     

实用光阴极的进展纪念发现光电发射效应100周年

赫芝(Hertz)于1887年发现光电发射效应,为了纪念光电发射效应发现100周年,本文对实用光阴极的发展历史作一简单的回顾,并对其现况作扼要的评述。     

基底几何尺寸对金刚石沉积过程的影响

利用灯丝热解化学汽相沉积技术在硅基底的边缘、角域处及条形基底上生长出金刚石晶体和薄膜，研究了基底几何尺寸对金刚石沉积过程的影响，探讨了金刚石成核和生长的机理。     

碲化物薄膜的附着牢固度与其显微结构的关系

用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜术（ＴＥＭ）观察Ｓｉ和Ｇｅ基板上ＰｂＴｅ、ＣｄＴｅ及ＰｂＧｅＴｅ单层薄膜及其与ＺｎＳ组合的多层薄膜的显微结构,给出了薄膜附着牢固度与薄膜显微结构的关系     

电磁型微电机定子绕组的研制

本文主要阐述应用微细加工技术研究和开发电磁型微电机定子绕组的制备工艺，重点介绍制备定子绕组所涉及到的各种材料及其用途。采用掩模电镀技术解决了平面工艺难以解决的线圈绕组。本研究结果为双层十七圈三对六组绕组系统。最小线宽为３μｍ，微电机直径为２ｍ，最大工作电流１２０ｍＡ，电阻值在２４－２５Ω之间。输出力矩为１．５μＮＭ，转子转速每分钟可达５００转。     

NRD波导中多种弯波导之间的耦合特性

针对ＮＲＤ波导中不同半径的弯波导之间的耦合特性,提出了一种新的通用的分析方法,当耦合结构分别简化为非对称结构（即直波导与弯波导耦合）和对称结构（即两个半径相同的弯波导的耦合）时,该方法也可相应简化,与已有的分析结果完全一致。本文还就不同半径的弯波导构成的耦合器的频率响应和带宽特笥,在６０ＧＨｚ时给出实验验证,证实了本文所提方法的通用性和有效性。     

INVESTIGATION OF PROPERTIES OF INFRARED ABSORPTION OF α-HELIX PROTEIN MOLECULES

The mechanism and properties of infrared absorption of α-helix protein molecules are studied by a theory of bio-energy transport established on the basis of molecular structure. From the vibrational energy-spectra of molecules obtained from this theory we know that the infrared lights with wavelengths of 2 µm ?7 µm can be absorbed by α-helix protein molecules. This is basically consistent with experimental data of infrared absorption of collagen and hemoglobin and bivine serum albumen (BSA) proteins with α-helix structure. From these results we account further for the mechanism and properties of biological effect of infrared lights absorbed by the living systems, i.e., the energy of infrared lights is directly absorbed by the amide-Is in amino acid residues in the protein molecules, which results in vibration of amide-1 and change of conformation of proteins and transport of bio-energy from one place to other along the protein molecular chains in human beings and animals. This is a kind of non-thermally biological effect.     

神经元电突触前向传输电导的时变特性

电突触前膜在高于阈值的刺激下,产生一个大小不变的动作电位,突触后细胞可直接被突触前轴突中伴随动作电位产生的电紧张所激活,突触膜相当于整流器,电流只能从突触前神经元流向突触后神经元。电流流过神经元之间结合部时,连结电导将随时间变化。     

精细水煤浆导热系数研究

对精细水煤浆的导热系数及测量方法进行了研究,给出了用热线法测量精细水煤浆导热系数的公式,并对精细水煤浆的导热系数进行了有效测量,测试结果的累计总误差小于±3％。     

形状对超细微粒表面声子吸收的影响

通过对α-Fe_2O_3球状和园柱状超细微粒的红外透射光谱测量,发现形状不同导致表面声子吸收的明显差异,并对实验结果进行了讨论和分析。     

G神经网络函数映射能力的构造性证明

该文研究了G神经网络的函数映射能力,给出了前馈G神经网络映射任意G型多项式的构造性证明。采用该文的方法映射同一个多项式,所用的神经元数目可少至以往方法的2/(n+1),其中n是G型多项式的次数。