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1.
多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善.实验结果表明改进的缓冲层法能提高MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量.  相似文献   
2.
DAQLOGGER是为对应工控仪表的实时监视、数据采集、修改设定,而开发的计算机软件包。该软件以数据采集为重点,将数据采集过程和人机界面分离,在把数据采集过程的优先度设置为最高的同时,给每个和记录仪连接的通讯端口分配不同线程。其结果。可以对多台记录仪进行连接,最高可以达到在1秒内对384个通道的数据进行采集。另外,可以对应Ethernet、RS-232、RS-422-A/485的3种混合通讯方式,最多可以连接32台记录仪。  相似文献   
3.
对几种传统的真空电器触头形状作了概述;指出了为提高断路器的分断能力,采用新型的纵向磁场触头,对于纵向磁场对真空电弧形态性质的影响作了介绍;并分析了纵向磁场触头在低压真空断路器上的试验结果,提出了设计纵向磁场触头应考虑的结构问题。  相似文献   
4.
利用X射线衍射(XRD)测量用MOCVD生长的InGaN样品,观察到InN相.通过X射线衍射理论,计算得到InN相在InGaN中的含量.通过退火和变化生长条件发现InN相在InGaN薄膜中的含量与生长时N2载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关.进一步的分析表明InGaN合金中出现InN相的主要原因是相分离.  相似文献   
5.
多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响   总被引:10,自引:2,他引:8  
采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高 MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量  相似文献   
6.
现代港口物流配送计算机监控系统的实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于PLC控制技术、网络技术和物流配送的特点,结合现代港口物流配送的工程实例从体系结构、采取手段、实现功能、安全保障等几个方面详细阐述了物流配送自动化的实现,指出物流配送自动化是现代港口物流信息化进程的关键环节.  相似文献   
7.
四、纵向磁场触头在低压真空断路器上的试验结果试验样机的额定参数: 额定工作电压:1140V 额定工作电流:630A  相似文献   
8.
陈广利  陆曙 《冶金动力》2004,(3):13-13,15
介绍了电源自动切换技术发展方向.技术特点、智能型电源自动切换装置结构、原理及应用方案:  相似文献   
9.
讨论了工业控制计算机系统中的过程数据抽取技术,利用工控组态软件内置的脚本程序,实现将过程数据同步或分批保存至远程数据库,提出了基于组态软件的实时数据抽取和历史数据抽取方法,以及独立抽取方法.  相似文献   
10.
利用X射线衍射(XRD)测量用MOCVD生长的In Ga N样品,观察到In N相.通过X射线衍射理论,计算得到In N相在In Ga N中的含量.通过退火和变化生长条件发现In N相在In Ga N薄膜中的含量与生长时N2 载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关.进一步的分析表明In Ga N合金中出现In N相的主要原因是相分离.  相似文献   
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