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1.
2.
本研究提出一种Cf/SiC复合材料表面改性新方法为水基浆料涂覆结合原位反应烧结工艺。系统研究了SiC和炭黑在水基浆料中的共分散、粘结剂的量和浆料固含量对浆料流变性能的影响、涂层的微观结构和性能等。研究结果表明: 采用水基浆料涂覆工艺可在基材表面制备一层气孔率达49%的多孔C/SiC预涂层; 通过液相渗硅原位反应工艺, 多孔预涂层转变为高致密、与基材强结合的光学涂层, 并且在涂层与基材间形成了~ 15 μm的化学反应过渡层; Si/SiC涂层的维氏硬度为(14.19 ± 0.46) GPa, 断裂韧性为(3.02 ± 0.30) MPa·m1/2; 经过精细研磨抛光, 涂层的表面粗糙度可达2.97 nm RMS。 相似文献
3.
以Sr2CO3、Si3N4和Eu2O3为原料, 以C为主要还原剂, 采用碳热还原氮化工艺合成Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉, 着重研究了C、Sr2CO3添加量及Eu2+浓度对产物物相及发光性能的影响。研究结果表明: 当C与Si3N4的摩尔比 nc/
=9/5时,合成出Sr2Si5N8:Eu2+单相荧光粉, 添加适当过量的Sr2CO3可提高合成产物的N含量, 且荧光粉的发光强度与其N含量呈现正相关关系。在450 nm蓝光激发下, 受Eu2+的4f65d1 → 4f7跃迁作用, Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉在550~700 nm波段范围产生非对称宽带发射。随着Eu2+掺杂浓度由1.5mol%增加到20mol%, 荧光粉的发光强度先增强后减弱, 达到2mol%时发生浓度淬灭现象; 发射主峰由608 nm逐步红移至641 nm; CIE色坐标从(0.606, 0.393)位移至(0.656, 0.343), 是一种可用于白光LED的优质红色荧光粉。 相似文献
4.
纳滤膜在北京阿苏卫填埋场渗滤液改扩建工程中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
在阿苏卫垃圾卫生填埋场渗滤液改扩建工程中,以膜生物反应器(MBR)的出水为研究对象,考察了在一定的pH、进水流量、操作压力下纳滤膜对CODcr、NH3-N和电导率的去除情况.结果表明:在设备初期运行阶段,在pH为7、操作压力为0.5 MPa时,纳滤膜对CODcr的去除率达75%;对NH3-N的去除率较低,出水的NH3-N值略低于进水;对电导率的平均去除率达55%.此外,还分析了纳滤膜的运行性能以及与原有反渗透处理工艺联合使用等问题. 相似文献
5.
采用传统机械加工方法研究了碳化硅陶瓷密度对光学镜面加工质量的影响,指出碳化硅陶瓷密度对光学镜面加工质量有一定影响,但在一定密度范围内,通过改善光学镜面加工工艺均可得到较好的表面质量.通过对加工机理的分析得出,在碳化硅陶瓷光学镜面加工过程中,材料去除方式与磨粒尺寸有关,选择适当的磨粒尺寸可实现材料去除方式由晶粒去除向延性去除的转变,从而有效地降低表面粗糙度. 相似文献
6.
7.
无机盐溶胶-凝胶法制备超细ZrB2-ZrC复合粉体 总被引:3,自引:1,他引:2
利用ZrO2-B2O3-C体系中碳热还原的基本原理,分别采用氧氯化锆、硼酸和酚醛树脂作为ZrO2,B2O3和C的来源,利用溶胶-凝胶法制备出超细ZrB2-ZrC复合粉体.采用热分析仪,X射线衍射和透射电镜对前驱粉体煅烧中的热力学过程,复合粉体的物相以及粒径和形貌进行了分析和表征.结果表明,ZrB2、ZrC相在1300°C开始生成,1500°C煅烧1h后碳热还原反应基本完成.复合粉体的平均粒径在200nm左右,比表面积达87m2g-1,加入1.0wt%的聚乙二醇作为分散剂时,粉体的团聚现象得到很大的改善. 相似文献
8.
9.
Al/SiC是SiC基复合材料, 具有优异的力学性能和热学性能, 在大功率电子器件、5G基站关键冷却组件、电动汽车、高速刹车片、空间探测器操作装置等相关领域具有不可替代的作用。传统制备工艺的局限性使得近净成形的无压浸渗法成为制备Al/SiC复合材料的一种较好的方法。得到高质量的碳化硅(SiC)陶瓷素坯是熔渗技术的先决条件, 选区激光烧结技术是获得高质量陶瓷素坯的一种新方法。该方法具有快速、高效的优点, 无需模具即可成型制备大规模、复杂形状部件。本研究以热塑性酚醛树脂为黏结剂, 利用机械混合与喷雾造粒的方法制备了复合粉体, 采用选区激光烧结技术制备SiC素坯, 制备了黏结剂体积分数低至15%的样品, 并对其力学性能和微观结构进行表征。当树脂含量增大到体积分数25%时, SiC坯体的强度增量为702.1%。对于喷雾造粒粉体制备的样品而言, 喷雾干粉的多孔结构使得SiC生坯的孔隙率较高(71.18%), 导致生坯强度下降。 相似文献
10.
固相反应法制备 Ce:LuAG透明陶瓷 总被引:3,自引:0,他引:3
以Lu(NO3)3和NH4HCO3为原料,采用沉淀法制备了平均粒径约为40nm的Lu2O3粉体,以该粉体和市售的Al2O3、CeO2超细粉体为原料,采用固相反应工艺,经1760℃真空烧结10h,制备出透明的Ce:LuAG陶瓷,该透明陶瓷在可见光范围内的透过率为56%,X射线激发下的发射光谱为Ce^3+的特征发射,范围在470-650nm,和同类单晶的光谱一致,正好在硅光电二极管的高敏感曲线范围内,满足于闪烁体的性能要求,是一种有应用前景的闪烁材料. 相似文献