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Quaternary Ⅲ-V semiconductor compound In1-xGaxAsyP1-y has recently attracted much attention to the application of various optoelectronic devices. And the lattice dynamics of InGaAsP is also interesting from a physical point of view.We reported a Raman spectra of quaternary InGaAsP epitaxial layers grown on InP over the whole range of composition (0≤y≤1 and 0≤x≤0.47). Raman measurements were performed in the backscattering geometry using a variety of lines of Ar+ laser in the room-temperature and liquid nitrogen temperature ambient. From these measuments, we confirmed that the phonon spectra of InGaAsP exhibited four-mode behaviour of the alloy. We plotted the peak frequencies of the Raman spectra as a function of y (or x), temperature and wavelength of incident light,and also discussed the composition dependence of the peaks intensities. 相似文献
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提出了一种混合式的路由协议AODV-DFR,它不仅具有先验式及反应式路由协议的特点,而且还融入了某些具有地理位置辅助的路由协议的特性。在路由失败的情况下,AODV-DFR能在断点立刻进行方向转发,快速找到合适的下一跳节点,建立新的路由。大量的仿真实验证明AODV-DFR路由协议对网络性能有较大的提高。 相似文献
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为研究不同剪跨比、不同边缘构造形式对边缘配置高强纵筋的高强再生混凝土剪力墙抗震性能的影响规律,进行了3个C50再生混凝土剪力墙低周往复荷载试验,包括1个现浇高剪力墙、1个现浇中高剪力墙、1个装配式中高剪力墙。分析了各试件的破坏形态、滞回性能、承载力、延性、刚度退化、耗能能力。结果表明:边缘配置高强纵筋的高强再生混凝土剪力墙破坏形态均以弯曲破坏为主,各试件滞回曲线较饱满,耗能能力较好;中高剪力墙的承载力和刚度比高剪力墙明显提高,但延性系数降低;装配式再生混凝土中高剪力墙在达到峰值荷载之前整体性良好,但由于后浇结合面相对薄弱,试件破坏相对较早,承载力下降较快,延性稍差。基于试验结果,建立了边缘配置高强纵筋的高强再生混凝土中高及高剪力墙承载力计算公式,计算结果与试验结果吻合较好。 相似文献
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本文介绍P型锗红外非线性饱和吸收的实验研究。考虑了锗中轻、重空穴价带的能带结构并利用轻、重空穴价带的复合态密度,由电极化率的虚部推得类似于非均匀展宽两能级系统模型的饱和吸收具有的形式。分别求出α_0和I_■与半导体参量和入射光频率之间的定量关系,计算结果与实验符合较好。 相似文献