PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗

采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为 Pb(Zr0.7Ti0.3)O3 (PZT73)和 Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 (PZT37) 的两种陶瓷的内耗 Q-1及振动频率的平方 f 2（正比于材料的剪切模量 G）与温度的关系进行了 测定。在纯三角相的 PZT73陶瓷中发现两个内耗峰。高温内耗峰 PM起源于材料的顺电－铁 电相变 ,低温内耗峰 P1本质上是一个宽化的 Debye峰,可归因于氧空位作用下的畴壁振荡弛豫。 对纯四方相的 PZT37陶瓷,除了 P1和 PM峰外,在 P1与 PM峰之间另有内耗峰 P2,这与 900畴附 近的氧空位团簇的弛豫有关 ,其特征可用描述强关联系统的关联态模型（ Coupling model）描述。     

前驱体制备途径对PFN-PMN二元铅基铁电陶瓷性能的影响

综合运用 ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＥＤＳ和介电测量等方法,考察了一步预煅烧法和二步预煅烧法等前驱体制备途径对Ｐｂ（Ｆｅ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３（ＰＦＮ）－Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３（ＰＭＮ）二元系铁电陶瓷显微结构和介电性能的影响．研究结果表明,对（１－Ｘ）ＰＦＮ－ＸＰＭＮ二元系而言,在所考查的组成范围内（Ｘ＝０～０.５）;其居里温度与ＰＭＮ的含量近似成线性关系,且随Ｘ的增加,居里温度向低温方向移动.峰值介电常数随Ｘ的增加而降低．（预）煅烧和烧结条件对显微结构和介电性能都有不可忽视的影响．对用一步预煅烧法和二步预煅烧法得到的样品的介电性能和其他性能进行了比较,并对其差异产生的可能机制进行了讨论．     

Bi3NbTiO9的结构与电学性能

用传统固相法成功制备出了致密的、相对密度超过95％的BiaNbTiO9(BNT)压电陶瓷；采用XRD和SEM对陶瓷的结构和晶粒形貌进行了表征；测出了BNT陶瓷在居里温度点附近的介电特性，同时确定了该陶瓷的居里温度Tc为914℃。电滞回线的测试显示了该材料典型的硬铁电性，经过高温极化，测出材料的压电常数d33=7pC／N。     

熔盐法合成SrBi2Ta2O9粉体

采用熔盐法合成了纯的铋系层状结构的SrBi2Ta2O9粉体，采用XRD和SEM等手段对粉体的结构和形态进行了分析，并与固相法进行了比较，结果表明熔盐法所得粉体形状呈片状，无团聚现象，对影响粉体颗粒尺寸和形状的因素进行了考查，并对熔盐法合成SrBi2Ta2O9粉体的机理进行了讨论。     

熔盐法合成SrBi2Ta2O9粉体

采用熔盐法合成了纯的 系层状结构的ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９粉体．采用ＸＲＤ和ＳＥＭ等手段对粉体的结构和形态进行了分析,并与固相法进行了比较,结果表明熔盐法所得粉体形状呈片状,无团聚现象．对影响粉体颗粒尺寸和形状的因素进行了考查,并对熔盐法合成ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９粉体的机理进行了讨论．     

高Tc铋层状压电陶瓷结构与性能

综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究．铋层状压电陶瓷的结构由（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋层和钙钛矿层（Ａ_ｍ－１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２－按一定规则共生排列而成．此处 Ａ为适合干 １２配位的离子;Ｂ为适合于八面体配位的离子,ｍ为一整数,其值一般为１～５．与钛酸钡（ＢａＴｉＯ_３）或锆钛酸铅（ＰＺＴ）陶瓷相比,铋层状压电陶瓷具有以下特点：低介电常数、高Ｔ_ｃ、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等． 先前研究证明,居里温度不仅与极化原子位移、自发极化强度、Ａ位Ｂｉ含量有关,而且还与取代离子的特性诸如离子半径、电负性、核外电子排布有关．压电活性低是铋层状陶瓷的本质缺点,通常发展该材料的途径为化学取代或晶粒取向技术．研究材料结构与性能之间的关系有助于发展铋层状压电陶瓷材料．     

高Tc铋层状压电陶瓷结构与性能

综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究,铋层状压电陶瓷的（Ｂｉ２Ｏ２）＾２＋层和钙钛矿层（Ａｍ－１ＢｍＯ３ｍ＋１）＾２－按一定规则 排列而成,上Ａ为适合于１２配位的离子;Ｂ为适合于八面体配位的离子,ｍ为一整数,其值一般为１￣５,与钛酸钡（ＢａＴｉＯ３）或锆钛酸铅（ＰＺＴ）陶瓷相比,铋层状压电陶瓷具有以下特点：低介电常数、高ＴＣ、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等。     

Bi3NbTiO9的结构与电学性能

用传统固相法成功制备出了致密的、相对密度超过95％的Bi₃NbTiO₉(BNT)压电陶瓷;采用XRD和SEM对陶瓷的结构和晶粒形貌进行了表征;测出了BNT陶瓷在居里温度点附近的介电特性,同时确定了该陶瓷的居里温度T_c为914℃电滞回线的测试显示了该材料典型的硬铁电性,经过高温极化,测出材料的压电常数d₃₃=7pC/N.