1.3μm InGaAsP/InP隐埋异质结条形(BH)激光器连续激射

本文论述了一种作为长波长光纤通信光源的1.3μm InGaAsP/InP隐埋异质结条形(BH)激光器的结构、制作及电光特性。用这种方法可重复制出低阈值、大功率输出、高微分量子效率和高温特性好的器件。     

半导体Ⅱ-类量子阱中法诺态的结构和自发辐射对无粒子数反转光增益过程的作用

从全量子理论出发，进一步系统深入地分析了在Ⅱ－类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Χ－能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构，及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应，首次探讨了法诺态的能谱结构和真空场量子起伏引起的自发辐射对受激光增益过程的影响，为利用这种机理制成更低激射阈值的Ⅱ－类半导体量子阱无反转激光器提供理论依据     

用银膜作反射镜的垂直短腔面发射激光器

我们采用液相外延的方法，在ｎ－ＧａＡｓ衬底上生长分别限制单量子阶作为激光器的有源区．国内首次采用银膜作为垂直短腔面发射激光器的谐振腔的反射镜和欧姆接触电极．分别制作了底部和顶部出光的两种类型管子，在室温脉冲工作状态下，均已观察到激射．顶部出光管子阈值电流为４．５Ａ；底部出光管子阈值电流为３．８Ａ．激射波长为８７２．８ｎｍ，纵模间隔为１．９ｕｍ．同时还研究了不同银膜厚度在ＧａＡｓ界面上的反射率．     

双元共掺杂Bi1-xLax(Fe0.95Mn0.05)O3多铁性材料的磁性研究

采用溶胶-凝胶法制备了Bi1-xLax(Fe0.95Mn0.05)O3(x=0,0.10,0.15)多晶样品。X射线衍射实验表明La、Mn离子共掺杂没有改变样品的四方晶格结构。X射线能量色散分析显示样品的化学组分几乎不变。Mn离子掺杂或者是(La、Mn)离子共掺杂,导致铁酸铋材料的磁性增强。X射线吸收精细结构实验表明Mn3+的局域结构的改变是样品磁性增强的原因。     

用LPE研制的室温连续工作的1．48μm单量子阱激光器

利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长为２００μｍ，ＣＷ，１３℃）。激射波长为１．４８μｍ，最高输出功率达１８．８ｍＷ（Ｌ＝２００μｍ．ＣＷ，１８℃）。脉冲输出峰值功率大于５０ｍＷ（脉冲宽度１μｓ、频率１ｋＨｚ），未见功率饱和。量子阱的阱宽为２０ｎｍ［１］．     

InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究

为了实现半导体微盘磁光器的单模面发射,设计了一种以ＩｎＧａＮ多量子阱为有源层,ＣａＮ外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对ＧａＮ覆盖层进行图形刻蚀,可以对不同的角模式进行有选择的增益,由此实现选模。用有效增益因子加电介质盘的模型对实际微盘结构进行简化,并根据此模型计算微盘外的远场分布,并进上步计算有效增益因子。分析表明,这种结构能够实现ｍ＝１角模式的面发射。     

AlAs湿氧化后的微区拉曼光谱

半导体垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬＳ）近几年来取得了很大的进展,其重要的原因就是引人了高铝组分的ＡＩＧａＡＳ湿氧化技术．ＡＩＡｓ选择性氧化所形成的电流窗口,其直径可降至～ｌｐｍ,从而使ＶＣＳＥＬｓ的阈值电流降至五毫安以下,并增加了泵浦到有源区的效率,同时改善了输出激光模式,获得单模工作．由ＡＩＡＳ湿氧化后所形成的ＡＩＯｘ与ＧａＡＳ构成的ＤＢＲ反射镜,由于ＡＩＯｘ与ＧａＡｓ的折射率反差增大,从而减少了所需要的ＡＩＡＳ和ＧａＡＳ对数．实验样品为ＡＩＡＳ／ＧａＡＳ多层ＤＢＲ,经选择性化学腐蚀后露出有…     

MOCVD生长GaN的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和Ｅ２模．结合Ｘ射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ的喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相、完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段．对含有少量β相ＧａＮ样品，观测到了包含有β相ＧａＮ贡献的声子模式（７４０ｃｍ－１）．     

稀土Er离子注入InP的退火及发光特性

利用离子注入法，以７e１４／ｃｍ２和１e１５／ｃｍ２的剂量对ＩｎＰ进行稀土元素Ｅｒ的掺杂，采用了两种未加淀积膜覆盖的退火方式，在１０Ｋ下均观测到ＩｎＰ中Ｅｒ３＋１．５４μｍ特征光致发光峰．光致发光（ＰＬ）和反射式高能电子衍射给出发光强度和晶格恢复程度与退火条件的依赖关系，结果表明Ｅｒ３＋在ＩｎＰ中的光激活性在很大程度上取决于ＩｎＰ晶格的恢复．     

在n—InP(100)衬底上低温液相外延生长1.55μm GaInAsP双异质结构层的研究

在590℃温度下,不使用1.3μm GaInAsP 防回熔层,直接在 n-InP(100)衬底上液相外延生长出1.55μm InP/GaInAsP/InP 双异质结构外延片。对这种外延片的生长情况及其特性和 InP 衬底的热损伤情况,本文作了详细的分析和讨论。