金属有机沉积法制备SrTiO3薄膜

采用金属有机沉积( MOD)法制备了SrTiO3 (STO)外延薄膜作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.以乙酸锶、钛酸丁酯为前驱物配制了Sr离子浓度为0.125 mol ·L-1的SrTiO3前驱溶液.研究了950℃下不同烧结时间(90、120、150 min)对在双轴织构的Ni -W(200)金属基带上沉积S...     

Al3Sc的FFC法制备和第一性原理计算研究

采用熔盐电脱氧法（FFC）制备Al3Sc,并应用以密度泛函理论为基础的平面波赝势方法,利用第一性原理的CASTEP软件包计算了Al3Sc的晶体结构和电子结构．结果表明：物质的量比为3：1的Al2O3和Sc2O3混合阴极片,在700℃、3．2V电解电压下,经20h电解后完全形成Al3Sc．计算了A13sc的晶格常数α=0．411nm,与XRD检测结果符合．     

用于涂层导体的Ag/立方织构Cu复合基带的制备

通过二次冷轧铜棒并850℃恒温热处理,制备出具有较强立方织构的Cu基带。以硝酸银、亚硫酸钠和硫代硫酸钠为主要原料配制镀银液,在立方织构Cu基带上制备出具有较强Ag(200)择优取向的银镀层。在600℃恒温热处理30min后Ag膜仍具有(200)择优取向,而830℃热处理后,Ag会扩散到Cu基底中,重复镀银、热处理5次后,Ag膜具有(200)的择优取向并少量面内织构,所得Ag/立方织构Cu复合带材可作为第二代高温超导带材YBCO涂层导体的金属基底。     

热处理对立方织构Ni-5%(体积分数)W基带上Ag薄膜择优取向的影响

采用磁控溅射法在立方织构Ni-5%(原子分数,下同)W基底上沉积了Ag薄膜作为第二代高温超导带材--YBaCuO涂层导体的导电缓冲层,并通过后期在Ar气氛下热处理使Ag膜具有(200)择优取向.磁控溅射后Ag膜的择优取向为(111),随着热处理温度的升高,(200)择优取向强度增加.采用慢降温工艺即在900℃下恒温30min,然后以较慢的速率10℃/h降至800℃后样品随炉冷却,有利于Ag薄膜由(111)向(200)的择优生长转变.     

坦桑尼亚某绿岩带型金矿床中黄铁矿的标型特征及意义

黄铁矿是金矿床中主要的贯通性载金矿物，通过对坦桑尼亚某绿岩带型金矿床中黄铁矿的形态、化学组成和物理性质等标型特征进行详细研究，能够从某种程度上识别出含金矿体，对野外勘查工作具有重要指导意义。通过野外地质观察和室内分析对绿岩带型金矿床中的黄铁矿标型特征进行了详细研究，结果表明：该矿床中黄铁矿呈浅黄—黄色，以细粒为主，具有半自形和碎裂结构的黄铁矿含金性最好；主矿体即金矿化强烈区域黄铁矿晶形以五角十二面体和五角十二面体与其他单形的聚形为主。主成矿阶段的黄铁矿主量元素整体表现出亏S、富Fe的特点，而微量元素富As、Sb，表明形成了载金能力较好的P型黄铁矿；主矿体附近黄铁矿的热电性主要表现为P型黄铁矿，表明该含金矿脉剥蚀程度总体较低，且目前揭露的仅为矿脉浅部，向深部矿脉仍有较大的延伸，由此推断该矿床深部具有良好的找矿前景。     

化学法在Ni-5%W基底上制备Gd掺杂CeO_2膜

用化学法在Ni-5%W基底上制备Gd掺杂Ce O2膜。以乙酸铈((CH3CO2)3Ce(III))、硝酸钆(Gd N3O9)为起始原料,按照阳离子Ce3+:Gd3+为4:1的比例溶解于丙酸(C2H5COOH)中制成前驱液。将前驱液旋涂在Ni-5%W基底上,在4%H2/Ar气氛下进行1100℃热处理,形成立方织构的Gd掺杂Ce O2膜。采用XRD和SEM对不同旋涂转速工艺制备的Ce O2膜进行晶体结构和微观形貌的检测和分析。以总阳离子浓度为1.2 mol/L前驱液经过3000 r/min,60 s的涂覆工艺,经过二次涂覆和1100℃热处理的Ce O2膜结晶程度高,无裂纹,有立方织构。Ce3+在4%H2/Ar还原性气氛里可以转变为Ce4+。     

电泳沉积法在Ni-W基带上制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导厚膜(英文)

研究La0.4Sr0.6TiO3(LSTO)缓冲层和YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导厚膜的低成本制备技术。采用X射线衍射分析LSTO和YBCO膜的晶体取向,利用标准四引线法分析LSTO薄膜的导电性能和YBCO厚膜的超导性能。首先采用金属有机沉积法(MOD)成功在Ni-W基带上制备取向较好、表面光滑致密的LSTO缓冲层;然后采用电泳沉积(EPD)技术制备YBCO超导厚膜。研究电泳沉积电压和沉积时间对YBCO涂层性能的影响。结果表明:138V下电泳沉积35 min所制备的YBCO涂层,临界电流密度可达600 A/cm2(0 T,77 K)。     

花状微球结构MoS2的制备及其光催化性能研究

采用简单的水热溶剂法,以钼酸钠(Na2MoO4·2H2O)为钼源,硫脲(CS(NH2)2)为硫源,通过调控反应温度、反应时间等合成工艺参数,成功制备了花状微球结构的二硫化钼(MoS2)粉末.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等对MoS2粉末的结构和形貌进行了表征.结果表明:当反应温度为220℃,反应时间为24 h,反应环境pH=1时,可制备出花状微球结构的MoS2粉末.通过分析MoS2粉末对罗丹明B的光催化降解率研究其光催化性能,对罗丹明B的降解率达到93.83％,是一种理想的光催化材料.     

化学法在Ni-W基带上制备Ag缓冲层研究

在双轴织构的Ni-W基带上,采用化学镀银法为YBa2Cu3O7-δ（YBCO）涂层导体制备Ag缓冲层薄膜,并通过XRD和φ扫描研究烧结温度和镀银次数对Ag薄膜取向的影响。结果表明,在Ar-H2混合气氛下,于870℃镀银5次所制备的薄膜具有（200）晶面单一取向;采用化学法制备的Ag薄膜有较好的外延性,且适用于涂层导体中的单一导电型缓冲层。     

分银渣中铅、银和锑一步浸出机理及工艺

采用NaCl-CaCl_2-HCl体系一次浸出分银渣中Pb、Ag、Sb,并利用配合物化学理论,对其进行浸出热力学分析.研究NaCl浓度、HCl浓度、反应温度、液固比和浸出时间对浸出率的影响.在最优工艺条件下,Pb、Ag、Sb的浸出率分别为98.12%、97.31%和83.1%.