USb2单晶的生长及磁性和输运性质研究

采用Sb自助熔剂法成功生长高质量的USb₂单晶,并研究了磁化率、电阻、磁阻和比热等性质。研究表明,中等关联强度的USb₂中的5f电子具有巡游和局域双重特征。USb₂中的5f电子在260 K附近开始发生相干,203 K由顺磁态转变为反铁磁态,进行费米面的重构。在113 K以下局域的5f电子与传导电子发生第一次杂化使费米面附近电子结构发生变化。在54 K以下通过第二次杂化使得费米面附近形成了杂化能隙。在更低温度下晶体场效应对物理性质也产生了一定的影响。     

石墨烯/6H-SiC(0001)表面高质量USb2 薄膜的制备和表征

重费米子体系可以通过维度等调控手段来展现出丰富而有吸引力的量子基态。首次通过分子束外延技术在石墨烯/6H-SiC（0001）衬底成功制备了高质量的USb₂薄膜。结合反射式高能电子衍射、X射线衍射、电输运和X射线光电子能谱测量,证明了所制备的USb₂薄膜是高质量的单晶薄膜。此外,利用扫描隧道显微镜和角分辨光电子能谱对USb₂薄膜的表面形貌、原子结构和能带结构进行了表征。结果显示,生长的USb₂薄膜的表面原子结构、电输运性质和能带结构与块体USb₂单晶相似。最后,高质量USb₂薄膜的成功制备和表征为未来通过生长理想厚度的超薄膜在低维铀基重费米子系统中探索奇妙性能提供了宝贵的实验经验。     

超高真空磁控溅射法沉积铀薄膜及其表面状态

铀薄膜有助于原子参数的测试研究,目前对铀薄膜研究的报道较少.利用超高真空磁控溅射法在单晶Si片上制备了铀薄膜.通过扫描电子显微镜(SEM)对铀薄膜的表面形貌进行了观察,利用X射线光电子能谱仪(XPS)及X射线衍射仪(XRD)对铀薄膜的表面结构及元素状态进行了分析和表征.结果表明:铀薄膜呈片状式生长,比较致密、连续,表面由铀及氧化铀组成,之下为纯铀.     

FeSe超导薄膜的研究进展

FeSe及其相关化合物的高温超导性引起了凝聚态物理研究人员的广泛关注。在所有铁基超导体中,FeSe的成分和晶体结构最为简单,只存在铁基超导体最基本的结构单元FeSe层。FeSe超导体具有特殊的电子结构和物理特性,是铁基高温超导机制研究的理想平台。2012年,薛其坤组在SrTiO_3(STO)衬底表面采用分子束外延(MBE)法生长了单层FeSe薄膜,发现该体系的超导转变温度(TC)有接近80K的迹象,引起人们的广泛关注。先简要地介绍了FeSe晶体,FeSe/石墨烯薄膜的超导特性,再详细介绍了FeSe/SrTiO_3高温超导薄膜的输运性质、超导特性、电子结构以及可能影响单层FeSe/SrTiO_3薄膜高温超导的几个因素。     

基于层次分析法的机械元件失效率预计

机械元件失效率预计可用于不同机械系统构型的可靠性论证,对机械可靠性设计起着指导的作用。在机械系统设计初期,评分预计法是简便有效的可靠性预计方法。文中就大量元件的评分预计方法存在的评分难度大、评分结果不确定的问题,提出了采用层次分析法,将大量元件评估分解为元件之间的两两比较,大大降低评分难度,从而提高评分预计的质量。