高层建筑上部结构与基础和地基共同作用研究

介绍了上部结构与基础和地基共同作用的整体分析概念，逐一阐述了上部结构与基础和地基共同作用的研究历程、研究方法和研究成果，最后对上部结构与基础和地基共同作用的研究前景进行了展望。     

康普锡威:技术平天下

<正>一个企业,尤其是技术型企业,想要做得长久,不能仅仅依靠运气和直觉,更要靠技术实力,那就要坚持技术为王,相信技术可以平天下。从上世纪80年代起,随着技术的发展,个人计算机等集成电路体积就在不断缩小,渐渐逼近了传统电子元件针脚的尺寸极限。在这种情况下,一种"电子电路表面贴装技术"得到了越来越广泛的应用,在很大程度上解决了这个问题。这项技术的核心,就是使用极     

无铅电子封装焊料的研究现状与展望

随着美、日和欧盟就含铅钎料建立相应立法之后,各国都在紧锣密鼓地开展绿色环保无铅产品的研发工作.介绍了国内外无铅焊料所涉及的4种主要成分设计方法,以及当前研究的主要无铅体系及其各自特征;论述了各焊料体系所应用的范围、组织结构和性能,及无铅焊料所关注的主要性能指标和发展趋势,并结合我国国情展望了我国无铅焊料的前进方向.     

基于ANSYS的钢筋混凝土结构有限元分析研究

结合大型通用有限元分析软件ANSYS对钢筋混凝土结构的分析方法和分析模型作了介绍,其中着重介绍了solid73单元相对于solid65单元的一些优点。通过算例分析证明在一定条件下使用solid73单元来代替solid65单元是完全可行的,而且精度更高。     

高频感应熔化金属丝气雾化制备球形钛粉

提出了新型低成本球形钛粉气雾化制备技术——高频感应熔化金属丝气体雾化技术(Wire induction heating-gas atomization,WIGA),研究了雾化气体压力、熔体温度、送料速度对粉末性能的影响。结果表明:所制钛粉末的形貌为球形,球形度较高,粉末表面存在少量"卫星球"颗粒,占比约为1%;提高雾化压力、熔体温度和降低送丝速度均使粉末平均粒径D50减小。实验所得最佳雾化参数为:雾化气体压力4.0 MPa,熔体温度2 000℃,送料速度0.8m/min,在此条件下得到的钛粉末平均粒径为41.8μm。     

水雾化法制备FeSiCr软磁合金粉末研究

采用水雾化法制备FeSiCr软磁合金粉末,系统研究了熔体温度、雾化压力及雾化水流量对合金粉末粉体性能的影响。利用激光粒度分析仪、扫描电子显微镜、氧氮分析仪和霍尔流量计等设备对粉末粒度、形貌、氧含量、松装密度及流动性进行测试、分析。研究结果表明:随着雾化压力和熔体温度的升高,粉末粒度逐渐变小;降低雾化水流量,制备的粉末形貌较为规则,粉末粒度减小、松装密度得到提高。最佳雾化工艺:雾化压力为50 MPa、熔体温度为1 750 ℃、水流量为15.24 L/min,制备的FeSiCr软磁合金粉末氧含量低,平均粒度小且形貌较规则。     

气雾化Al-Pb系轴瓦合金

采用气雾化技术，制备了应用于工业化ＲＳＰＭ工艺的高质量ＡｌＰｂ系合金粉末。对雾化粉末显微结构的分析表明，第二相（铅相）在基体中分布均匀，其粒径大小取决于凝固过程的冷速；不同粒径的粉末第二相分布随冷速的增加而分布更均匀、细化。对雾化粉末中各元素分布的分析表明，硅、铜等元素在晶界上有富积现象。     

异步轧制取向硅钢的织构形成与转变机理

采用异步轧制方式将０．７５ ｍ ｍ 厚的工业取向硅钢板材冷轧至０．３５ ｍ ｍ ,然后用工业退火工艺对板材进行热处理,研究了剪切变形条件下的织构形成与转变机理。结果表明：双向轧制能有效地消除剪切应力导致织构组分偏离的影响,并获得比常规轧制板材更为理想的冷轧织构组态;亚表层上形成较强的｛１１１｝＜ １１２＞ 织构可能是源于不同于其它层的特殊形变方式;脱碳退火后板材亚表层上的Ｇｏｓｓ晶粒与绝大多数晶粒都有单轴重合的取向关系,这种特殊性可能是Ｇｏｓｓ晶粒在二次再结晶退火中能够异常长大的一种机制。     

第三代半导体互连材料与低温烧结纳米铜材的研究进展

半导体材料是现代科技发展和产业革新的核心,随着高频、高压、高温、高功率等工况的日趋严峻及“双碳”目标的需要,以新型碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体材料逐步进入工业应用。半导体产业的贯通以及市场规模的快速扩大,导致摩尔定律正逐渐达到极限,先进封装互连将成为半导体行业关注的焦点。第三代半导体封装互连材料有高温焊料、瞬态液相键合材料、导电胶、低温烧结纳米Ag/Cu等几个发展方向,其中纳米Cu因其优异的导电导热性、低温烧结特性和良好的可加工性成为一种封装互连的新型方案,具有低成本、高可靠性和可扩展性,近年来从材料研究向产业链终端应用贯通的趋势非常明显。本文首先介绍了半导体材料的发展概况并总结了第三代半导体封装互连材料类别;然后结合近期研究成果进一步围绕纳米Cu低温烧结在封装互连等电子领域中的应用进行重点阐述,主要包括纳米铜粉的粒度、形貌、表面处理和烧结工艺对纳米铜烧结体导电性能和剪切性能的影响;最后总结了目前纳米铜在应用转化中面临的困境和亟待解决的难点,并展望了未来的发展方向,以期为低温烧结纳米铜领域的研究提供参考。     

基于钛丝高频感应熔化气体雾化工艺的熔化数值模拟及实验研究

采用数值模拟和实验研究结合的方法研究了增材制造钛粉的新型制备工艺-钛丝高频感应熔化气雾化技术（Wire Induction heating Gas Atomization, WIGA）的钛丝感应熔化部分。数值模拟得到了钛丝感应熔化模型的最优参数：感应线圈的夹角为90°;电源输出频率为450kHz;线圈最优单匝直径为8mm。钛丝直径选定为4mm,形成长度15mm金属液流的临界送丝速度为45mm/s。在此条件下,金属液产生350±50℃过热度时电源的临界输出功率为34kW。建立氩气保护氛围的钛丝感应熔化实验装置,通过实验研究得到TC4钛丝形成长度15mm液流的临界送丝速度为50mm/s,实验值与模拟值误差为10.0%。在此条件下,熔化产生350±50℃过热度液流,电源的临界输出功率为38kW,实验值与模拟值误差为10.5%。实验结果与模拟结果相互证明,得到了钛丝熔化的工程应用依据。