外延BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜的结构和性能研究

采用磁控溅射的方法在SrRuO3(SRO)/SrTiO3(001)衬底上外延生长BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,研究沉积温度对BiFe0.95Mn0.05O3薄膜结构、铁电性能、漏电流及疲劳保持特性的影响。X射线衍射图谱显示在780℃生长的BiFe0.95Mn0.05O3薄膜结构良好、无杂相峰。在此温度下,SRO/BFMO/SRO异质结电容器剩余极化强度P r最高,为115μC/cm2,矫顽场Ec约为128 kV/cm,电容器漏电流密度随着生长温度的升高而增大。BiFe0.95Mn0.05O3薄膜电容器在经过1010次极化反转和104s的保持时间后表现出良好的抗疲劳特性和保持特性。     

浅结密栅线硅太阳电池工艺研究

通过提高发射区方块电阻,配合密栅线丝网印刷工艺,制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为80Ω/□的发射区比70Ω/□的发射区的太阳电池串联电阻增加了0.03mΩ,导致填充因子下降0.05%,但是开路电压和短路电流密度分别提高了0.9mV和0.13mA/cm2,最终转换效率仍然提高了0.08%。     

不同腐蚀深度对多晶硅太阳能电池电性能的影响

研究了多晶硅片表面织构化对太阳能电池电性能的影响,通过调整工艺参数得到腐蚀深度分别为2.9μm、3.8μm、4.6μm的3批样品,采用扫描电子显微镜(SEM)和光谱响应系统表征了表面形貌和反射率,分析了腐蚀深度与后续各制程的关系.对比了绒面反射率及电性能参数,确定了最佳的腐蚀深度.