基于GR噪声的太阳电池缺陷表征研究

采用无损的噪声检测手段筛选出呈现GR噪声和1/f噪声的电池,然后进行GR噪声电池和1/f噪声电池电学性能的对比,分析表明呈现GR噪声电池的电学性能明显弱于1/f噪声电池。最后对GR噪声的电池进行不同电压下的测试,通过提取GR噪声转折频率和电压的关系显示GR噪声源对电压有敏感响应。同时结合非晶硅电池的p-i-n结结构证实GR噪声源位于耗尽层的结论。     

外延BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3薄膜的结构和性能研究

采用磁控溅射的方法在SrRuO3(SRO)/SrTiO3(001)衬底上外延生长BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,研究沉积温度对BiFe0.95Mn0.05O3薄膜结构、铁电性能、漏电流及疲劳保持特性的影响。X射线衍射图谱显示在780℃生长的BiFe0.95Mn0.05O3薄膜结构良好、无杂相峰。在此温度下,SRO/BFMO/SRO异质结电容器剩余极化强度P r最高,为115μC/cm2,矫顽场Ec约为128 kV/cm,电容器漏电流密度随着生长温度的升高而增大。BiFe0.95Mn0.05O3薄膜电容器在经过1010次极化反转和104s的保持时间后表现出良好的抗疲劳特性和保持特性。     

n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究

基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理.使用工业化设备在大面积(156 mm×156 mm)n型单晶硅片上制备太阳电池.利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比各阶段太阳电池电性能参数.结果表明,光照时会导致太阳电池表面减反射膜SiN:H/Si界面处积聚大量固定电荷,增大界面态密度,破坏电池表面钝化层结构,导致开路电压和短路电流产生较大衰减,35 kWh/m2光辐照后n型硅太阳电池效率衰减3.6％.在380℃低温退火处理后电池效率基本可恢复到初始状态.内量子效率测试结果表明光辐照后电池短波区域响应减弱,前表面界面效应导致电池效率发生较大衰减.     

浅结密栅线硅太阳电池工艺研究

通过提高发射区方块电阻,配合密栅线丝网印刷工艺,制备了性能优良的多晶硅太阳电池。对比两种不同扩散工艺的方块电阻和ECV浓度,分析发射区方块电阻对太阳电池电性能参数的影响。结果表明:方阻为80Ω/□的发射区比70Ω/□的发射区的太阳电池串联电阻增加了0.03mΩ,导致填充因子下降0.05%,但是开路电压和短路电流密度分别提高了0.9mV和0.13mA/cm2,最终转换效率仍然提高了0.08%。     

不同腐蚀深度对多晶硅太阳能电池电性能的影响

研究了多晶硅片表面织构化对太阳能电池电性能的影响,通过调整工艺参数得到腐蚀深度分别为2.9μm、3.8μm、4.6μm的3批样品,采用扫描电子显微镜(SEM)和光谱响应系统表征了表面形貌和反射率,分析了腐蚀深度与后续各制程的关系.对比了绒面反射率及电性能参数,确定了最佳的腐蚀深度.