YBa2Cu3O7—x／La2／3Ca1／3MnO3异质结构薄膜的微结构

本通过高分辨X射线衍射及掠入射(GID)的实验方法对生长在SrTiO3衬底上的LLa2/3Ca1/3MnO3和YBaCu3O7单层膜及YBa2Cu3O7-x/La2／3Ca1／3MnO3异质结构双层薄膜的微结构进行了研究。结果发现,所有薄膜都呈c向生长。由于热膨胀系数的不同而引起的热应力使得LCMO膜的晶格参数与靶材的相差较大。La2/3Ca1/3MnO3在单层腹及双层膜中都由靶材的立方结构变成了薄膜状态的四方结构。YBa2Cu3O7在单层膜及双层膜中都由靶材的正交结构变成了薄膜状态的四方结构。La2/3Ca1/3MnO3膜与YBa2Cu3O7膜在不同的样品中处于不同的应力状态。     

Calculation of the Heat of Formation:Ternary Alloy System

A semi-empirical calculation of the heat of formation was applied to ternary system:La-Fe-Al,Fe-Ni-V and Cu-Pd-Si.The calculated values were compared with the experimental ones andthe coincidence was satisfactory.This method is helpful to predict the stabilities of ternary compounds andsolid solubility.     

CdS空心球的制备及其光催化性能

以SiO2微球为模板,采用超声辅助法制备CdS空心球;探索了氨水用量对CdS壳层形成的影响,并从CdS壳层形成机制上解释了氨水的影响原因。利用电子能谱(EDX)、X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、荧光光谱(PL)、漫反射紫外可见光谱(DRUVS)测试手段研究了CdS空心球的成份、晶型、形貌及光学性能。结果表明:当氨水添加量为3.0mL时,反应溶液中离子-离子生长机制占主导地位,在该条件下制备了结晶良好的闪锌矿相CdS空心球,微球分散性良好,壳层致密稳定。光催化降解罗丹明B的结果表明,制备的CdS空心球具有优良的可见光催化性能。     

二氧化硅与硅界面及其对能带轮廓及MOSFET栅遂穿电流影响的理论研究

利用第一原理对双键及桥氧两种二氧化硅与硅界面模型进行了理论研究。结果表明双键模型的界面转变区宽度较大。这种差别会导致MOSFET栅漏电的不同。遂穿电流的计算表明界面双键模型结构有较大的栅漏电。     

基于LABVIEW自动控制测纳米材料的电性能

以测量纳米薄膜材料La0.7Sr0.3MnO3的电阻-温度特性曲线为例,着重介绍以LABVIEW为平台的虚拟仪器技术对测量仪器的自动控制、数据读取和处理。与传统仪器相比,虚拟仪器技术将传统仪器与计算机联系起来,扩展了原有仪器的功能。而且,LABVIEW的自动控制技术也大大地提高了研究人员的工作效率。     

碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征

采用简单的碳热还原法，以碳粉和Si02微粉分别作为碳源和硅源，在1550℃高温真空气氛箱式炉中制备SiC纳米线。并利用X射线衍射（XI国）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）、傅里叶变换红外（FTIR）等测试手段对反应产物进行组分、形貌和结构表征。研究结果表明：产物为直线六棱柱形状的β-SiC纳米线，直径在50～300nm之间，纳米线内部含有较多的堆垛层错；纳米线主要以气-固（VS）机制生长。     

材料电学和磁学性能变温测量方法的研究

在分析材料物理性能测量原理的基础上,采用虚拟仪器技术对低温系统和测量仪表进行控制,搭建了材料电学性能和交流磁化率测量装置,使用LabVIEW程序进行信号采集、数据处理和实时显示,实现了测试的自动化和智能化。通过对已知材料物理性能的测量来校正测量系统,对测量误差产生的原因进行了分析,在LabVIEW程序中嵌入了误差校正子程序,实现了数据的精确测量。结果表明,设计的测量系统可以灵敏准确地对材料的电学性能和交流磁化率进行测量,电阻测量上限可以达到1011Ω,交流磁化率的测量可以精确地确定材料磁性转变的温度。     

水热法制备CdS纳米结构

利用氯化镉(CdC12)、硫脲(CO(NH2)2)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP),在水热条件下获得了玉米棒状和花状等不同形貌的CdS纳米结构.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、荧光发光光谱(PL)、紫外可见光分光光度计(UV-vis)对产物进行表征.结果表明:PVP对不同形貌CdS纳米结构的形成起关键作用,随着PVP量的增加,PVP选择性地吸附(102)晶面,抑制了该(102)晶面方向的生长,使产物的形貌由玉米棒状转变为花状;而花状纳米结构的紫外的吸收产生了红移现象,荧光性能无明显变化.     

KCoF3的Rietveld法结构精修及电学性能研究

利用简单的液相合成方法,在室温条件下制备了KCoF3粉末状产物。通过X射线粉末衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对其物相结构和形貌进行了表征,结果表明:KCoF3是一种ABC3型的钙钛矿结构,属于立方晶系,空间群为pm-3m[221]。利用Rietveld粉末衍射峰形拟合方法对化合物KCoF3的X-射线粉末衍射数据进行分析,并对其结构进行精修,表明其晶格常数为a=4.076(2),晶胞体积为67.727(7)3,每个单胞含1个化学式(Z=1),计算密度为Dc=3.812(1)g/cm3。而对KCoF3电学性能的研究表明,在273K附近存在Co原子自旋态的改变,高自旋态向低自旋态的变化影响了Co原子间的超交换作用,进而影响了电输运行为。     

掺磷四面体非晶碳薄膜的电学性能

采用过滤阴极真空电弧技术以PH_3为掺杂源,施加0—200 V基底负偏压,制备了掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱研究ta-C:P薄膜的微观结构,通过测定变温电导率和电流-电压曲线,考察ta-C:P薄膜的导电行为。结果表明,磷掺入增加了薄膜中sp~2杂化碳原子含量和定域电子π/π~*态的数量,提高了薄膜的导电能力,且以-80 V得到的ta-C:P薄膜导电性能最好,在293—573 K范围内ta-C:P薄膜中的载流子表现出跳跃式传导和热激活传导两种导电机制,电流-电压实验证明ta-C:P薄膜为n型半导体材料。