电子束预辐射筛选抗辐射晶体管工艺的初步研究

介绍了用电子束预辐射损伤法研究晶体管抗β射线损伤能力的工作，研究经预辐射损伤的晶体管在不同电子束能量，束流密度及不同时间下进行退火处理后性能的恢复能力，为“预辐射损伤－辐射退火”筛选抗辐射晶体管工艺提供了一定的理论和实验依据。     

钝化膜晶体管的电子辐照效应

本文介绍了Al_2O_3单层钝化膜及Al_2O_3-SiO_2双层钝化膜掩蔽下的外延PNP-3CK2型开关晶体三极管,在高能电子辐照下性能变化的情况,并与无膜管子的辐照情况作了对比。     

Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应

<正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布.