高功率脉冲电子束溅射法制备钴-钛多层膜

本文介绍一种利用高功率脉冲电子束溅射法制备金属多层膜的新方法。强脉冲电子束轰击金属靶将产生瞬态高温等离子体,从这种等离子体中飞出的金属离子沉积在附近的衬底上,从而制得Co/Ti系和其他多种金属多层膜。本文报道了对多层膜进行的TEM和AES研究的结果。     

纳秒级强脉冲电子束和Ar~＋离子束诱导的烟草种子DNA的损伤修复合成

用３Ｈ－ＴｄＲ（氚标记的胸腺嘧啶脱氧核苷）掺入法结合ＤＮＡ合成抑制剂处理，研究了纳秒级强脉冲电子束和Ａｒ＋离子束诱导的烟草种子的ＤＮＡ损伤修复合成。受辐照种子在萌发的２８～４４ｈ较正常种子有较多的３Ｈ－ＴｄＲ的掺入，在萌发早期（６０ｈ内）出现了两个ＤＮＡ合成峰，而正常种子仅有一个。受辐照种子内的第一个ＤＮＡ合成峰受到ＤＮＡ修复抑制剂咖啡因的强烈抑制，而第二个ＤＮＡ合成峰受到ＤＮＡ复制抑制剂羟基脲的强烈抑制。说明纳秒强脉冲电子束和Ａｒ＋离子束诱发了烟草种子ＤＮＡ的损伤和修复。烟草种子的ＤＮＡ修复合成开始于种子萌发的第２８ｈ，３６ｈ或４０ｈ达到高峰，较ＤＮＡ复制高峰早１２ｈ或１６ｈ。本文还对ＤＮＡ合成抑制剂的作用进行了讨论。     

硅压阻输出微传感器的1/f噪声

从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ,设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ,共获得 2 5 6种压阻输出的微传感器 .测量所有器件的噪声 ,并对噪声谱进行理论分析 ,实验结果表明单晶硅具有最低的 1/ f 噪声和 Hooge因子 (α)的值 ,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅 .几何尺寸大的力敏电阻具有低的 1/ f 噪声 ,但 α值不受器件尺寸的影响 .掺杂浓度增加 10倍时 ,不同器件的 1/ f 噪声降低介于35 %— 5 0 %之间 .     

硅压阻输出微传感器的1/f噪声

从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声.选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料,设计了16种不同尺寸的力敏Wheastone电桥,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火,共获得256种压阻输出的微传感器.测量所有器件的噪声,并对噪声谱进行理论分析,实验结果表明单晶硅具有最低的1/f噪声和Hooge因子(α)的值,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅.几何尺寸大的力敏电阻具有低的1/f噪声,但α值不受器件尺寸的影响.掺杂浓度增加10倍时,不同器件的1/f噪声降低介于35%-50%之间.相比950℃、10min退火条件,1050℃、30min的高温长时间退火的器件,其1/f噪声降低约65%.     

纳秒强脉冲粒子束与纳米科技

高功率密度（１０＾６－１０＾１０）Ｗ／ｃｍ＾２脉冲电子束、离子束和激光束与靶物质相互作用产生态高温、高压和烧蚀作用，其过程已被用于材料改性、表面涂复及低维材料研究等广泛领域。重点介绍赝火花（Ｐｓｅｕｄｏｓｐａｒｋ）脉冲粒子束在纳米科技中的应用。     

赝火花脉冲电子束束流传输特性分析

对赝火花放电实验中观察到的脉冲电子束的椭圆形束斑、自箍缩以及细丝效应进行了介绍，并用电磁动力学分析了其成因和影响因素。     

赝火花放电过程中的强脉冲束形成和自箍缩动力学机制的研究

赝火花放电可产生百安培级毫微秒脉冲电子束和安培级离子束。用改进了的雪铲模型研究了赝火花放电过程中的自箍缩动力学机制。计算结果与基本的实验结果相符合。本文还讨论了强流束引出问题。     

高功率脉冲离子束注入初步研究

离子注入用于半导体器件和大规模集成电路的生产中,显示出这种工艺的许多优越性。七十年代初期,哈威尔实验室等研究部门开始进行离子注入技术在非半导体材料中的应用研究。大量实验结果表明,仅几千埃的注入深度就能对金属材料的磨损和抗氧化性能起积极的影响,如一定浓度的氮离子注入钢能显著提高钢材的耐磨性,而且小于0.5μm的注入层能使20μm深度处的耐磨性仍有改善;适当剂量的Cr和Zr注入氧化铝陶瓷中,能起到硬化作用;     

强脉冲电子束在聚酯薄膜表面产生的化学气相沉积

一、引言 高功率密度脉冲电子束(>10~9W/cm~2)轰击金属,将引起金属剧烈蒸发,产生高温等离子体。等离子体中的金属离子获得一定能量后将与本底气体分子相互作用而形成化合物。本文介绍在低压氮气环境中,利用强脉冲电子束轰击铜靶,产生了氮铜化合物沉积在聚酯薄膜表面的实验结果。并用ESCA分析束处理过的聚酯薄膜表面的化学组成的变化。