Automatic emissive probe apparatus for accurate plasma and vacuum space potential measurements

We have developed an automatic emissive probe apparatus based on the improved inflection point method of the emissive probe for accurate measurements of both plasma potential and vacuum space potential.The apparatus consists of a computer controlled data acquisition card,a working circuit composed by a biasing unit and a heating unit,as well as an emissive probe.With the set parameters of the probe scanning bias,the probe heating current and the fitting range,the apparatus can automatically execute the improved inflection point method and give the measured result.The validity of the automatic emissive probe apparatus is demonstrated in a test measurement of vacuum potential distribution between two parallel plates,showing an excellent accuracy of 0.1 V.Plasma potential was also measured,exhibiting high efficiency and convenient use of the apparatus for space potential measurements.     

直流磁控溅射辉光等离子体的Langmuir静电探针诊断

与大连理工大学合作研制了新型Langmuir静电探针.应用研制的静电探针,对氩气直流磁控溅射铜等离子体进行了轴向和径向二维空间内的诊断.诊断结果显示电子温度随着离靶面距离增大而递减;电子密度在径向和轴向均存在波动;电子能量主要分布在0 eV～5 eV范围内,高能电子占比例极少.     

Investigation of Capacitively Coupled Argon Plasma Driven by Dual-Frequency with Different Frequency Configurations

Low pressure argon dual-frequency （DF） capacitively coupled plasma （CCP） is generated by using different frequency configurations, such as 13.56/2, 27/2, 41/2, ...     

高效液相色谱-串联质谱法测定豆芽中的甲硝唑和羟基甲硝唑

建立测定豆芽中甲硝唑及其代谢产物的的超高效液相色谱-串联质谱（high performance liquid chromatography-tandem mass spectrometry，HPLC-MS/MS）检测方法。样品经乙酸乙酯提取2 次，旋转蒸发，混合阳离子交换柱净化，经InfinityLab Poroshell SB-Aq色谱柱分离，HPLC-MS/MS进行检测，内标法进行定量分析。甲硝唑和羟基甲硝唑在1.0～100.0 ?g/L范围内线性关系良好，线性相关系数均大于0.998。在1.0、5.0 ?g/kg和10.0 ?g/kg三个添加水平下的平均回收率为83%～105%，相对标准偏差在2.2%～5.5%之间，方法检出限为0.3 ?g/kg，方法定量限为1.0 ?g/kg。该方法快速便捷，灵敏可靠，回收率稳定，适用于豆芽中甲硝唑和羟基甲硝唑的同时测定     

线形同轴耦合微波等离子体诊断及硅薄膜制备

开发了一种新型线形同轴耦合大面积微波等离子体源,针对该新型等离子体源放电空间等离子密度及分布的不明确性,利用朗缪尔单探针法研究了不同放电参数下该等离子体源等离子体密度及空间分布情况。以微波功率,氢氩总流量(氢氩流量比为3∶1)和距石英管的距离Z为3个因素设计正交实验探究了宏观放电参量对等离子体参数的影响。测试结果表明该型等离子体源的电子密度均在1010cm-3以上。其次,诊断了在距石英管Z为14 cm处,等离子体参数沿空间水平的分布情况,探究薄膜的最佳沉积区域。最后,根据等离子诊断情况进行硅薄膜的沉积,由XRD结果表明薄膜为多晶结构,拉曼光谱显示沉积硅薄膜晶化率均在92%以上,沉积速率在8 nm/min。     

碳含量对碳氮化硅薄膜化学结构和力学性能的影响

利用微波电子回旋共振（MW-ECR）等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅（SiCN）薄膜。研究结果表明，碳含量对薄膜化学结构、力学性能有很大影响。傅里叶变换红外光谱（FT-IR）和X射线光电子能谱（XPS）表征显示，随着碳靶溅射偏压由-450V提高到-650V，薄膜中碳含量由19．0％增加到27．1％，sp^3C-N键含量增多，薄膜生长速率由3．83nm／min提高到5．83nm／min，硬度在-600V时达到最大值25．36GPa。上述结果表明，提高碳靶溅射偏压，可以提高薄膜含碳量，得到性能较好的SiCN薄膜。     

关注气体放电灯镇流器的电磁发射试验方法

介绍了CISPR/E/539/DRT技术报告中对气体放电灯镇流器的电磁发射试验方法,并对使用基准灯具和未使用基准灯具的镇流器进行了对比试验。     

等离子体技术沉积SiCN薄膜中杂质O的来源、化合状态及其对薄膜结构和性能的影响

利用微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了硅碳氮(SiCN)薄膜,并利用X射线光电子能谱、扫描电镜、椭偏光谱仪等对薄膜成分、结构、性能等进行表征.结果表明薄膜中O杂质含量及其结合态对薄膜的化学结构和机械性能都产生了很大影响.Si靶溅射功率最低时(100W),薄膜中O杂质含量高达10.63%,以Si-O键结构为主,此时薄膜的疏松结构导致大气环境下O的化学吸附是O杂质的主要来源;在高Si靶溅射功率情况下(＞250W),薄膜中O杂质含量低于4%,且以C-O键结构为主,薄膜致密,硬度最高达29.1GPa、折射率可达2.43.     

一个可用于高γ场下的反应堆中子计数系统

本系统的任务是在较强γ场本底下,对较低的中子通量进行监测。和所有其他强本底下的放射性测量一样,如何抑制强本底的影响是个复杂的问题,解决的方法也较多。但在特殊的堆用环境下,用减少脉冲叠加的方法来减少本底计数,却是可能做到的。本系统就是用此方法,试制了KD-放大器而达到目的。以下仅就这一原理作简单说明。 用裂变室作为堆内探测元件时,探测器输出的信号主要有三种。一是中子脉冲,这是我们所期望的;二是γ脉冲;三是α脉冲,这是裂变室本身涂层的~(234)U、~(238)U等裂变的产物。这三者脉冲的大小,主要取决于在裂变室中引起气体电离的粒子的能量。α粒子平均能量为4MeV左右,γ粒子平均能量约为1MeV,而裂变碎片本身平均的能量为两个值:85MeV     

N含量对CNx薄膜结构和介电性能的影响

利用双放电腔微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射(MW-ECR PEUMS)系统,在室温下制备CNx薄膜.通过傅立叶变换红外光谱、X光电子能谱表征技术以及椭偏仪测试手段,研究了N含量对CNx薄膜结构和介电性能的影响.研究结果表明,随着CNx薄膜N/C比的增大,sp3 C-N的形成受到抑制,sp2 C-N的形成增多,薄膜折射率以及介电常数电子极化贡献部分降低.