基于物联网的分体空调集中控制系统

针对当前公共场所分体空调管理和节能需求,通过分析分体空调的管理模式和设备能耗,设计并实现了一种基于物联网和嵌入式技术的分体空调集中控制系统；分体空调集中控制系统将每台分体空调进行联网,并采集分体空调运行的环境参数以及功耗数据,再结合人体舒适度等因素制定分体空调的节能控制策略,最终通过学习红外编码的方法实现对分体空调的控制；系统已在公共场所实地安装运行与测试,证明本系统能够安全、稳定地运行,具有方便空调管理和良好的节能减排的效果。     

基于ARM和Zigbee的智能浮纹织造控制系统

针对纺织业中浮纹布的织造一直依赖纯机械控制的现状,为提高浮纹布织造的精度和效率,特设计了智能浮纹织造控制系统,通过上位机的工艺软件进行浮纹花色品种的设计,以U盘将多种浮纹工艺文件导入到浮纹织造控制系统里,以STM32处理器为核心根据浮纹工艺进行相关织造的电气控制;为了便于实时掌握浮纹布的产量并按订单及时进行品种的更换,系统以Zigbee技术实现数据的传输及命令的远程控制,避免了复杂的布线;经现场长时间运行,系统稳定可靠,织造速度可达250转/分以上,控制精度达到0.1 mm,具有很好的应用价值。     

InGaAs MOSFET的电容电压特性

通过自洽求解泊松和薛定谔方程,计算了GaAs,InAs和InGaAs MOSFET的电容电压(CV)特性,并与Si MOSFET的CV特性以及GaAs MOSFET的CV测量结果做了比较。研究结果表明,对于电子有效质量较轻的InGaAs半导体,量子效应非常明显,反型电容显著降低。研究结果还表明,随着栅介质有效厚度的减小和沟道掺杂浓度的增加,量子效应更加突出,反型电容进一步减小。     

静电纺丝制备纳米纤维的研究进展

纳米纤维具有直径小、比表面积大和易于实现表面功能化等优点,受到了广泛的关注,而静电纺丝技术被认为是制备聚合物纳米纤维最简单有效的方法,因此国内外学者对静电纺丝技术进行了详细的研究。简单介绍了静电纺丝技术的工作原理,详细阐述了影响静电纺丝的主要工艺参数,包括溶剂、溶液的浓度及黏度、电导率、工作电压、纺丝速度和接收距离等,并叙述了静电纺丝纳米纤维在过滤材料、传感器和生物医学等方面的应用,也指出了该技术存在的一些问题及其应对措施。     

墨西哥湾盆地深水区油气分布特征及勘探潜力

通过分析墨西哥湾盆地油气资源勘探现状、油气地质特征,及与油气成藏密切相关的盐岩形成、演化和分布特征,进一步认识到墨西哥湾盆地上侏罗统牛津阶—第四系更新统发育了4套优质烃源岩和多套性能优越的储集层,封堵性能良好的局部和区域盖层遍布整个新生界层系,断层提供了运移通道,构造和地层圈闭发育,具有优越的生储盖等油气成藏条件。盆内中侏罗统发育一套广泛分布的厚层盐岩,很多大型油气藏均与该盐岩相关。盐上和盐下储层中均有可观的油气发现,随着油气勘探理论和技术的进步,盐下油气藏的潜力逐渐显现出来,勘探潜力很大。     

一种用于超高频无源标签芯片的整流器设计

基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,提出了一种适用于无源UHF RFID标签芯片的CMOS整流器。与传统二极管连接方式的MOS管相比,使用了一种不同的二极管连接方式的MOS管,减小了阈值电压和漏电流。利用新结构实现了一个5级电荷泵整流电路。测试结果表明,当输入0 dBm信号时,整流器的转换效率为29.24%。整体芯片的面积是(0.7 × 0.6) mm²。     

埋层深度对Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响

研究了P埋层深度对体硅 Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,器件的BV2/Rs,on设计优值最大。指出了P型埋层在漂移区不同区域时击穿点的位置,以及对应的漂移区浓度取值范围,为横向高压Triple-RESURF LDMOS的设计提供了参考。     

一种带曲率补偿的高精度带隙基准源设计

基于OKI 0.5 μm BCD工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用Brokaw带隙基准核心结构,引入一个高阶效应的电流,对基准进行补偿。结合基准核心电路产生的无温度系数电压,利用简单的电路实现基准电流源的产生。仿真结果表明,在4.5 V供电电压下,-40 ℃~150 ℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.1755~1.17625 V,温漂为3.9 ×10-6/℃,基准电流为3.635 μA,输出基准电流波动仅为2.2 nA,精度较高,低频时电路电源抑制比为-76 dB。     

一种0.18 μm CMOS模拟滤波器的设计与实现

基于0.18 μm CMOS工艺,实现了一种6阶有源RC模拟滤波器,截止频率可以配置为1.25 MHz/2.5 MHz/5 MHz/10 MHz,增益可以配置为0 dB/6 dB/12 dB/18 dB,能够应用于WiMAX/WLAN接收机。采用一种新型的自动频率校准电路,使滤波器的截止频率不受工艺变化的影响。测试结果表明,在1.8 V电源电压下,消耗电流16 mA,输入3阶交调为23.4 dBm。正交两路模拟滤波器与频率校准电路所占面积为0.38 mm²。     

一种用于VCO供电的低噪声LDO

设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1 MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10 kHz频率处,PSRR为－70 dB,输出噪声为21.01 nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为－47 dB,输出噪声为6.187 nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为－27 dB,输出噪声为6.244 nV·Hz-1/2。