噪声与低噪声设计的探讨（下篇）

这是分上下篇连载的下篇(上篇见5月份的本刊)，介绍了几个基本概念，使你能开始考虑如同进行低噪声设计。     

噪声与低噪声设计的探讨（上篇）

噪声是许多信号处理系统的基本制约因素.同样,它是许多电子设计,特别是接口电路的主要制约条件.在测试与测量、医学成像和高速数据通信等方面的行业趋向都需要越来越高的信息密度.与此同时,半导体工艺的进步能实现更高的数据处理速度和功能密度,但却要降低工作电源电压,由此降低信号幅度.结果是,加大了系统设计对模拟前端噪声性能进行管理的压力.     

能增强光通信灵活性的可调谐激光器

随着通信市场逐渐好转，可调谐激光器的研究已引起人们更加广泛的关注。通信设备供应商不仅在寻找一些设备更新的技术，而且还在寻找一种能降低网络超长距离通信运转费用的技术。远距离和大都市通信要求通信网络具有快速、灵活开关和重新组合等特点，而具有高输出功率、窄线宽、低噪声、高边模抑制比和高可靠性的最新一代可调谐激光器恰好能满足这种需求。     

数模转换器

世界首款双16 bit，1 GSPS内插DAC：提供业界超低噪声、失真和功耗性能 无线通信、测试仪器仪表和宽带设备不断发展的要求正在推动对能以更高的输出频率合成高质量信号的更优的数模转换器(DAC)的需求。设计工程师面临以经济有效的方式满足当今标准，同时规划尚未完全定义的未来标准。     

对电压参考进行滤波以获得低噪声性能

输出电压相对于电压参考的短期变化即为噪声。参考电压噪声一般发生在以下两个频段：短期噪声在0．1Hz～10Hz，宽带噪声在10Hz～1kHz。由于噪声电压一般与参考电压成正比，故常用每百万分之一（ppm）来表示噪声，并借此使每百万分之一值恒定。能隙（或带隙）电压参考具有介于3ppm～16ppm之间的噪声电压，但埋入式齐纳电压参考的噪声更低，介于0．1ppm～0．5ppm之间。噪声随参考电流的增加而减小，但增加参考电流并不是大多数电压参考的选项。     

X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器

报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。     

800MHz CMOS低噪声放大器的设计

本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好.     

AD8656：双运算放大器

美国模拟器件公司推出一款适合＋2．7～＋5．5V电源电压供电，具有低噪声性能的精密双运算放大器AD8656。它是ADI公司最近推出的AD8655的双放大器版本，其噪声指标比同类解决方案低2／3。     

低温,低频双极晶体管的噪声分析

建立了低温双极晶体管的低频噪声模型，对低温、低频双极晶体管的噪声进行了分析，并给出噪声电压随工作温度、工作电流以及频率的三维变化曲线，指出了双极晶体管获得最小噪声的最佳工作温度和最佳工作电流。