基于同步开关预判的半桥型VSC快速电磁暂态建模方法

现代电力系统存在大量的半桥型电压源变流器,采用传统电磁暂态仿真程序对其进行大规模仿真分析时,存在耗时高、效率低的问题.以半桥子电路为开关状态判断的基本单元,通过分析其开关状态变化时二极管的续流及关断过程,得出普适于半桥型电压源变流器的同步开关预判方法.该方法可在当前时步通过逻辑判断直接得出稳定的开关状态组合,消除了迭代计算.结合同步开关快速预判方法及内节点收缩方法构建了半桥型电压源变流器的快速仿真模型,通过对比仿真,验证了快速仿真模型具有与全详细化模型相当的仿真精度,且能有效减少仿真耗时,提高仿真效率.与全详细化模型相比,针对80模块固态变压器的快速仿真模型可加速20倍.     

基于单周控制的四桥臂三相四线制有源电力滤波器的研究

为了将单周控制方法用于三相四线制系统,本文提出将四桥臂三相四线制有源电力滤波器的主电路分为三相桥和N相半桥两个独立的子电路,并分别对其采用单周控制。三相桥的单周控制方程及控制电路与三相三线系统相同;通过对电路的分析着重推出了N相半桥电路的单周控制方程和控制电路。最后进行了整体电路的仿真研究。仿真结果表明:采用该方法电路简单,不仅可以有效地补偿系统的三相谐波电流,还可以补偿中线电流,在三相四线制系统中有一定的应用前景。     

A sub-circuit MOSFET model with a wide temperature range including cryogenic temperature

A sub-circuit SPICE model of a MOSFET for low temperature operation is presented.Two resistors are introduced for the freeze-out effect,and the explicit behavioral models are developed for them.The model can be used in a wide temperature range covering both cryogenic temperature and regular temperatures.     

PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMOS固有特性：准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等. 与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中. 模型的实际应用结果显示：模拟与实测结果误差在5%以内.     

纳米级分辨率双频激光回馈位移测量系统

提出了一种基于双频激光回馈原理的高精度位移测量方法。在分析双频激光回馈测量原理的基础上,研究了双频激光回馈的基本现象并给出了理论依据,进一步的在回馈光学系统基础上,对两路正交的光回馈条纹利用电路进行细分处理：即四倍频细分产生大数计数及在一个大数脉冲内再进行小数细分,最后再将二者相结合。主要采用可编程逻辑器件FPGA和单片机设计信号处理电路,四倍频细分主要利用FPGA实现,小数部分主要通过单片机软件查表程序实现。全部电路并通过逻辑、时序仿真,验证了本方法的可行性。目前此系统满足高精度位移测量的要求。     

PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMoS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等.与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中.模型的实际应用结果显示:模拟与实测结果误差在5%以内.     

Ⅲ段距离保护作为后备保护的性能分析

在阻抗继电器与距离继电器分类的基础上,对Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ段阻抗继电器的配合问题和Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ段距离继电器的配合问题进行了深入的探讨,分析了Ⅲ段距离保护作为后备保护应具有的条件。由于阻抗继电器具有性质1,Ⅲ段阻抗继电器作为Ⅰ、Ⅱ段阻抗继电器的后备,在任何一次系统条件下都是成立的。由于距离继电器不具有性质1,一次系统结构、参数、运行方式、短路类型变化对Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ段距离继电器的配合都产生影响。如果Ⅲ段距离继电器支接阻抗特性不能够涵盖I、II段距离继电器的支接阻抗动作特性,则Ⅲ段保护起不到后备保护的作用。     

钟控神经元MOS晶体管的改进HSPICE宏模型

为了解决传统钟控神经元MOSSPICE模型无法进行连续若干个周期瞬态分析的问题,提出了一种改进的钟控神经元MOSSPICE子电路宏模型,采用HSPICE对器件进行了建模,并对模型进行了验证。验证结果表明,改进的模型既适用于普通神经元MOS,可以进行直流特性扫描分析,也可以进行瞬态特性分析;由于模型具有自动"记忆"预充电阶段输入端电平的功能,因此即使在不同的周期输入端所接固定电平不同,也可以进行连续任意个周期的瞬态特性仿真,从而使改进的模型具有更大的灵活性和实用性。     

一个适用于极低温的宽温度范围子电路MOSFET模型

本文描述了一个适用于低温下的MOSFET子电路SPICE模型。其中引入了两个电阻用于描述冻析效应,并开发了这两个电阻的解析的行为模型。该模型在从极低温到常温的较宽的温度范围内均适用。     

An advanced physics-based sub-circuit model of a punch-trough insulated gate bipolar transistor

An advanced sub-circuit model of the punch-trough insulated gate bipolar transistor (PT IGBT) based on the physics of internal device operation has been described in this article. The one-dimensional physical model of low-gain wide-base BJT is employed based on the equivalent non-linear lossy transmission line, whereas a SPICE Level 3 model is used for the diffused MOST part. The influence of voltage dependent drain-to-gate overlapping capacitance and the conductivity modulated base (drain) ohmic resistance are modelled separately. The main advantages of novel PT IGBT model are a small set of model parameters, an easy implementation in SPICE simulator and the high accuracy confirmed by comparing the simulation results with the electrical measurements of test power circuit.