背栅偏置对掩埋氧化层辐射感生陷阱电荷调控规律及机理北大核心

研究了辐照过程中施加背栅偏置对掩埋氧化层(BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。测试了130 nm部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管在不同背栅偏置条件下辐射损伤规律,试验结果显示辐照过程中施加正向背栅偏置可以显著增强辐射陷阱电荷产生,而施加负向背栅偏置并不能明显抑制氧化物陷阱电荷的产生,甚至在进一步提高负向偏置时会使氧化物陷阱电荷的数量上升。通过TCAD器件模拟仿真研究了背栅调控机理,研究结果表明:尽管负向背栅偏置可使辐射感生陷阱电荷远离沟道界面,但随着BOX层厚度减薄该区域电荷仍可导致器件电参数退化,且提高负向偏置电压可进一步增强陷阱电荷产生,加剧辐射损伤。     

中空介孔硅基刺激响应型纳米药物载体的研究进展

对中空介孔硅的制备方法及其优缺点进行阐述，同时总结了pH、光、氧化还原和多重刺激响应型中空介孔硅药物载体的刺激响应原理及研究进展，最后对其目前存在的问题以及未来研究方向进行了分析和展望。     

微硅粉悬浮液体地膜制备及其稳定性研究

为实现微硅粉的高值化应用,充分利用微硅粉中的硅、镁、钙等微量元素.实验以六偏磷酸钠为分散剂,黄原胶为稳定剂,通过单因素实验以及三因素三水平正交实验确定出微硅粉悬浮液体地膜配方以及制备工艺,采用沉降实验对不同温度、酸碱、盐体系的悬浮液的稳定性进行分析,借助流变仪、激光粒度分析仪分析流变特性、微硅粉分散性.结果表明:黄原胶、微硅粉、六偏磷酸钠添加量分别为0.15wt％、0.5wt％,0.5wt％时,可得到稳定分散的微硅粉液体地膜悬浮液,悬浮液的最佳保温温度为10～30℃,保证微硅粉悬浮液体地膜悬浮液在40 d之内不产生沉淀,酸碱环境体系对高分子具有一定的腐蚀作用,降低悬浮液的稳定性,pH=7时,悬浮液体系最稳定;同时讨论了不同盐体系对悬浮液体稳定性的影响,结果表明,不同盐体系中,NH4 Cl对体系的稳定性影响最小,当体系添加0.4％NH4 Cl时,体系沉淀量最小,为0.63wt％.     

纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展

长期以来,半导体硅材料对信息产业发展起到了决定性的作用。当前纳米集成电路发展起来,使用硅基材料,器件功耗有所降低,运行速度提升,各种负面影响减少。文章着重于探讨纳米集成电路用大直径硅与硅基材料的研究进展。     

多层圆片级堆叠THz硅微波导结构的制作

基于微电子机械系统(MEMS)工艺,提出一种多层圆片堆叠的THz硅微波导结构及其制作方法。为了验证该结构在制作THz无源器件中的优势,基于6层圆片堆叠的硅微波导结构,设计了一种中心频率365 GHz、带宽80 GHz的功率分配/合成结构,并对其进行了仿真。研究了制作该结构的工艺流程,攻克了工艺过程中的关键技术,包括硅深槽刻蚀技术和多层热压键合技术,并给出了工艺结果。最终实现了多层圆片堆叠功率分配/合成结构的工艺制作和测试。测试结果表明,尽管样品的插入损耗较仿真值增加3 dB左右,考虑到加工误差和夹具损耗等情况,样品主要技术指标与设计值较为一致。