酵母菌强化磷酸铵镁结晶体系处理富磷污泥上清液

利用一株除磷酵母菌在除磷过程中表面形成局部富磷区域的现象，将其引入到结晶除磷中，开发了酵母菌诱导强化磷酸铵镁（MAP）结晶协同除磷新体系。以A²/O污泥浓缩池富磷上清液为处理对象，探究了pH、Mg/P、N/P、反应时间和搅拌强度对该体系除磷效能的影响，采用扫描电子显微镜能谱仪（SEM-EDS）、X射线衍射仪（XRD）分析结晶产物的形貌及晶型。结果表明，酵母菌诱导强化MAP结晶体系处理A²/O污泥浓缩池富磷上清液的最优参数如下：pH=10.0、Mg/P=2.0、N/P=2.0、反应时间=30 min、搅拌强度=300 r/min，出水磷浓度可低至1.71 mg/L，除磷率为97.14%。结晶产物分析结果表明，酵母菌分泌的大量胞外聚合物（EPS）可以吸附废水中的PO₄^3--P和Mg²⁺，在菌体周围形成富磷区域，进而以酵母菌为晶核形成MAP结晶产物，实现磷的去除与回收。     

天然气水合物抑制剂甲醇回收中结垢机理研究

天然气开采过程中,天然气水合物经常造成管道,设备的堵塞。气田上常采用甲醇作为水合物抑制剂。针对甲醇回收过程中结垢严重的运行现状,采集了现场水样和垢样对其成分进行了分析。以实验数据为基础,结合化学反应机理和结晶动力学机理,研究甲醇回收过程中的结垢机理。进而分析了结垢的影响因素。分析结果表明,甲醇回收过程中的结垢是不相容离子间相互混合以及热力学的变化的复杂结果。溶液中的成垢离子浓度,pH值,压力,温度以及矿化度都会对结垢趋势产生影响。     

冷冻结晶法生产硫酸镍的工艺实践

对金冠铜业冷冻结晶法生产硫酸镍的工艺流程做了介绍,重点阐述了系统运行三年以来所作的优化改进;总结分析了生产实践中摸索的适合车间生产的工艺参数,确定了硫酸镍最佳生产模式;同时对硫酸镍产品中的铜的脱除情况进行了分析和探讨。     

高盐废水零排放结晶盐资源化工艺分析与比较

高盐废水零排放结晶盐资源化是高盐废水处理发展的趋势,从已有的零排放资源化工程案例来看,其运行情况并不理想。对具有代表性的高盐废水零排放结晶盐资源化工艺进行了介绍,并以典型项目水质为例,分析了各种工艺的优缺点及适用水质,为工程项目的设计与运行提供一定的参考价值。     

红外光谱法研究间规聚苯乙烯结晶行为进展

间规聚苯乙烯是一种具有高结晶能力的聚合物,它的复杂多晶现象非常有趣。该文概述了聚合物的结晶理论和间规聚苯乙烯的应用,并讨论了红外光谱在间规聚苯乙烯上的研究,最后展望了该方法在结晶研究上的可发展性。     

洛阳石化薄壁注塑聚丙烯PPH-MN60性能对比研究

本文对比研究了洛阳石化薄壁注塑聚丙烯PPH-MN60与市场同类牌号产品的各项性能。结果表明:与市场同类牌号相比,PPH-MN60产品具有较高的熔体流动性和透明性,这对于薄壁注塑制品的注塑成型和制品品质是十分有利的。PPH-MN60具有相对较高的结晶温度,有利于缩短注塑成型时间。PPH-MN60的氧化诱导时间介于两个市场对比牌号之间。PPH-MN60产品的拉伸屈服强度、弯曲强度和弯曲模量明显高于两个市场对比牌号,注塑得到的薄壁注塑制品具有更好的挺度和品质。其他力学性能基本相当,满足市场应用需求。     

花状与颗粒状NiMn2O4纳米材料的制备及其超级电容性能

分别以尿素和氨水为沉淀剂，采用热溶剂法制备了多孔的花状NiMn₂O₄和颗粒状NiMn₂O₄纳米电极材料，采用 X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜和N₂ 吸附-脱附等手段对NiMn₂O₄材料的物相、形貌结构和孔径分布进行了表征，并通过循环伏安、恒电流充放电、交流阻抗等方法测试了所制备材料的电化学性能。研究了沉淀剂对NiMn₂O₄材料形貌、微观结构及电化学性能的影响。结果表明：以尿素为沉淀剂的NiMn₂O₄是由纳米片组成的花状结构，纳米片厚度为50～60nm，比表面积为104m²/g。在 1A/g 电流密度下比电容为1614F/g，在5A/g电流密度下，尿素为沉淀剂的花状NiMn₂O₄材料经1000次恒电流充放电后其比电容可达初始值的89%。以氨水为沉淀剂的多孔NiMn₂O₄为直径约30nm的纳米颗粒结构，颗粒间团聚严重，比表面积为91m²/g。在1A/g电流密度下比电容为1147F/g，在5A/g电流密度下，氨水为沉淀剂的颗粒状NiMn₂O₄材料经1000次恒电流充放电后其比电容可达初始值的80%。尿素为沉淀剂的花状NiMn₂O₄具有优越的超级电容性能。     

C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究

以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。