氧化钒薄膜热敏特性的研究

为研究氧化钒薄膜在非致冷红外微测辐射热计中的应用,综述了制备工艺等诸多因素对氧化钒热敏特性的影响,对其机理进行了探究,结果表明掺杂和新的制备工艺是调整氧化钒热敏特性较为有效的方法.     

氧化钒薄膜的制备技术及特性研究

采用直流反应磁控溅射法，通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺。对制备的氧化钒薄膜，利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数，用X射线光电子能谱（XPS）仪和原子力显微镜（AFM）对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征。实验结果表明，利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高。     

氧化钒薄膜的制备技术及特性研究

采用直流反应磁控溅射法,通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺.对制备的氧化钒薄膜,利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数,用X射线光电子能谱(XPS)仪和原子力显微镜(AFM)对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征.实验结果表明,利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高.     

氧化钒-氧化石墨烯复合薄膜的制备及其光电特性

基于溶胶凝胶法,采用旋涂和喷涂相结合的工艺,制备了氧化钒（VO_x,1≤x≤2.5）-氧化石墨烯（GO）复合薄膜。利用SEM、XRD、椭偏仪、紫外可见分光光度计、FTIR及高阻仪对所制薄膜的形貌、晶相、光学及电学性能进行了系统的表征测试。结果表明,加入GO之后,VO_x-GO复合薄膜的电阻率由108.78 Ω·cm下降至68.64 Ω·cm,而薄膜的电阻温度系数（TCR）则由-1.98% K^-1提高至-2.60% K^-1。此外,VO_x-GO复合薄膜还具有更高的光吸收率和工作稳定性。说明GO的加入增强了VO_x薄膜作为非制冷红外探测器热敏材料的综合性能。本研究为探索基于VO_x的新型红外热敏材料提供了参考,同时也对非制冷红外探测器的发展有促进作用。     

二氧化钒薄膜退火特性研究

用磁控反应溅射法加退火工艺在石英玻璃上制备出具有相变特性的二氧化钒薄膜,通过XRD、SEM和波长200～2500nm的光学透过率的测试对薄膜的结构和特性进行分析,研究退火对薄膜的结构和光电特性的影响。     

氧化法热处理温度对氧化钒薄膜热敏特性的影响

采用直流磁控溅射法制备氧化钒薄膜,并采用不同的温度对其进行氧化法热处理,通过XRD、SEM、四探针薄膜电阻测试,分析了不同热处理温度对氧化钒薄膜的晶相特性与热敏特性的影响。实验分析证明热处理温度升高后(400℃)得到的薄膜热敏特性良好,其室温电阻为160KΩ·cm,室温电阻温度变化系数为-2.4%/℃,变温过程中(20~98℃)其平均值约-1.98%/℃,表明温度升高有利于改善薄膜热敏特性,在非制冷红外探测器应用方面具有发展潜力。     

氧化钒薄膜的微观结构研究

采用直流反应磁控溅射法在不同基片上制备了80nm和1000nm厚的氧化钒薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜及扫描电镜进行了薄膜微观结构分析.结果表明,薄膜的晶化受衬底影响较大,晶化随膜厚的增加而增强.不同衬底上生长的薄膜晶粒尺寸存在较大差异,Si3N4/Si衬底上生长的薄膜晶粒细小,薄膜较为平坦;玻璃衬底、Si衬底和α-Al2O3陶瓷衬底上生长的薄膜晶粒较为粗大.随着膜厚的增加,薄膜的晶粒尺寸明显增大,不同衬底上生长的二氧化钒薄膜晶粒都具有一种独特的"纺锤"形或"棒"形.     

晶粒尺寸对氧化钒薄膜电学与光学相变特性的影响

采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行研究.结果表明:经300℃和360℃热处理后,薄膜内二氧化钒原子分数达到40%,氧化钒薄膜具有绝缘体-金属相变特性,薄膜的晶粒尺寸分别为50nm和100nm;...     

氧化钒薄膜的结构、性能及制备技术的相关性

氧化钒薄膜及其在微电子和光电子领域中的已成为国际上新颖的功能材料研究的热点之一。本文综述了V2O5和VO2薄膜电学性能与薄膜组分的结构的相关性,比较了不同工艺制备的氧化钒薄膜的电学性能差异。     

双靶磁控溅射制备掺W氧化钒薄膜的研究

用双靶磁控溅射制备了掺钨氧化钒薄膜。Ｘ射线电子谱（ＸＰＳ）对所沉积的薄膜进行了分析,发现掺Ｗ氧化钒薄膜的相结构比较复杂。通过特征峰标定了这些相。用面积灵敏度因子方法得到Ｗ掺杂量的结果。原子力显微镜给出了薄膜的表面形貌。其表面形貌特征随沉积条件的不同有一定的变化。     

FeS2薄膜的制备和性能

研究了不同热硫化条件下用纯Ｆｅ膜反应形成的ＦｅＳ２多晶薄膜成分、结晶形态和电阻率的变化规律，结果表明，在４００℃等温２０～３０ｈ时，生成的ＦｅＳ２比较充分，薄膜中的Ｆｅ、Ｓ含量接近ＦｅＳ２计量成分，随硫化温度升高，ＦｅＳ２晶粒明显增大，电阻率显著上升，当在４００℃硫化充分形成ＦｅＳ２晶粒后，继续延长等温时间对组织形态无明显影响。     

掺钨二氧化钒薄膜的制备与分析

通过凋研国内外的各种制备方法,比较它们的优缺点后,选用磁控溅射法.在硅片上得到了电阻变化2个数量级的二氧化钒(VO2)薄膜.对薄膜进行电学性能的测试,结果表明:掺钨后二氧化钒薄膜的相变温度比纯的二氧化钒薄膜相变温度有所降低,掺钨后薄膜的近红外透射率也随之减小.通过X射线衍射和X射线光电子谱对薄膜的微观结构和组分进行了分析.     

二氧化钒薄膜的结构、制备与应用

综述了VO2薄膜的结构特点、相变、制备工艺特性,以及薄膜研究、应用和开发现状,认为VO2薄膜具有较好的开发前景.     

PLT薄膜的制备及其非线性光学性能

用金属有机物热分解法制备了含镧ＰＬＴ薄膜，用Ｚ－ｓｃａｎ技术测试其非线性光学性能，结果表明；低镧的ＰＬＴ薄膜不显示非线性光学效应。高镧的ＰＬＴ薄膜非线性光学效应较强ＰＬＴ３０薄膜的非线性折射率高达０．３μｅｓｕ。     

磁控溅射沉积二氧化钒薄膜及其电致相变特性研究

采用反应射频磁控溅射技术在熔融石英玻璃衬底上制备了组分单一的二氧化钒薄膜。在制备好的二氧化钒薄膜上使用半导体工艺制备了金属叉指电极,通过半导体测试仪测试其电致相变特性。结果表明,当电极上所加电压达到一定阈值时电流发生突变,即薄膜发生半导体-金属相变。     

非晶氧化钒薄膜光学性质研究

在氩氧混合气氛中,常温下用脉冲磁控溅射方法在石英玻璃和硅片上制备了V2O5薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明,常温下制备的V2O5薄膜为非晶结构,光学能隙为2.46eV。     

Fe-Ni-N薄膜的结构及磁性

用双离子束溅射法在玻璃基片上制得了Fe-Ni-N薄膜，研究了Ni含,源气氛及退火温度对Fe-Ni-N薄膜的结构，磁性及热稳定性的影响。选择合适的工艺条件，可制得在（100）面方向有100％晶粒取向度的单一γ′（Fe,Ni)4N相，Ni含量为6．7％（摩尔分数）的Fe-Ni-N薄膜具有较的软磁性能，其饱和磁化强度Ms为2．04T，矫顽力Hc为0.68kA/m。但是随着Ni含量的提高，Fe-Ni-N薄膜的热稳定下降，在主源气压比PN2／PAr较低时，有利于氮含量较低的γ′相的形成，在较高的PN2／PAr条件下，则形成氮含量较高的ε-（Fe,Ni)2-3N相和ξ－（Fe,Ni)2N相。     

双靶反应磁控共溅射制备Al掺杂ZnO薄膜及其光电性能

采用双靶反应磁控共溅射法在Si（100）和载玻片衬底上制备了Al掺杂ZnO（ZAO）薄膜,利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、荧光分光光度计、紫外可见光分光光度计,四探针测试仪等手段对薄膜进行表征,研究了Al掺杂对ZnO薄膜结构和光电性能的影响。结果显示,Al掺杂未改变ZnO的晶体结构,ZAO薄膜沿（002）晶面生长,具有单一的紫光发射峰,在可见光区透过率大于80%,当Zn靶和Al靶溅射功率分别为100 W和20W时,ZAO薄膜的电阻率为8.85×10-4W.cm,表明利用双靶反应磁控共溅射法制备的ZAO薄膜具有较好的光电性能。