改性BaTiO_3/PVDF复合薄膜的制备及介电性能

对陶瓷颗粒表面进行改性是提高陶瓷/聚合物复合材料介电性能的重要途径。该文先后使用H2O2和硅烷偶联剂KH550对BaTiO3(BT)陶瓷颗粒表面进行了两次处理,采用简单的溶液共混及流延工艺制备了改性钛酸钡/聚偏氟乙烯(M-BT/PVDF)薄膜。结果表明,用H2O2和硅烷偶联剂KH550对BT颗粒表面进行改性能有效地改善BT与PVDF基质的界面结合,从而提高体系的介电常数。当掺入60%(体积分数)的BT时,复合薄膜介电常数提高到36(为纯PVDF的6倍),介电损耗为5%。     

Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的微结构及铁电性能研究

采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(简称BST)薄膜材料,研究了BST薄膜的组成、晶体结构、表面形貌及介电性能.介电偏压特性曲线和电滞回线都表明其具有铁电性,厚度为500 nm、晶粒尺寸为30 nm的BST薄膜,介电系数电压变化率(介电调谐率)为29.4%,矫顽场强(EC)约为12.1 kV/cm,并讨论了介电偏压特性曲线和电滞回线之间的联系,解释了电滞回线不对称的原因.     

PbxSr1-xTiO3陶瓷及薄膜的制备和性能研究

研究了Pb的摩尔分数对PbxSr1-xTiO3(x=0.2~0.8)陶瓷微结构和介电性能的影响,当x<0.45时晶体为立方相,x≥0.45时为四方相;随着Pb的摩尔分数增大,陶瓷气孔率下降,致密度增加,晶粒尺寸逐渐增大,居里峰近似线性地向高温方向移动,并具有一致的居里外斯常数。采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了Pb0.3Sr0.7TiO3(PST30)薄膜,经550℃退火后为(111)择优取向的多晶薄膜,1 kHz下的可调率为21.8%。     

射频磁控溅射法制备BST薄膜及性能研究

采用射频磁控溅射法制备了钛酸锶钡薄膜材料,研究了薄膜的晶体结构和微观形貌,测试了其偏压特性曲线和电滞回线。初步探讨了εr-E曲线、电滞回线发生平移的原因：上下电极与钛酸锶钡薄膜间的界面势垒不对称。     

固相法制备ZST系微波介质陶瓷的研究状况

固相法具有设备简单，工艺成熟，便于操作等特点，被广泛的应用于企业生产和研究机构中，本文总结了近年来利用固相法制备ZrSnTiO4（以下简称ZST）系微波介质陶瓷的研究成果，展望了ZST的研究和应用前景。     

电光材料在光学相控阵技术中的应用

综述了光学相控阵的发展背景,对不同电光材料铌酸锂(LiNbO3)、砷化镓铝(AlGaAs)、锆钛酸铅镧(PLZT)陶瓷和液晶制作的光学相控阵进行了阐述,简要介绍了近期的一些研究成果,并对光学相控阵技术的发展前景进行了展望。     

离子束辅助沉积MoS2复合膜的XPS和ESR特性分析

通过IBAD技术制备了MoS2 Ag(Cu)复合膜 ,并利用XPS和ESR考察了复合膜的氧化情况。发现在RH为 6 0 %的大气环境下 ,Cu的掺入加速了MoS2 的氧化 ,相反Ag的加入却使MoS2 的氧化受到抑制 ;XPS发现MoS2 Cu复合膜中存在Mo6 ,ESR却并没发现中间态Mo5 ;而XPS没有检测到MoS2 Ag膜中有Mo6 ,ESR却发现Mo5 。这说明Mo5 受化学环境影响较大     

钛酸锶钡（BST）薄膜的组成、结构与性能研究进展

钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜，应用广泛，是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍了BST薄膜的制备方法和应用，对此薄膜的基片、电极、晶界、界面、热处理、膜厚及组成、结构、性能等方面作了重点讨论，提出了研究中需要解决的一些问题。     

钛酸锶钡（BST）薄膜的介电性能机理研究进展

钛酸锶钡(BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜，应用广泛，是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍BST薄膜的制备方法和应用，重点讨论BST薄膜的极化、电压非线性、漏电流的机理、表征及影响因素，并综述了铁电薄膜的疲劳机制和消除疲劳措施等方面的研究进展，提出了研究中需要解决的一些问题。     

超低温烧结ZTT陶瓷微结构及介电性能研究

采用传统固相反应法制备Zn2 Te3 O8-30％TiTe3O8 (ZTT,质量分数)粉体,在低于600℃的管式气氛炉中烧结,利用XRD、SEM及微波网络分析仪等手段对不同热处理后的样品进行分析,并测试介电性能.实验表明,ZTT能在超低温下烧结成瓷,且介电性能良好(低频测试下介电常数εr=19～27,损耗低于3％,高频下品质因数与频率之积Q×f=56 191 GHz,频率温度系数τf=1.66μ℃-1),为制作低成本薄膜电容提供可能.