空间电磁环境监测用双探针式星载电场探测仪

针对空间电磁环境监测需求,该文介绍了双探针式在轨电场探测方法.概述了双探针式、天线式和电子漂移式3种检测方法的异同,重点探讨了双探针式电场测量方法的原理、系统组成及测试标定方法.设计实现了敏感探头和数据采集处理单元,通过阻容耦合方式模拟电场仪在轨工作环境对系统进行了测试.测试结果显示SLF,VLF和HF频段的噪声本底分别小于4μVm-1Hz-1/2,1μVm-1Hz-1/2和0.5μVm-1Hz-1/2.     

任意器件输入阻抗测试误差的分析与比较

在矢量网络分析仪测任意器件输入阻抗的基础上提出了一种可进一步改善测试精度的方法——双分支法,它可自校待测件与矢网端口之间各转换件的附加幅相误差。对2种测试方法进行了误差分析和比较,并自行设计实验方案验证双分支法改善测试精度的可信性。理论分析和实验结果均表明双分支法是可行且准确的,它为任意器件反射系数和输入阻抗的精确测试提供了方便,同时拓宽了矢量网络分析仪的精确使用范围。     

双冗余网络接口自动切换测试模块的设计与实现

目前双冗余网络接口得到了广泛应用,而专用测试设备匮乏,为解决这一问题,研制出基于单片机的双冗余网络接口测试系统.双冗余网络自动切换测试系统使用AT89S51单片机作为主控芯片,采用MAX4890完成双冗余网络信号的切换,实现了对被测双冗余网络接口快速自动切换的功能.该测试系统结构简单,小巧,切换动作快,配合网络测试系统(如泰克、安捷伦等专用网络测试设备),能够实现对多台双冗余网络接口设备的切换和性能测试.本电路系统运行可靠、稳定.     

基于BF537的双冗余以太网的设计与实现

针对嵌入式系统平台下以太网双网冗余技术的实现问题,基于Blackfin系列处理器BF537设计了2种双冗余以太网的实现方案.方案1以BF537自带的以太网控制器和通过数据总线外扩的以太网控制器分别构造了双网通路,而方案2则仅利用BF537的以太网控制器配合的CPLD模块,构造硬件开关电路,实现了双网通路.实验测试结果证明,这两种方案均可满足嵌入式系统中双网冗余要求,方案2从网络切换时间和丢包率指标上大大优于方案1.     

采用双R-2R电阻网络结构的12位电压型D/A转换器

介绍了采用双R-2R电阻网络结构实现12位电压输出型D/A转换器的设计及激光修调方案.重点分析了运放失调电压对双R-2R电阻网络结构D/A转换器线性误差的影响,并与其他常见的实现双极性电压输出的R-2R电阻网络结构进行比较,给出了理论估计和仿真结果.采用双R-2R电阻网络实现的12位D/A转换器芯片(不包括运放)在带CrSi电阻的8μm CMOS工艺上流片和修调测试.电阻网络芯片和运放芯片采用厚膜混合工艺组装,实现电压输出D/A转换器功能.测试结果显示,设计的电路达到了预期目标.     

联芯科技推出业界首款TD/GSM+GSM双卡双待功能手机方案

基于联芯科技双卡双待功能手机解决方案的万事通G5日前顺利通过中国移动的入库测试,这是业内第一款TD/GSM+GSM双卡双待功能手机。联芯科技此次推出的TD/GSM+GSM双卡双待方案突破了传统2G双卡双待的技术限制,两张卡可以分别处理语音和数据业务,也就是说一张卡在进行语     

XY-2号卫星激光通信载荷PAT在轨测试

针对低轨小卫星星座的通信需求，设计了基于双棱镜和四象限雪崩光电二极管(QAPD)结构收发同轴的激光通信载荷，该方案是无信标光体制，具有体积小、轻量化和大视场的特点。文中针对双棱镜结构，给出了双棱镜输入输出光线的计算模型，在此基础上，提出了星间指向、捕获和跟踪的实现方式，并在XY-2号卫星上进行了在轨测试和验证，进行指向测试时，更新了指向偏移量，标定了QAPD跟踪点，并进行了双向建链测试。进行了15次双向建链测试表明，该激光通信载荷捕获时间小于20 s，捕获成功率达到100%，捕获后双星建链时间优于2 s，建链测试成功率达到了93%，建链后跟踪精度RMS值小于30 μrad。     

高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析

针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂 GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂 GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用 X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明, HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012 cm-3,电子迁移率大于6520 cm2·V-1·s-1。     

双2×46 CCD红外信号处理器

双2×46 CCD 红外信号处理器主要用于8×2元 HgCdTe 红外探测器的信号预处理,理论上它能使系统的信噪比提高21/2倍.详细介绍了双2×46 CCD红外信号处理器的理论设计及制作,给出了工艺流程及器件的测试结果.     

对半导体双异质结激光器测试的几点看法

一、前言二、半导体双异质结激光器的特性参数测试1、电学参数2、光学参数3、热学参数三、工艺过程中的测试分析手段四、对未来测试工作的几点看法一、.前言自从一九七O年第一只半导体双异质结激光器     

某钢铁企业分装置排放通量的车载被动DOAS遥测研究

利用车载被动DOAS测量系统，对某钢铁企业进行分装置绕行观测。采用了计算参与拟合截面相关性的方法，确定痕量气体最优反演波段，获取观测路径上的垂直柱浓度后，结合测量时间内的车速以及风速风向信息，计算得出区域内SO2及NO2排放净通量。实验得出某钢铁企业厂区内轧钢冶炼区域SO2与NO2排放净通量均值分别为149kg/h和372kg/h；焦化区域SO2与NO2排放净通量均值分别为260kg/h和286kg/h；电厂区域SO2与NO2排放净通量均值为21kg/h和26kg/h；石灰烧培区域SO2与NO2排放净通量均值为64kg/h和79kg/h；烧结区域SO2与NO2排放净通量均值为34kg/h和99kg/h。     

纳米磨料对GaAs晶片的抛光研究

通过均相沉淀法制备了纳米CeO2和Al2O3粉体,研究了在相同抛光条件下纳米CeO2、SiO2和Al2O3磨料对GaAs晶片的抛光效果,并用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌并测量表面粗糙度。结果表明,使用纳米CeO2磨料抛光后的表面具有最低的表面粗糙度,在1μm×1μm范围内表面粗糙度Ra值为0.740nm,而且表面的微观起伏更趋于平缓。文中还探讨了GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理,考虑了纳米磨料在抛光条件下所发生的自身变形,并分析了纳米磨料硬度对抛光表面粗糙度的影响,初步解释了在相同的抛光条件下不同硬度的纳米磨料为什么具有不同的抛光表面粗糙度。     

TiO2压敏陶瓷势垒高度的测定

基于典型的陶瓷工艺制备试样。压敏陶瓷可视为双向导通的二极管,将适用于齐纳二极管的半导体理论应用于TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷。测量了低压下的电流-电压(I-V)特性,根据lnJs与E1/2关系曲线的拟合直线的的截距得出了TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷的势垒高度。     

人二型大麻受体基因的pIRES2-EGFP质粒的构建及其真核表达

目的：构建含有人二型大麻素受体（CB2）基因的真核表达载体,并实现其在HEK293细胞的表达。方法：首先采用PCR方法从含有CB2基因的质粒pcDNA3.1（＋）-CB2中扩增获得人的CB2基因,再采用基因重组技术将CB2的DNA片段插入真核表达载体pIRES2-EGFP。将获得的pIRES2-EGFP-CB2重组子转染HEK293细胞,应用荧光显微镜观察EGFP的表达情况,RT-PCR和报告基因检测CB2的表达情况。结果：酶切和测序结果验证真核表达载体pIRES2-EGFP-GB2构建成功。可在荧光显微镜下观察到转染HEK293细胞表达的绿色荧光;RT-PCR和双荧光素酶报告基因法检测证明CB2蛋白在真核细胞中成功表达;CB2受体激动剂JWH-015能显著逆转腺苷酸环化酶激动剂forskolin诱发的荧光素酶活性增加。结论：成功构建了真核表达载体pIRES2-EGFP-CB2,为进一步研究CB2基因的生理学和病理生理学功能及调控机制奠定了实验基础。     

ZrO2/SiO2双层膜膜间渗透行为初步研究

用溶胶-凝胶技术,采用提拉镀膜法在K9玻璃基片上镀制了ZrO2/SiO2双层膜和SiO2/ZrO2双层膜,研究了这两种膜层之间的渗透问题。用X射线光电子能谱仪(XPS)测量了薄膜的成分随深度方向的变化,用反射式椭偏仪对X射线光电子能谱仪测得的实验结果进行模拟与验证。结果表明,用X射线光电子能谱仪测得的实验结果建立的椭偏模型,模拟出来的椭偏曲线和用椭偏仪测量出来的椭偏曲线十分吻合;对于ZrO2/SiO2双层薄膜,膜层间的渗透情况不是很严重,在薄膜界面处薄膜的成分比变化非常明显,到达一定深度后薄膜的成分不再随深度的变化而变化;SiO2/ZrO2双层膜膜层界面间的渗透十分严重,渗透层的深度比较大,底层几乎发生了完全渗透。     

溶胶–凝胶法制备ATO-SiO_2抗静电复合薄膜的特性研究

采用两步溶胶–凝胶法制备出 ATO(掺锑氧化锡)-SiO_2复合抗静电薄膜。通过 DTA-TG、XRD、SEM 对 薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密。薄膜中 SiO_2为无定形结构,ATO 的衍射峰 与 SnO_2一致。研究了 SnO_2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随 SnO_2含量增加 ?(SnO_2/ SiO_2)从 5 至 12.5,薄膜的表面电阻降低(从 1010ù/□降低到 108ù/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从 89.0%降至 84.2%),结合三方面性能,得出最佳 SnO_2的配比为:?(SnO_2/ SiO_2)=10。     

B2O3/SiO2比对钡硼硅系微晶玻璃性能的影响

采用固相反应法制备了高膨胀系数的钡硼硅系微晶玻璃,研究B2O3/SiO2比对钡硼硅系微晶玻璃性能的影响,并对其进行了热、力、电性能测试及XRD、SEM分析表征。结果表明:提高B2O3/SiO2比会促进液相烧结的进行,能有效降低烧结温度,并影响晶相组成;但B2O3/SiO2比过高或过低都会破坏材料的力学性能,降低抗弯强度,热膨胀系数和介电常数则随其含量增加呈减小趋势。B2O3质量分数为12%的微晶玻璃在950℃下烧结1h,有大量的方石英相析出,材料的抗弯强度最大。最终制备了具有优良介电性能的微晶玻璃,其热膨胀系数为17.87μ℃-1,抗弯强度为175MPa。     

提高玻璃封装二极管可靠性的研究

利用超细ZrO2在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中的同素异构转变带来的体积效应来增加二极管封装玻璃的韧性和二极管的可靠性.在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加一定量的超细ZrO2粉粒,弥散均匀,用烧结法制得ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃,使用AKASHI压痕法,测试材料增韧前后的效果.使用XRD测试验证在玻璃封装二极管的工艺温度下能保持t-ZrO2和m-ZrO2晶型应具有的特征相.实验证明添加超细ZrO2后,ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃材料的韧性有很大的提高.经功率二极管玻璃封装工艺流程实验和二极管的理化性能考核,引人适当含量的超细ZrO2能提高玻璃封装二极管的抗热冲击性.     

镁铝尖晶石陶瓷的高温Mo-Mn金属化机理研究

采用活化Mo-Mn法对镁铝尖晶石陶瓷进行了金属化封接实验,并通过对镁铝尖晶石陶瓷金属化层的显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中分布情况的分析,探讨了镁铝尖晶石陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现,镁铝尖晶石瓷的金属化机理与目前较成熟的95%氧化铝瓷的金属化机理存在很大不同。镁铝尖晶石瓷金属化时,Mn元素沿晶界实现固相扩散迁移,固溶于瓷中,与镁铝尖晶石形成Mn:Mg Al2O4尖晶石相;同时,Mg元素沿晶界析出进入金属化层的玻璃相,填充于Mo海绵骨架中。     

SiO2和ZrO2薄膜光学性能的椭偏光谱测量

用溶胶-凝胶工艺在碱性催化条件下,采用旋转镀膜法在K9玻璃上分别制备了性能稳定的单层SiO2薄膜与单层ZrO2薄膜。用反射式椭圆偏振光谱仪测试了薄膜的椭偏参数,并用Cauchy模型对椭偏参数进行数据拟合,获得了溶胶-凝胶SiO2与ZrO2薄膜在300~800 nm波段的色散关系。用紫外-可见分光光度计测量了薄膜的透射率,并与用椭偏仪换算出来的结果相比较;用原子力显微镜观察了薄膜的表面微结构,并讨论表面微结构与薄膜光学常数之间的关系。分析结果表明,Cauchy模型能较好的描述溶胶-凝胶薄膜的光学性能,较详细的得到了薄膜的折射率,消光系数等光学常数随波长λ的变化规律;薄膜光学常数的大小与薄膜的微结构有关。