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利用低压金属有机化合物汽相淀积方法,以液态CCl4为掺杂源生长了高质量的碳掺杂GaAs/AlGaAs外延材料,研究了CCl4流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响.采用电化学CV方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和X射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究.实验制备了空穴浓度高达1.9×1020cm-3的碳掺杂GaAs外延材料和低温光致发光谱半宽小于5nm的高质量碳掺杂Al0.3Ga0.7As外延层.在材料研究的基础上,我们以碳为P型掺杂剂生长了Ga 相似文献
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开发了用于固体激光器源的810nmAlGaAs/GaAs近红外半导体激光器,与通用半导体激光器相比,它扩大带宽及加长了振荡器,希望提高COD水平和降低热损耗,能进行1W大功率工作。还开发了780、805和830nm的100mW大功率激光器。这些激光器为降低成本,可以用廉价的Х9标准组件,这些半导体激光器适用于各种分析仪器和测量仪的光源。 相似文献
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高质量GaAs—AlGaAs材料MBE生长研究及其应用 总被引:2,自引:1,他引:1
通过对分子束外延中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析,实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学,光学特性的GaAs、AlGaAs单昌材料,实现了75mm大面积范围内的厚度,组分和掺杂等的很好均匀性。研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低值电流密度低内损耗,高量子效率的高质量量子阱激光器外延材料。 相似文献
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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。 相似文献
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GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究 总被引:2,自引:0,他引:2
许兆鹏 《固体电子学研究与进展》1996,16(1):56-63
为研制全集成光开关、微片式激光器等,对GaAs、GaP、InGaAsP、InAIGaAs、AlGaAs等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制InAlGaAs/InAlAs/InAlGaAs微片式激光器,开发了H3PO4/H2O2/H2O薄层腐蚀液和HCl/H2O选择性腐蚀液;为了研制InGaAsP/InP/InGaAsPTbar型光波导,开发了HCl/H3PO4/H2O2薄层腐蚀液和HCl/H2O2选择性腐蚀液;为了研制GaP、InGaP光波导,开发了HCl/HNO3/H2O薄层腐蚀液。它们都具有稳定、重复性好、速率可控、腐蚀后表面形貌好等特点。除此之外,蚀刻成的GaP光波导侧壁平滑无波纹起伏。此种结果尚未见报导。 相似文献