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在超大规模集成电路中,为满足数值孔径为1.35、波长为193nm的光刻曝光系统45nm的成像分辨率要求,设计了一种新型光可变衰减器,用于控制系统的光能透射率,调整曝光能量。该衰减器在光入射角为20°~40°时,衰减面的平均透射率呈线性变化并从95%降低至8%,同时保证其余三个表面的光能损失均低于1%。设计和制作了光可变衰减器的光学薄膜,其基底材料选择熔融石英,膜层材料采用LaF_3和AlF_3。实验测试了光可变衰减器系统性能,测试结果显示该系统的光能透射率在8%~90%范围内连续可调,实验结果满足设计要求。与传统光可变衰减器相比,该系统可调制衰减范围更大,衰减量更稳定,具有一定的应用价值。 相似文献
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一、前言光衰减器是在七十年代后期随着光纤通信发展而发展起来的一种光纤无源器件,其作用是在各种光纤传输系统中代替不同长度的光缆或光纤来对系统进行调整、校正和测量。国内最早问世的光衰减器是1982年本所研制成功的GS825G型固定式光衰减器。但每只固定式光衰减器只有一个固定的衰减量,对于需要经常改变衰减量来进行系统调试和测量的场合就感到很不方便。为此,我们从1983年起又开展了衰减量可以调动的可变式光衰减器的研制。 相似文献
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全光纤热光型可变光衰减器 总被引:10,自引:0,他引:10
根据光纤包层中的倏逝场机制,将具有热光效应的聚合物材料直接覆盖在侧边抛磨光纤上,进行了全光纤热光型可变光衰减器(VOA)的研究.根据理论分析,确定了在侧边抛磨光纤的抛磨区上覆盖材料的折射率与纤芯中光衰减量之间的关系,为选择适当折射率的热光材料提供依据.设计适当的侧边抛磨区,利用先进的轮式侧边抛磨技术,制备了侧边抛磨光纤,以达到最佳可变光衰减效果.采用螺绕电极和优化封装,制作出性能优良的全光纤热光型可变光衰减器.性能测试表明,器件插入损耗小于0.1 dB,衰减范围为0~80 dB,偏振相关损耗小于0.02 dB,背向反射大于70 dB.该方法制作的全光纤热光型可变光衰减器具有可用电驱动调控、可靠性高等优点. 相似文献
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本文应用电路网络传输理论,探讨了T型可变衰减器的衰减值与特性阻抗的符合性理论,按照符合性要求设计T型可变衰减器的串臂、并臂电阻图形,可提高可变衰减器的技术性能。 相似文献
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聚合物热光可变光衰减器 总被引:4,自引:0,他引:4
提出一种旁路结构聚合物热光可变光衰减器 (variable optical attenuator,VOA)的设计 ,采用旁路波导可提高衰减效率并降低串扰 .软件模拟验证 ,无间距旁路 VOA衰减可达 2 8d B,比未加旁路波导的相同结构 VOA增加10 d B,但同时插入损耗增加 0 .3d B,串扰低于 - 4 4 d B,理论功耗为 4 0 m W.采用倒脊形结构研制了原理性的热光聚合物 VOA,测得衰减大于 11d B,相应输入电流为 6 6 m A,具有明显的热光效应 . 相似文献
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设计了一种基于电控可调光衰减器(EVOA)的多通道数字可调光衰减器模块,该模块集成多达32通道的光衰减器,可根据需要灵活进行配置,并采用了通用的I2C通信接口,非常方便和简单地应用于系统设备中.该模块克服了EVOA电压衰减非线性的缺点,衰减精度高,而且保留了EVOA的光学特性. 相似文献
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A polymer‐based planar‐lightwave‐circuit‐type variable optical attenuator (VOA) was fabricated using a hot embossing process. With an optimized one‐step embossing process, forty micro‐channels for the guidance of light were defined on a polymer thin film with an accuracy of ° 0.5 µm. The fabricated polymeric thermo‐optic VOA shows 30 dB attenuation with 110 mW electrical input power at 1.55 µm. The rise and fall times are less than 5 ms. 相似文献
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一种新颖的DC~50GHz低插入相移MMIC可变衰减器 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种新颖的 DC~ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC~ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 ,稳定性好 相似文献
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设计了一种新型的、基于SOI材料的可调谐光衰减器,其调制区采用了独特的双脊型PIN结构,增强了注入电流场与光场的重叠,提高电注入效率.用BPM方法分析了波导结构的传输损耗,用有限元法分析了二维PIN结的电注入特性.结果表明该结构的光衰减器有良好的性能. 相似文献