硅基红外信平面阵列技术的新进展（Ⅱ）

主要介绍以硅为衬底的ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ，ＰｂＳｎＳｅ，ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｂ等红外探测器焦平面阵列的新进展。     

PtSi红外图像传感器与热像仪

叙述了ＰｔＳｉ肖特基势垒红外图像传感器的性能，评述了国内外ＰｔＳｉ红外图像传感器的发展，介绍了ＰｔＳｉ热像仪的应用及其市场。     

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多种传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｎ，ＰｔＳｉ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波，长波红外焦平面阵列的现状及性能参数。     

硅基红外焦平面阵列技术的新进展(Ⅱ)

主要介绍以硅为衬底的ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＰｂＳｎＳｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＩｎＳｂ等红外探测器焦平面阵列的新进展。     

硅基红外焦平面阵列技术的新进展(Ⅰ)

主要介绍以硅为衬底的非本征硅、金属硅化物（Ｐｄ２Ｓｉ，ＰｔＳｉ和ＩｒＳｉ）肖特基势垒红外探测器、ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结内光电发射红外探测器、硅基红外图象传感器、硅微测辐射热计等红外探测器焦平面阵列的新进展     

红外读出电子部件：回顾与展望（上）

休斯公司圣巴巴拉研究中心和休斯技术中心是从七十年代初开始设计和制造第二代读出电子部件的，本文讨论推动这些电路发展的一些因素，如发展过程，存在的问题愉及系统设计等。讨论将从读出部件的单片实施开始一直到比较新的具有较高集成度的混成方法为止。涉及的范围将包括从ＮＭＯＳ或ＰＭＯＳ向ＣＭＯＳ的转变，设计规则的技术的发展，产量，成本以及性能。所有这些都将表明这些发展如何影响读出部件和第二代红外敏感器的，我们还     

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多路传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ、ＩｎＳｂ、ＰｔＳｉ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波、长波红外焦平面阵列的现状及性参数。     

低温低噪声红外前置放大器的计算机辅助设计

通过ＰＳＰＩＣＥ５．０的模型参数提以工具ＰＡＲＴＳ软件，提取并确定了低温低频低噪声双极晶体管的器件模型参数，利用ＰＳＰＩＣＥ５．０对低温红外前置放大器进行了计算机辅助设计和优化，成功地对双极模拟电路进行了温度为１２０Ｋ（－１５３℃）的多种模拟分析。采用ＭＣＭ技术制作出了混合集成低温红外前置放大器，实际电路的ＣＡＴ测试结果与计算机辅助设计结果相吻合。     

1.3μm和1.55μm Si_(1-x)Ge_x波长信号分离器与Si_(1-x)Ge_x/Si应变超晶格探测器的集成

对１．３μｍ和１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器（ＷＳＤ）和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ应变超晶格（ＳＬＳ）红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计．优化结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘＷＳＤ，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５．波导的脊高和腐蚀深度分别为３μｍ和２．６μｍ．对应于λ１＝１．３μｍ和λ２＝１．５５μｍ波长的波导脊宽分别为１１μｍ和８．５μｍ．（２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳＬＳ探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５．探测器的厚度为５５０ｎｍ，由２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成．     

硅基红外焦平面阵列技术的新进展（I）

主要介绍以硅为衬底的非本生硅、金属硅化物肖特基势垒红外探测器，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结内光电发射红外探测器，硅基红外图象传感器、硅微测辐热计等红外探测器焦平面阵列的新进展。     

PtSi薄膜超薄化及连续性研究

减薄膜厚有利于提高ＰｔＳｉ红外探测器的量子效率。本文研究了膜厚减薄工艺对薄膜连续性的影响。用ＸＲＤ观察物相,ＳＥＭ、ＴＥＭ研究薄膜连续性,并给出理论解释,实验表明用混合生长（Ｓ－Ｋ）模式能形成超薄连续薄膜。     

PtSi IRCCD像机对红外太阳光谱的观测

采用PtSi 256×256元IRCCD器件对FeI 1．56μm太阳光谱进行了成功观测。分析认为PtSi 256×256元IRCCD器件及像机可满足观测的要求。对观测进行了计算机模拟,实际观测结果与模拟符合较好。     

Barrier effect of e-beam evaporated tungsten interlayer in Al/W/PtSi metallization layer

The reaction characteristic of Al/PtSi and the effectiveness of W diffusion barrier interlayer in the Al/W/PtSi metallization system are examined. Ideal I-V characteristic and low constant end resistance are obtained in PtSi/n^-Si and PtSi/n⁺Si contact system. However, Al/PtSi/n^-Si and Al/PtSi/n⁺P Si can not stand the sintering for 30 min at 350° C and 400° C, respectively. A new phase, PtAl2, is observed after sintering at 350° C for 15 min. The W diffusion barrier layer is proved to enhance the stability of Al/PtSi. Tungsten layers of 500Å and 1000Å are effective up to 450° C annealing for 1 hr and 500° C for 4 hrs, respectively. A new phase, W₁₂Al, is observed after sintering at 550° C for 15 min.     

X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi 转化,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射（ XRD）、X射线光电子能谱（XPS）微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体（N2和H2）退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明,氢气气氛退火能提高薄膜质量;真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。     

Diffractive Microlens Array Monolithic Integration with PtSi Focal Plane array

Diffractive microlens arrays can completely collect the light at the focal plane and concentrate it into a smaller spot size on the detector plane, the photodetector area can be substantially reduced. Increased gamma radiation hardening and noise reduction result from the decrease in photodetector sensitive area. The diffractive microlens arrays have been designed by considering the correlative optical and processing parameters for PtSi focal plane array. They have been fabricated on the backside of PtSi focal plane array chip by successive photolithography and Ar⁺ ion-beam-etching technique. The alignment of microlens array with PtSi focal plane array was completed by a backside aligner with IR light source. The practical processes and fabrication method are discussed. The performance parameters of PtSi FPA with diffractive microlens array are presented.     

PtSi/p-Si异质薄膜研究的新进展

综述了 Pt Si/p- Si异质薄膜近年来研究的新进展 ,包括 Pt Si/p- Si的制备工艺、相形成与分布、Pt Si/p- Si界面的微结构、价电子结构以及 Pt Si/p- Si肖特基势垒的研究现状 ,并且探讨了 Pt Si/p- Si的发展方向。     

Effect of fluorine incorporation on the thermal stability ofPtSi/Si structure

It was observed that the fluorine incorporation from ion implantation improved the high-temperature stability of a PtSi/Si structure. The optimum implantation energy was determined to be the energy at which the maximum percentage of the as-implanted fluorine ion locates at the PtSi/Si interface region. SIMS analysis shows that the fluorine atom piles up at the PtSi/Si interface. XPS analysis indicates that the fluorine atoms at the PtSi/Si interface are bonded to the silicon atoms in a form of SiF₂ or SiF₃. A fluorine-buffer model is proposed to explain the effect of fluorine incorporation. It is postulated that the Si-F layer acts as a buffer layer to change the PtSi/Si interface energy and preserve the integrity of the silicide layer at high temperature. Fluorinated Schottky junctions were fabricated and the electrical characteristics show that the sustainable process temperature can be improved from 650°C for the unfluorinated junctions to higher than 800°C for the fluorinated junctions     

多孔铂化硅红外探测器技术

采用多孔PtSi结构是提高PtSi探测器量子效率的有效技术途径.介绍了一种高量子效率的PtSi红外探测器,即多孔PtSi红外探测器.叙述了这种探测器的制作方法及器件测试结果,并对测试结果进行了讨论.     

采用两维PtSi CCD的红外成像系统

本文描述了PtSi IRCCD的工作原理、性能、应用及与其它IRCCD器件的比较,着重阐述了采用两维PtSi IRCCD的红外热像仪的有关设计问题。     

Pt／Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反应形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５～２０ｎｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应Ｐｔｓｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０～６００℃快速返火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒接触。