金属－PTC陶瓷复合材料制备工艺及机理的研究

金属－ＰＴＣ陶瓷复合材料是电子功能型的陶瓷基复合材料［１］．本文介绍了Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ－ＰＴＣ陶瓷复合材料的制备方法，测定了材料的阻温特性，讨论了样品的ＮＴＣ现象及阻温特性机理．     

铬/PTC陶瓷复合材料研究

本文研究了以ＢａＴｉＯ３为基的铬／ＰＴＣ陶瓷复合材料的配方、制备工艺、组成结构对其性能的影响。在一定配方及工艺条件下,获得的铬／ＰＴＣ陶瓷复合材料具有低的室温电阻率和ＰＴＣ特性,并探讨了复合材料阻温特性的微观机理。     

掺锰钛酸钡PTC陶瓷的制备工艺及其阻温特性研究

着重研究了掺锰钛酸钡ＰＴＣ陶瓷复合材料的优化制备工艺，测试不同掺锰浓度样口的阻温特性，分析掺锰浓度和测试电阻频率对材料阻温特性的影响，应用Ｗ．ＨｅｙＷａｎｇ模型说明高掺杂，高测试电场频率和低掺杂，低测试电场频率处阻温特性曲线中出现的电阻率双峰现象。     

化学均匀性对PTCR陶瓷材料阻温系数α的影响

本文研究了两种不同化学组成均匀性的ＰＴＣＲ陶瓷材料晶相转变特性和电容－温度关系，初步探究了化学组成均匀性对于ＰＴＣＲ陶瓷材料阻温系数α的影响关系，结果表明；提高ＰＴＣＲ陶瓷材料的化学组成均匀性，可以使其晶相转变温区变窄以及电容随温度变化陡度增大，从面导致了ＰＴＣＲ陶瓷材料阻温系数的增大。     

相变扩张对低阻值PTC材料阻温特性的影响

本文研究了载流子迁移率和相变扩张对低阻值ＰＴＣ材料阻温特性的影响，指出常温电阻率很低（２５Ω，ｃｍ左右）的ＢａＴｉＯ＿３ＰＴＣ材料的阻温关系中产生反常规象的原因，是施主电离能较低以及材料的相变扩张。同时，常温电阻率很低的ＰＴＣ材料，其升阻比也难以做得较高。     

掺杂V2O3系PTC陶瓷的研究及进展

简要介绍了掺杂Ｖ２Ｏ３中的Ｍ－Ｉ相变以及相关ＰＴＣ特性，综述了国内外掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的研究现状，论述了近期在掺杂体系、淬冷处理工艺和金属添加剂等方面的研究进展，并展望了掺杂Ｖ２Ｏ３系ＰＴＣ陶瓷的应用前景。     

铜离子注入对半导体BaTiO3陶瓷PTCR特性的影响

应用阻抗谱，结合阻温特性测量分析铜离子注入（１１０ＫｅＶ，６×１０＾１５和１×１０＾１７ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２）半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷的ＰＴＣＲ特性。结果表明，注入剂量较低时，可以提高材料的ＰＴＣＲ效应。认为注入的铜离子以Ｃｕ＾２＋和Ｃｕ＾＋同时存在于ＢａＴｉＯ３材料晶界处并发生电子转移，起着电子陷阱作用。     

掺锰钛酸钡PTC陶瓷复合材料介电特性的研究

应用标准的陶瓷制备工艺制备掺锰钛酸钡ＰＴＣ陶瓷复合材料，在不同电场频率下测试样品的相对介电常数－温度特性，发现当温度高于居里点后，开始不同掺锰浓度样品的相对介电常数随温升级慢变化，到达某特殊温度时，出现异常跃升；异常跃升的起始温度依赖于掺杂浓度和测试电场频率，其峰值随测试电场频率的降低而增大。通过分析相关的物理过程应用离子极化理论对测试结果进行讨论。     

TiO2对Y掺杂PTCR陶瓷材料性能的影响

本文对ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒状况和纯度对Ｙ＾３＋掺杂ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣＲ材料的显微结构、电性能的影响作了探讨，结果表明，ＴｉＯ２原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到ＰＴＣＲ陶瓷的显微结构，ＴｉＯ２原料的晶型对ＰＴＣＲ陶瓷半导化过程有影响，原料存在杂质和团聚，将使ＰＴＣＲ陶瓷的电阻－温度特性变差。     

BaTiO3 PTCR陶瓷阻温系数的研究

本文以Ｈｅｙｗａｎｇ模型为基础，分析了影响ＢａＴｉＯ３ＰＴＣＲ陶瓷阻温系数α的主要因素，并给出了解析关系，各参数的测量结果与该关系基本相符。     

成核剂对聚乙烯／炭黑复合物的形态及PTC特性的 …

借助ＷＡＸＤ、ＳＡＸＳ、ＤＳＣ等手段研究了成核剂的引入对聚乙烯／炭黑导电复合体系的结晶行为、取信态结构的大尺寸效应及ＰＴＣ特性的影响。结果表明,成核剂的引入对度的影响不大,但却使行基体的微昌尺寸、长周期为小;从而改善了导电复的的ＰＴＣ特性,提高了材料的开关性能,并改善了阻－温曲线的重复稳定性。     

复合X7R多层陶瓷电容器

介电常数Ｋ高于 ７２００的、具有满足 Ｘ７Ｒ（－５５～１２５℃,±１５％）规范要求的低烧复合多层陶瓷电容器（ＣＭＬＣＣｓ）已经研制成功．该电容器是由四种具有不同介温特性的ＰＭＮ－ＰＮＮ－ＰＴ和ＰＭＮ－ＰＴ体系的瓷介质膜片按一定布局复合构成．其内部显微结构良好．本研究表明,采用不同材料共烧以得到具有优良性能的片式元件是可行的．     

基料对聚乙烯/炭黑复合材料PTC特性的影响

研究了基料对聚乙烯／炭黑复合材料ＰＴＣ特性的影响。试验表明，３种不同聚乙烯作为基料时，复合材料ＰＴＣ特性存在差异的原因是其结构上的差异所造成的。炭黑与聚乙烯分子的相互作用对ＰＴＣ特性的热重复性有重要影响     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Ｓｒ_０．４Ｐｂ_０．６ＴｉＯ_３半导体陶瓷元件,其阻温特性具有独特的ＮＴＣＲ和ＰＴＣＲ复合效应,陶瓷室温电阻率及居里点以下的ＮＴＣＲ效应随着烧结温度的升高而提高,适当过量ＰｂＯ则能降低陶瓷室温电阻率及其ＮＴＣＲ效应．利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＥＤＳ分别对样品的相结构、形貌及成份分布等进行分析,结果显示晶界中的Ｓｒ,Ｔｉ含量相对较高,而Ｐｂ含量相对较低,材料的阻温特性明显受其影响．铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现ＮＴＣＲ效应的主要原因之一,同时探讨了Ｙ^３＋离子掺杂（Ｓｒ,Ｐｂ）ＴｉＯ_３陶瓷的半导化机理和热敏特性．     

基料对聚乙烯／碳黑复合材料PTC特性的影响

研究了基料对聚乙烯／炭黑复合材料ＰＴＣ特性的影响。试验表明，３种不同聚乙烯作为基料时复合材料ＰＴＣ特性存在差异的原因是其结构上的差所造成的。     

掺Nd的（Sr,Pb）TiO3陶瓷的热敏特性研究

研究了用固相法制备的掺（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷的热敏特性。结果表明，掺Ｎｄ的（Ｓｉ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷具有良好的ＮＴＣ－ＰＴＣ复合热敏特性，主要参数：Ｔｃ＝１２３℃，ｐＲＴ＝１５０Ωｃｍ，ｐｍｉｎ＝１５．４４Ωｃｍ，α（－）５０＝－３．０６％／℃，α（＋）５０＝７．５７％／℃，降阻后材料仍为典型的ＡＢＯ３型钙肽矿结构；Ｎｄ＾３＋一部分以施主形式进入Ａ位，一部分仍以Ｎｄ２Ｏ３的形式残留在试样中。Ｓ     

金属填充PTFE复合材料的摩擦磨损性能研究

利用ＭＨＫ－５００型环块磨损实验机,对金属Ｃｕ、ｐｂ及Ｎｉ填充改性的ＰＴＥＦＥ复合材料在干摩擦条件下与ＧＣｒ１５轴承钢对摩时的摩擦磨损性能进行了系统研究,并利用ＪＥＭ－１２００ＥＸ／Ｓ分析电子显微镜和光学显微镜对ＰＴＥＥ复合材料的磨屑及摩擦磨损表面进行了考察。摩擦磨损实验的结果表明,金属填料Ｃｕ、Ｐｂ及Ｎｉ大大改善了ＰＴＦＥ复合材料的耐磨性,ＰＴＦＥ复合材料的磨损量比纯ＰＴＦＥ降低了１－２个数量级     

BaTiO3基PTCR陶瓷的复阻抗谱研究

采用复阻抗方法,系统地研究了ＢａＴｉＯ_３基ＰＴＣＲ陶瓷的电性能．通过Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ图,计算了样品的晶粒、晶界电阻值和弛豫时间常数,同时利用Ｈｅｙｗａｎｇ模型估算了势垒高度．Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ图分析表明,随着测试温度的提高,Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ圆将从单半圆向双扭线过渡,表明在居里温度附近,由于热激活出现了不同的缺陷类型．实验结果表明了ＰＴＣ效应是一种晶界效应,晶粒电阻随温度的变化呈ＮＴＣ特性,而晶界电阻却呈明显的ＰＴＣ特性．Ｈｅｙｗａｎｇ模型作为经典的理论模型,经过不断的完善,至今仍能对陶瓷材料ＰＴＣ现象的宏观机制做出明确的解析。     

Fe—Ni—Cr合金等表面等离子喷涂氧化铝陶瓷涂层的阻氢性能

采用等离子喷涂，气相热充氢等技术研究了在Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ合金表面喷涂氧化铝陶瓷涂层对其阻氢性能的影响。结果表明，氧化铝陶瓷涂层使Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｒ合金的阻氢性能明显提高，且白氧化铝陶瓷涂层较灰氧化铝涂层的阻氢效果好。     

YF3掺杂钛酸钡半导体材料特性研究

在不同气氛下制备了ＹＦ３掺杂钛酸钡材料,并对其电阻的正温度系数特性进行了研究。借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＸＲＦ、阻温特性测试仪和阻抗分析仪,研究了不同处理气氛对ＹＦ３掺杂肽到钡材料结构和性能的影响。研究结果表明,在空气和在氩气中烧结的ＹＦ３掺杂钛酸钡材料都是Ｎ型半导体,其中Ｙ取代Ａ位,Ｆ取代Ｏ位,并对在氢气氛中烧结的ＹＦ３掺杂钛酸钡材料还观察到了不同的ＰＴＣＲ效应。这种ＰＴＣＲ效应的产生可能是由于存在新的取代机制－－Ｏ位取代的半导化机制引起的。