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研究了硫酸/盐酸比例、温度和Al^3 含量对高纯铝箔隧道孔生长的影响,发现随着硫酸浓度增加,温度对隧道.孔极限长度和孔径的影响减小,在本文条件下隧道孔生长的临界温度最低可降低到35℃。在电解液中一定含量的Al^3 可以避免铝箔表面形成大孔,从而改善隧道孔分布均匀性。 相似文献
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为了探讨电子铝箔经直流电腐蚀后形成隧道孔的生长机理,进一步提高电子铝箔的腐蚀工艺水平,研究了200微米HEC光箔的极限长度在硫酸浓度、温度、二级腐蚀等条件下的影响。发现只改变一级硫酸浓度而不经过二级腐蚀,隧道孔的极限生长有限,不能贯穿整个夹芯层,这可能是光箔成分和立方织构影响蚀孔的生长方向。在不添加硫酸的条件下温度对极限长度的影响非常小,低于70℃下甚至不生长隧道孔,所形成的夹芯层非常厚。而经过0.8 mol/L游离酸的二级腐蚀,隧道孔径向生长可以贯穿整个夹芯层。 相似文献
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《电子元件与材料》2015,(12):48-52
在盐酸-硫酸-硝酸电解质体系下,分別加入微量Cu~(2+)、Fe~(3+)、Zn~(2+)等金属离子,并采用直流方式对高纯铝箔进行电化学侵蚀,研究了改性后的电解质溶液对高纯铝箔电蚀过程的影响。结果表明:在硫酸-盐酸-硝酸电解体系中加入微量Cu~(2+)后,能够和铝发生置换反应生成铜单质沉积在铝箔表面,形成Cu-Al微电池反应,促进铝箔腐蚀,隧道孔密度增大,隧道孔长度从10μm增长到30μm,220V化成的比容提高了78%-220%;加入Fe~(3+)后,不能形成微电池反应,对铝箔腐蚀没有明显影响;加入Zn~(2+)后,能够形成Zn-Al微电池反应,促进铝箔腐蚀,但促进效果弱于加入Cu~(2+)。 相似文献
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电子铝箔电解腐蚀隧道孔极限长度的控制机理 总被引:1,自引:1,他引:0
通过测试电子铝箔在HCl-AlCl3中阳极极化曲线和电解腐蚀隧道孔的极限长度,发现了隧道孔的极限长度llim与铝箔的点蚀电位与自腐蚀电位的差值ΔE存在相关性,导出了隧道孔生长的动力学公式以及?E与llim的线性关系式,表明通过测试ΔE可以判断llim的变化趋势,为研究新型发孔液提供了一种简便的途径。 相似文献
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缓蚀剂对提高腐蚀箔比容的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,在扩孔液中分别加入乙酸、丙酸和乙二酸作为缓蚀剂,结合SEM分析对缓蚀剂在腐蚀扩孔中的缓蚀机理进行了探讨,研究了直流电侵蚀时缓蚀剂对腐蚀箔比容的影响。结果表明:缓蚀剂的引入提高了腐蚀箔比容,当乙酸、丙酸和乙二酸三种缓蚀剂的质量浓度ρ增加到0.5g/L时,所制腐蚀箔比容达到最大值,分别为1.10×10~(–6),1.07×10~(–6)和1.12×10~(–6)F/cm~2。乙二酸的缓蚀效果最好,可使腐蚀箔的比容提高25%以上。 相似文献
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电容器铝箔交流腐蚀过程中腐蚀膜形成条件分析 总被引:3,自引:2,他引:1
交流电解腐蚀扩面技术是低压铝电解电容器小型化的关键。分析了电极铝箔在盐酸溶液中交流负半周液相传质过程及交流电频率对电极表面几何结构的影响,结果表明,如果本体盐酸浓度c0,外加阴极电流密度iappl和交流电的频率f满足:{c0}mol·L-1/{iappl}A·cm-2≤587{f}Hz·({f}Hz+10.4)-2,则Al3+就可能沉淀形成腐蚀膜。控制盐酸浓度,阴极电流密度和交流电频率可改善腐蚀膜品质。 相似文献
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采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,硝酸溶液作后处理液,结合SEM分析,探讨了硝酸后处理在阳极箔表面的清洗机理,研究了直流电侵蚀后,硝酸后处理对阳极箔比容的影响。结果表明:在硝酸溶液温度为65℃、清洗时间为250 s的条件下,阳极箔比容随着硝酸质量浓度的增加而增加,当硝酸质量浓度增至35 g/L时,阳极箔比容达到最大值0.70×10–6 F/cm2。硝酸质量浓度继续增加,阳极箔比容逐渐减小。最佳后处理参数为:硝酸质量浓度为35 g/L,处理温度为65℃,清洗时间为250 s。 相似文献
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为了降低MOCVD外延生长Si基GaN的缺陷密度,尝试引入超品格插入层.界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错.即使超晶格本身也产生位错,但位错的产生率比阻挡率低,所以超晶格总体起阻挡作用,可以减少后续生长的 HT-GaN(高温氮化镓)的位错密度.研究了超晶格厚度对 HT-GaN 的位错密度的影响.比较了超晶格厚度不同的3个样品,并采用高分辨双晶X射线衍射(DCXRD)对CaN进行结晶质量的分析,分别用 H3PO4 H2SO4 混合溶液和熔融 KOH 对样品进行腐蚀并用扫描电子显微镜(SEM)对腐蚀的样品进行观察.用 H3PO4 H2SO4 腐蚀过的样品比用KOH 腐蚀过的样品的位错密度大,进一步验证了之前有报道过的 H3PO4 H2SO4 溶液同时腐蚀螺位错和混合位错而 KOH只腐蚀螺位错.分析结果表明.引入适当厚度的超晶格插入层,可以有效地降低后续生长的 GaN 的位错密度. 相似文献
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缓蚀剂在高压阳极箔电解扩孔中的作用机理 总被引:1,自引:0,他引:1
将高压阳极发孔铝箔在70℃、质量分数为3%的硝酸液中阳极电解扩孔,研究了添加大分子缓蚀剂聚苯乙烯磺酸(PSSA)后高压阳极箔的腐蚀机理。结果显示:添加PSSA后,腐蚀箔减薄量明显降低,质量损失率减小,并孔率降低,520 V化成的比容提高了约23%。隧道孔由孔口大、孔内小的"锥子"状转变为孔口小、孔内大的"垒球棒"状。铝箔表面的电位显著上升,而隧道孔内的电位基本保持不变,从而证明了,大分子缓蚀剂PSSA提高了铝箔表面和隧道孔口附近的电化学反应的阻力,电流主要分布到孔内,加速了孔内的扩孔过程。 相似文献