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运用XPS和AES研究了PZT膜/Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应;在热处理过程中,气氛中的气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT/Si同旧,并与界面上的硅发生氧化反应形成SiO2界面层。同时基底上的硅通过PZT的缺陷扩散么样品表面形成SiO2表面层。此外,在PZT/Si界面上,Ti的氧化物和Si发生还原反应,形成了TiSix金属硅化物,并残留在PZT膜层和和SiO2界面层中。在PZT膜层内,有 相似文献
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PZT/Si界面氧化反应机理及动力学研究 总被引:1,自引:0,他引:1
运用俄歇电子能谱深度剖析和线形分析研究了PZT/Si界面氧化反应的机理和动力学过程,研究结果表明,在PT/Si样品的热处理过程中,环境气氛中的氧可以透过PZT薄膜层扩散到PT/Si界面,并与硅基底反庆形成SiO2界面层,界面氧化反应由氧在PT层和SiO2层中的扩散过程所控制。 相似文献
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溅射PZT薄膜的晶体结构和快速热处理 总被引:1,自引:0,他引:1
采用常温射频(RF)溅射法和快速热处理相结合的技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上,制备出具有铁电性的PZT薄膜。研究了快速热处理工艺条件对PZT薄膜性能的影响。通过Z射线衍射法、SEM和AES等方法,分析了PZT薄膜的晶体结构、微结构、薄膜和电极间的界面效应。 相似文献
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SiC(w)/TZP+mullite陶瓷复合材料界面和组成设计与力学性能 总被引:2,自引:1,他引:1
本文从理论上分析了SiC(w)TZP+mullite(p)复合材料界面残余热应力及其在基质内的分布规律。提出在SiC(w)表面涂复Al2O3和在PZT中加入mullite(p)联合作用来降低晶须/基质界面残余热应力的界面设计方案,导出SiC(w)和mullite(p)协同补强PZT的匹配条件。制备了SiC(w)/TZP+mullite(p)复合材料并了SiC(w)表面涂层Al2O3厚度和SiC(w 相似文献
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用溶胶-凝胶法制备了PZT压电薄膜,研制了Au/PZT/PT/TiO2/NiTi/Si(100)多层膜结构,用XRD,AFM,TEM-EDX和SAD技术考察了薄膜的表面形貌,相结构演化,以及面的元素分布特性。结果表明:PZT膜与NiTi合金膜的结合良好,稳定;PT层的引入,使无定型PZT薄膜在550℃退火后,转变为钙钛矿结构,降低了晶化温度,并有效地抑制焦碌石相的形成;NiTi薄膜结晶良好;TiO 相似文献
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Al2O3—SiO2—TiO2复合陶瓷薄膜的制备与结构 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用Sol-Gel法制备了Al2O-SiO2-TiO2复合陶瓷薄膜,讨论了主要内容是体系成分(Al:Si:Ti摩尔比)对落膜制备过程及结构的影响。通过分步水解法可以得到稳定的Al2O3-SiO2-TiO2复合溶胶,进而制备复合陶瓷薄膜。组分间的静电作用是溶胶凝结的原因。三组分中,Si/Ti摩尔比是决定溶胶稳定性的主要因素。通过XRD对薄膜的相组成进行了分析,表明复合薄膜由Al4Ti2SiO12 相似文献
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运用XPS和AES研究了Pt扩散阻挡层对PZT薄膜/Si界面休学结构和性能的影响:在PZT薄膜和Si工间增加Pt扩散阻挡层,可以抑制TiCx物种和TiSix物种的形成,促进PZT薄膜的形成反应。Pt扩散阻挡层的存在阻断了氧和Si的相互扩散反应,促进PZT物种形成钙钛矿型晶体结构,使得形成的PT薄膜具有和体相材料相摈 电常数和铁电性能。 相似文献
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医用NiTi合金表面溶胶-凝胶法制备TiO2-SiO2薄膜 总被引:4,自引:0,他引:4
采用溶胶-凝胶法在NiTi形状记忆合金表面制备了TiO2-SiO2复合薄膜,在提高医用NiTi合金的抗腐蚀性方面,收到了显著的效果.运用电化学方法对不同组成的TiO2-SiO2薄膜在模拟体液中的腐蚀行为进行了研究,结果表明,随薄膜中 Ti/Si比的增加,TiO2-SiO2薄膜的抗腐蚀性增强.划痕试验表明 TiO2-SiO2(Ti/Si=4:1)膜与NiTi合金基体具有较高的界面结合强度.用原子力显微镜(AFM)对TiO2-SiO2薄膜的表面形貌及表面粗糙度进行观察和分析,解释并讨论了TiO2-SiO2薄膜的配方组成与其抗腐蚀性的关系,SiO2含量较少时,薄膜结构致密,膜层均匀平滑,且膜基结合力好,作为医用NiTi合金的表面保护层,可以使其耐腐蚀性有显著提高. 相似文献
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用离子束溅射法制备了具有反常光吸收特性的纳米颗粒Cu/SiO2复合薄膜,获得了在离子束参数一定时,基片温度、膜料的沉积时间和镀膜后的保温时间等工艺参数对这种薄膜结构和光学特性的影响规律,并对纳米颗粒Cu/SiO2复合薄膜的反常光吸收特性作了计算和解释。 相似文献
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利用俄歇电子能谱研究了Cr/SiO2薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反庆产物。研究结果表明,Cr/SiO2体系的界面还原反应主要是Cr与Si2的反应,其还原反应产物是CrSi和Cr2O2物种。界面还原反 速度与反应时间的平方根成正比,其界面还原反应过程受Cr向Si2层的扩散过程所控制,界面还原反应的表观活化能力为72.5kJ/mol(约0.75eV)。 相似文献
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用低能双离子束淀积技术,在清洁的Si衬底上外延生长出了CeO2/Si异质结构。利用俄歇电子能谱,X射线光电子能谱的深度剖析技术对此类样品进行了测量分析。结果表明,样品界面清晰、陡峭,无氧化硅生成,这反映了外延层Si衬底间过渡区很窄;外延层内组成元素Ce,O分布均匀,为正化学比CeO2相。 相似文献