低碳位错马氏体中的局部孪晶

在位错型低碳马氏体中观察到孪晶亚结构已有一些报导,但是低碳位错马氏体中孪晶的形成原因、形貌特征与影响因素尚未深入研究。本文研究了Ms温度260—430℃五种低碳马氏体中李晶的形态、数量与形成原因。试验取用的最高淬火速率为11280℃/秒,五种材料均存在含有孪晶的马氏体数量(简称孪晶数量)随淬火速率增加递增的变化规律,其中M_s温度最高的20钢低于一定淬火速率时孪晶消失。淬火速率相同时,孪晶数量随Ms温度降低而增加。李晶的形态随Ms温度及化学成分变化,Ms温度高于300℃低碳马氏体(20,15MnB、18CrMnTi,18Cr_2Ni4W)中存在的少量孪晶一般是位错马氏体中的局部孪晶,孪晶往往沿板条界分布,孪晶短而厚呈笋状或透镜状(见图)。Ms温度低于300℃的25SiMn_2CrNiMoV的弯晶细长平直呈典型的孪晶形态,而且往往     

分段退火工艺对PZT薄膜结晶和铁电性能的影响

快速退火(RTA,rapid thermal annealing)工艺的升温速率高,可以在很短的时间(1 min)内升到PZT薄膜的晶化温度,缩短薄膜的晶化时间,有利于降低升温过程中氧化铅的挥发损失,减少过渡层Ti原子的扩散。但是因为热处理时间太短,RTA在控制薄膜残余应力和薄膜的取向生长方面存在着不足。设计分段RTA工艺来控制薄膜生长的结晶取向,采用XRD和SEM对PZT薄膜微观结构进行分析,结果表明:分段RTA工艺能够获得结晶性能和铁电性能良好的(111)择优取向的PZT薄膜,650℃是形核阶段最佳退火温度,600℃是晶粒生长阶段最佳温度,二次退火工艺可以促进薄膜晶化完全。     

PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响

研究通过等离子增强原子层沉积(PEALD)在不同沉积温度下生长的AlN温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉积温度下分别沉积了200、500、800、1 000、1 500周期的AlN层,并讨论了AlN薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明,在300~370℃范围内,随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加,而薄膜表面粗糙度减小。     

InP 的合成晶体生长及特性

本文提出了 InP 的合成和晶体生长的结果。合成是通过高压梯度冷凝法完成的,单晶生长则用 LEC 技术,对实验生长条件,即温度梯度和氧化硼含水量进行了讨论。根据这些实验结果,在〈111〉和〈100〉晶向已生长出非掺杂(N_D-N_A<10~(16)cm~(-3)),掺 Sn(10~(17)相似文献   

脉冲ArF准分子激光淀积SiC/Si(100)薄膜的最佳晶化温度及光致发光

用脉冲 Ar F准分子激光熔蚀 Si C陶瓷靶 ,在 80 0℃ Si(10 0 )衬底上淀积 Si C薄膜 ,经不同温度真空 (10 - 3Pa)退火后 ,用 FTIR、XRD、TEM、XPS、PL 谱等分析方法 ,研究了薄膜最佳晶化温度及表面形态、结构、组成 ,并对在最佳退火温度处理后的样品进行了化学态、微结构及光致发光的研究 .结果表明 ,在 Si(10 0 )上 80 0℃淀积的样品为非晶Si C薄膜 .经 85 0— 10 5 0℃不同温度真空退火后 ,Si C薄膜经非晶核化 -长大过程 ,在 980℃完成最佳晶化 .随退火温度的变化 ,薄膜中可能存在 3C- Si C与 6 H- Si C的竞争生长或 /和 3C- Si C相的长、消 (最佳温度     

倍频器相位变化的测量

本文给出了原子频标中的一种倍频线路。作者设计了相位测量系统和单边带多周期测量系统。用这些系统测定了倍频器的相位漂移和相位噪声。测量表明,温度从30℃升至50℃时,×18倍频器的90MHz输出的相位变化为14°;电源电压从20V升至22V时,相位变化为4.7°;取样时间τ=1s时,倍频器6840MHz输出由相位噪声引起的频率误差σ_τ=1.1×10~(-12),τ=10s时,σ_τ=3.9×10~(-13)。     

利用垂直热壁CVD法快速生长高质量的4H-SiC同质外延膜

利用新改进的垂直低压热壁CVD 设备,应用TCS 和C2H4 分别作为Si 源和C 源,在偏8°晶向的4H-SiC 衬底上生长出了高质量的外延膜。当生长温度在1500℃到1530℃之间时,生长速率达到了25-30μm/h。50μm 厚的外延膜（生长2 小时）的结晶质量和表面粗糙度和薄的外延膜（生长30 分钟）相比均没有发生恶化。外延膜的背景掺杂浓度下降到了2.13×1015cm-3。另外,本文还研究了C/Si 对生长速率和外延膜结晶质量的影响。     

可控电参数低位错InP单晶生长及性质研究

本文详细介绍了用 LEC 法生长 InP 单晶时,利用“热场杂质效应”生长出载流子浓度在1～30×10~(17)cm~(-3)范围内可控,位错密度为0～10~4cm~(-2)、直径≤40mm 的 InP 单晶。得到一种显示固液界面的新方法。论证了构成位错蚀坑晶面的空间取向,计算出有孪晶出现时,寄生晶体的生长方向偏离〈111〉方向38°56′,寄生生长面为{115}面。     

Ti—644合金不同固溶制度下组织与阻尼性能

Ti-644合金成份为Ti-6Al-4V-4Mo,是一种新型高阻尼性能铸态合金。铸态时组织为α相成集束与β相成网格状相混合存在。合金750～950℃固溶水淬时阻尼性能见图1。由电镜对不同固溶温度下组织观察表明:750℃固溶水淬后部分卢β→α′粗马氏体片,此时合金组织为α+α′+β_残。800℃固溶水淬后在α′马氏体片上析出了细针状α″相,见图2,α和与α′相上出现了孪晶。随着固溶温度的升高α″相析出量增加、针变粗、α与α′相上的孪晶数量也增加。到950℃时α相消失转变成稳定的β相。这时合金组织仅剩少量粗大的α″针,孪晶基本消失。     

聚合物前驱体法制备CTNA陶瓷及其性能

采用DSC-TGA、XRD和SEM对聚合物前驱体法制备的0.7CaTiO_3-0.3NdAlO_3(CTNA)陶瓷粉末进行了分析。结果表明:经550℃预烧后的粉末为无定形态;但是当预烧温度提高到600℃时,形成了钙钛矿结构的CTNA单相。这表明CTNA晶相是未经中间相而直接从无定形态的前驱体中结晶形成。与传统固相反应法相比,合成温度从1300℃大幅下降到600℃。经900℃预烧,1375℃烧结的样品,其εr为43.3,Q·f为34862GHz,τf为1.4×10–6℃~(–1)。     

生长温度对4HN-SiC同质外延层表面缺陷的影响

采用化学气相沉积(CVD)的方法在直径100 mm4°偏角衬底上生长4HN-SiC同质外延片,研究工艺生长温度对外延层表面缺陷的影响,并使用金相显微镜、表面缺陷测试设备、汞探针和红外膜厚仪进行分析和表征。结果表明,工艺生长温度由1 550℃增加到1 620℃,外延层表面的三角形缺陷密度可降低至0.39 cm~(-2);但随着工艺生长温度的增加,导致外延层边缘的台阶聚集数量和长度也急剧增加。在高生长温度下,外延层表面三角缺陷减少以及边缘台阶聚集增加的原因为:一是衬底表面原子迁移率的增加,减少了衬底表面2D生长;二是硅原子的气相成核受到抑制;三是〈1100〉和〈1120〉方向横向生长速率的差异加剧。综上结果,采用1 550℃生长工艺可在高生长速率下制备厚度均匀性和掺杂浓度均匀性分别为1.44%和1.92%的高质量4HN-SiC同质外延片。     

HVPE法生长AlN薄膜材料

利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而在分别采用Ar和N2作载气的情况下,则成功生长出AlN薄膜,但由于生长温度低,AlN生长均为岛状生长模式。在生长速率较快时,AlN薄膜是以〈0001〉AlN为主的AlN多晶;而在较低生长速率下,得到的AlN薄膜由为〈0001〉取向的AlN岛组成。试验还发现:用Ar作载气更有利于AlN晶核的横向生长,用N2作载气则有相对高得多的AlN成核密度。     

用激光衍射计量技术对CdTe单晶生长的研究

本文首次把激光衍射计量技术应用到晶体的高温气相生长动力学的研究工作中来.在闭管无籽晶升华法制备CdTe单晶的实验过程中,实时、连续、精确地测定了生长速率,并讨论了生长速率随过饱和度(△T)及生长时间的变化关系.实验测试精度达 10~(-6)m/s.     

Ti-25 Nb-25 Ta合金拉伸变形过程中｛332｝〈113〉变形孪晶的EBSD研究

本文利用EBSD技术对亚稳β型Ti?25Nb?25Ta合金室温拉伸变形过程中｛332｝〈113〉变形孪晶的演变趋势及交叉现象进行了研究。结果表明：随着变形量的增大，孪晶宽度不断增加，孪晶形态由变形初期的平直细条带状逐渐变为宽窄不一的条带状，至变形末期部分孪晶呈破碎状，孪晶界严重扭曲变形。多数晶粒内产生两种以上｛332｝〈113〉孪晶变体，部分孪晶能穿越晶界继续生长，某些初次孪晶内部有二次｛332｝〈113〉孪晶产生。不同变体孪晶间易发生交叉现象。不同｛332｝〈113〉孪晶变体的交叉作用导致交叉区域出现较大的局部晶格畸变，晶格畸变主要集中于孪晶内部，且交叉界面处的晶格畸变程度最为严重。交叉作用的结果是交叉区域的晶体相对于不同孪晶变体和基体的取向都发生一定程度的改变。     

1053 nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性

制备了一种新型的具有高调制带宽的1 053 nm超辐射发光二极管(SLD).利用光荧光(PL)测试分析了不同温度、不同生长速率对SLD芯片外延材料质量的影响,优化了In Ga As/Ga As量子阱的生长温度与生长速率.分析了SLD模块的光电特性随温度与注入电流的变化关系.研究结果表明,SLD输出波长随温度的漂移系数为0.35 nm/℃,其输出波长随注入电流的漂移对温度并不敏感.在25℃、100 m A注入电流下SLD的-3 d B调制带宽达到1.7 GHz,尾纤输出功率2.5 m W,相应的光谱半宽为24 nm,光谱波纹为0.15 d B.     

注磷InSb的光学性质

本文用光学方法对注磷InSb进行了研究,所采用的实验技术包括:(1)光子能量低于能带间隙的光吸收;(2)电反射光谱。用于实验测量的InSb晶体用切克劳斯基方法生长,所有样品为N型,纯度较高,晶向为〈111〉。它们经过研磨、机械抛光和化学机械抛光,最后经过化学腐蚀,获得高质量的光学表面。注磷的能量为200keV,剂量为10~(12)～10~(14)cm~(-2),InSb的温度为室温。光吸收和电     

P型锗中光子牵引效应

用选支连续波CO_2激光,在20-300K温度范围,测量了8 ×10~(14)-2 ×10~(15)cm~(-3)载流子浓度,<100>、<110>和<111>晶向的P-Ge中光子牵引的极性反转和各向异性效应.结果表明:80—300K,P-Ge中横向光子牵引电压与温度关系不大,而纵向光子牵引电压随温度变化显著,并发生电压极性的反转,反转温度T_o与杂质浓度、晶向有关,相同杂质浓度下,T_(o[100]M)     

Ni顺—1,4—聚丁二烯结晶的形态结构

以镍为催化剂,定向聚合得到的顺—1,4—聚丁二烯(Ni—PB)具有较好的分子结构规整性。在适当的低温下,极易结晶。本文详细讨论了Ni—PB的溶胶及凝胶对低温结晶成核及生长的影响。采用燕山石化总公司,胜利化工厂生产的Ni—PB为样品。各样品的顺式含量均在92—96%之间。将0.5%Ni—PB甲苯溶液,在甘油表面上成膜、蒸馏水清洗后,捞在电镜载网上。经-30℃下不同时间结晶后,用OsO_4固定。在H—500型电镜下观察。 Ni—PB在-30℃下结晶的TEM照片给出可以得到尺寸为几+μm的球晶。其生长速率为1μm/min。对于凝胶含量较小的试样,结晶诱导期较长,晶核为单个片层或片层束(图a)。在片层的生长过程中,首先形成宽约为1000—2000A的界面不十分清晰的白色区,为预结晶区。进一步结晶,排列为规整的,有清晰界面的片层。如     

压力下隧道管的电流性质

<正> 隧道二极管的伏-安特性是由带间隧道电流、剩余电流、热电流构成的.对应于这些电流,电子需穿过的位垒都与禁带宽有关,本征锗不同导带谷(L_1,Γ_2~＇,△_1),与价带顶Γ_(25)~＇。构成的禁带宽随压力改变的速率是不一样的,分别为:dE_L_1/dp=5 ×10~(-6),dE_I_2~＇/dp=     

SOS膜横断面的电子显微镜研究

本文叙述用高温氢退火处理提高SoS膜的结晶质量的实验结.SOS膜的光吸收因子F_A值在氢退火温度920～1020℃,4.5小时下可下降20～30%,达到126×10~6cm~(-2).SOS膜横断面电镜观察证明,SOS膜结晶质量的改善是与界面附近微孪晶、层错等缺陷的减少有关.