应变硅pMOS晶体管沟道应变的有限元研究

通过有限元方法,研究了一种采用SiGe源漏结构的pMOS晶体管中硅沟道的应变及其分布情况,模拟计算结果与利用会聚束电子衍射方法测量得到的数据能够较好地吻合,验证了模拟模型及方法的正确性。结果表明:提高源漏SiGe中的Ge组分、减小源漏间距、增加源漏的刻蚀深度和抬高高度,能有效增加沟道的应变量,为通过控制应变改善载流子迁移率提供了设计依据。     

光纤光栅应变传感器二维应变测量方法

文章介绍了光纤光栅二维应力传感测量的试验台的准备、光纤光栅的制备、光纤光栅的粘贴、实验仪器、实验过程、光纤光栅测量应变与电阻应变片的测量结果作对比。实验结果说明利用光纤光栅应变花可以得出与电阻应变花一致的结果。     

光缆应变测量

本文从理论上对光缆受力应变的情况进行了分析，对应变测量的实验装置，光缆样品作了简要介绍。实验结果表明，在光缆受到拉伸时，缆中光纤首先没有受到拉伸，只有在缆的应变超过余长值后，光纤才开始有应变。缆的应变和拉力的大小有线性关系。光缆样品在受到长期拉力时，光纤中的光功率变化和应变几乎为零，光缆样品受到短期拉力时，光纤中的光功率的变化最大为０．０２３ｄＢ，光纤的应变最大为０．０１２％。     

带有非应变盖层的应变外延层的稳定性

本文利用连续介质模型讨论了有盖层的应变外延层的稳定性．针对目前的单扭结和双扭结模型中净作用力和净应力相互独立、不能统一的缺点,本文提出了一种混合扭结模型,即在盖层小于某值时,应变外延层中的应变由在上下界面的位错对和处于下界面上的单位错共同释放．从我们的公式出发,也可以导出单扭结和双扭结模型的净作用力和净应力的公式,从而使单双扭结模型统一起来．而且我们的公式可以用于描述盖层为任意厚度时的状况,这对于描述外延层的生长过程中的应力应变变化都有重要的意义．本文还从此模型出发计算了盖层为任意厚度时应变层的临界厚度     

基于光纤光栅应变花的平面应变状态实验分析

提出并实现了直角与三角形两种光纤光栅(FBG)应变花方案,分别由在1根光纤上实现准分布的3个FBG制成。将之粘贴存等强度梁上,判断主应变方向及大小,研究其平面应变测量性能。试验结果显示,测量主应变方向同实际方向符合,两种应变花测量结果一致。     

一种新颖的基于预应变技术的光纤光栅应变温度传感器

报道了采用预应变技术制作的一种结构简便而新颖实用的光纤光栅传感探头及其对温度和应变的响应特性。该方法能使一根光纤光栅产生两个以上的反射峰 ,因此能解决温度和应变测量时存在的交叉敏感问题。在测量范围内 ,应变和温度响应曲线具有良好的线性。     

应变测试方法探究

目前,一般的应变测试方法主要有应变片电测法、光弹性法、光纤光栅法及双目立体视觉测量方法等等。应变电测法因其量程大、精度高、灵敏度高、技术成熟等优点而被广泛应用于各种行业领域。本文主要介绍了应变测试的基本原理和管柱应变片的粘贴方案。通过本文的讲解为以后钻井管柱的应变测量打下了一定的基础。     

测量应变的光栅衍射法

综述了用于直接测量应变的光栅衍射方法.给出了利用这种方法的两种系统.第1种系统是1种小型的应变测量显微镜.它是利用所研制的载物和记录系统对白光为光源的莱茨(Leitz)光学透射式显微镜进行改制而成的.所用的光栅是40l/mm到200l/mm之间的中等刻线密度光栅.借助伯特兰(Bertrand)镜头可使光栅的傅里叶谱在CCD探测器平面上形成高质量的图像.而开发的软件能精确、快速和自动地确定衍射光束光斑的中心位置.第2种系统是基于1块高频光栅和2个位敏探测器(PSDs)的一种新型应变探测器.用聚焦激光束照明,位敏探测器贴近样品的表面光栅,通常光栅的频率为1200l/mm.用两个与个人计算机(PC)连接的位敢探测器(PSD)自动测定光栅衍射光束光斑中心位置,同时测定由样品变形产生的衍射光束光斑的位移.应变灵敏度可达1με,(应变量级     

应变硅技术在纳米CMOS中的应用

应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点,且与传统的体硅工艺相兼容,在CMOS工艺中得到广泛地应用,尤其是MOS器件的尺寸进入纳米节点。文章综述了应变硅技术对载流子迁移率影响的机理,并从全局应变和局部应变两个方面介绍了应变硅在CMOS器件中的应用。同时,将多种应变硅技术整合在一起提升MOS器件的性能是未来发展的趋势。     

光缆应变的分析

光缆应变的分析王宏伟（西古光纤光缆有限公司技术部）１引言现行光缆应变的测试方法主要有两种：一种是测量拉伸试验设备中可动导轮的位移，另一种是在光缆受拉段上作标记（ｌｍ），并测试拉伸时该段的伸长。这两种方法本质是一样的。但运用上述两方法，却发现光缆应变的...     

延续摩尔定律的新材料——应变Si

介绍了应变Si材料的需求背景和必要性.阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高.简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析.     

多晶硅应变膜压力传感器

本文研究了多晶硅应变膜压力传感器制作技术,提出了防止多晶硅应变膜变形的工艺条件,研制出了多晶硅应变膜压力传感器。这一技术简单、与IC工艺较为兼容,适合研制集成压力传感器。     

城墙型光纤应变传感器

本文在模体积失配效应与微弯原理的基础上，提出了一种新颖的城墙型式的光纤应变传感器，理论与实验结果表明传感器中传输光功率变化与应变之间近似为线性关系，且其可靠性高，重复性好，无迟滞现象。     

微机在应变测量中的应用

微机在应变测量中的应用，采用上位机和下位机组合方式．上位机为一台ＩＢＭ－ＰＣ／ＸＴ微机，用于对数据进行后处理．下位机以Ｚ８０－ＣＰＵ为控制器，由传感器、转换器、接口及外设等组成数据采集器，实施对应变、压力和位移等参数的采集、显示和打印（即数据的预处理）．上位机和下位机之间的数据传输，采用串行的方式，通过ＲＳ－２３２接口完成．本文主要以应变的采集处理为例，介绍系统功能、硬件配置及软件设计．     

激光焊接薄板的应变测量

激光焊接薄板的应变测量激光束焊接技术由于其工艺、产量和产品的灵活性而进入单件和批量生产，从而使采用传统加工方法制造不了或者只有花很大费用才能制成的对缝焊得以实现。在与薄板加工的联系中已证实激光束焊接可用于特制毛坯制造。特制毛坯是结构元件，它有助于经济...     

应变测量系统误差分析

通过对应变测量系统误差分析，提出了系统测量的误差来源修正及控制误差的方法，供应力应变测量工作者参考。     

片状放大器的应力应变

测量了片状放大器的应力、应变,改进了密封材料及安装方法,找到了一种不产生应力的密封方式.     

厚膜应变电阻的导电机理研究

制备了不同表面电阻率的Ｒｕ基厚膜应变电阻浆料,研究了厚膜应变电阻的表面电阻率与电阻应变系数之间的关系,并对其导电机理与特性进行了分析。     

应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响

采用自组织生长应变量子点的二维轴对称模型,系统分析了量子点内部及周围材料的应变分布.分别对透镜形、圆柱形、圆锥形和金字塔形量子点的应变分布进行了比较.结果表明主应变和切应变的分布受几何形状影响比较明显,静水应变几乎不受几何形状改变的影响,无论是在中心轴路径还是量子点周边路径静水应变基本一致,中心轴路径无切向应变分量,切向应变分量主要集中在量子点的边界,但在量子点几何边界的中心无切向应变,切向应变的极值分布在几何边界的拐点处.     

基于Fabry-Perot光纤应变传感技术的监测系统

介绍了外腔式光纤法布里-珀罗(F-P)应变传感器的基本原理和信号调理技术。设计了基于F-P应变传感技术和虚拟仪器技术的结构应变实时监测系统并应用于桥梁健康监测现场。现场应用结果表明,法布里-珀罗光纤传感器与传统传感器相比具有响应速度快、动静态测量、绝对测量、抗电磁干扰和易于与钢筋、混凝土复合等特点,适用于桥梁等结构的应变测试。所设计的应变监测系统可用于结构健康状态的在线监测。