酞菁锌有机光电三极管的特性解析

采用真空蒸镀与溅射工艺,以酞菁锌(ZnPc)为有源层制备了叠层结构的氧化铟锡(ITO)/ZnPc/铝(Al)/ZnPc/铜(Cu)有机光电三极管.Al与两侧的ZnPc分别成肖特基接触,根据酞菁锌的光吸收特性,对器件在无光与618nm波长光照下进行测试,结果表明三极管表现为明显的不饱和I-V特性,在Vec=3V,Ib=0V时光电流达到1.9×10-5A,显示出良好的光响应特性.     

酞菁铜薄膜光电晶体管的制备与特性

无机光敏器件难于做成大面积光电传感器,且其生产成本高、工艺复杂,而有机光敏器件多采用二极管或平面场效应三极管结构,导致光电流增益小或驱动电压较大.针对这些问题,提出一种新的器件结构.采用真空蒸镀和溅射的方法,制备了结构为氧化铟锡(ITO)/酞菁铜(Cu Pc)/铝(Al)/酞菁铜(Cu Pc)/铜(Cu)的有机光电晶体管.对器件的光电特性进行了测试分析,结果显示晶体管的I-V特性表现出显著的不饱和特性和光敏特性.当发射极集电极偏压为3 V时,器件无光照时电流放大系数为16.5,当625 nm光照射时的电流放大系数为266.2.     

空穴传输层厚度对OLED性能的影响

该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK (0~60nm)/Alq3(60 nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15 nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。     

有机静电感应三极管交流小信号检测电路设计

针对有机静电感应三极管动态特性的检测,设计微电流检测电路.电路的电流检测范围10-9～10-6A,频率范围20kHz.根据已制备的酞菁铜有机薄膜静电感应三极管的电气参数,建立小信号等效电路来分析有机薄膜静电感应三极管的特性,并对等效电路的动态特性进行了仿真.通过仿真结果与实测结果一致性,证实了检测电路和等效电路的可行性,并根据仿真结果提出了改进器件动态性能的方法:减小极间电容,提高电导率.     

α-(8-喹啉氧基)单取代酞菁锌的单态氧量子产率

研究新型光敏剂α-(8-喹啉氧基)单取代酞菁锌在N,N-二甲基甲酰胺(N,N-dimethyl-formamide,DMF)中1O2的近红外发光光谱特性,以玫瑰红作为参考标样,测定其1O2量子产率.结果表明,α-(8-喹啉氧基)单取代酞菁锌在DMF中的最大吸收峰位于675 nm,摩尔消光系数为1.86×105mol-1cm-1;1O2近红外发光的最大发射峰位于1280 nm,量子产率为0.60±0.02.与现有酞菁金属配合物相比,α-(8-喹啉氧基)单取代酞菁锌是一种具有开发前景的新型光动力学疗法光敏剂.     

单极型有机半导体酞菁铜晶体管的工作特性

根据试制的Au／CuPc／Al／CuPc／Au结构的垂直导电沟道有机薄膜晶体管的测试结果,分析了该晶体管的工作机理．由实验结果可知,驱动电压低,呈不饱和电流-电压特性．晶体管的工作特性依赖于栅极电压和铝电极的结构,垂直导电沟道有利于改善有机晶体管的工作特性．     

有机薄膜晶体管气体传感器的研究进展

重点介绍了电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室在国家自然科学基金资助下开展的有机薄膜晶体管（OTFT）气体传感器方面的研究进展。制备了酞菁铜（CuPc）薄膜为有源层的底栅底接触式结构的有机薄膜晶体管,对器件的制备工艺和结构参数进行了优化,研究了其对H₂S气体的敏感特性。同时制备了P3HT-ZnO纳米棒的复合薄膜、 P3HT单层薄膜、P3HT-MoS₂分层膜和复合膜的有机薄膜晶体管气体传感器,系统地分析了OTFT器件的电学性能和气敏特性。     

有机发光器件中载流子复合特性的数值模拟

考虑单层有机发光器件中注入载流子在电场作用下的漂移运动和Langevin复合,将注入特性量化为电极与有机层接触处的电流密度比,计算了有机层中的电场强度、载流子浓度和复合率分布,研究了注入特性、载流子迁移率及有机层厚度对载流子复合性能的影响.结果表明正负载流子的迁移率比、注入平衡程度及有机层厚度是影响器件内电场、载流子浓度和复合率分布的重要因素.计算结果对于发光材料选择和有机发光器件结构的优化设计具有重要的指导意义.     

空穴注入层对OLED性能的影响

通过实验研究了不同种类的空穴注入层材料对有机电致发光器件（OLED）性能的影响，将酞菁铜（CuPc）、2T-NaTa和TcTa分别作为空穴注入层材料制备了3种器件，然后测试器件的电流-电压特性、高度-电压特性及发光效率-电压特性，并进行了对比．结果发现用CuPc、2T-NaTa和TcTa作为空穴传输层的3种器件的流明效率最大值分别为2．94cd／A，2．4cd／A和18cd／A；2T—NaTa作为空穴注入层的器件的启亮电压最低．由此得出结论：在实验研究的3种材料中，2T—NaTa最适合作为空穴传输层．     

ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备与工作特性

有机薄膜二极管选取酞菁锌和酞菁铅(ZnPc和PbPc)进行混合作为器件的有源层,利用多种镀膜方式,制备了结构为Cu/ZnPc+PbPc/Al的器件,其中,Zn Pc∶PbPc混合的质量比分别为1∶1、4∶5和5∶4,对二极管进行了输出特性测试和混合薄膜的吸收光谱测试。结果表明,3种混合方式的二极管均具有整流特性。通过实验分析可以得出:ZnPc∶Pb Pc的混合质量比为1∶1的器件的载流子的传输最快。实验结果表明:适当的ZnPc∶PbPc的混合质量比可以降低肖特基势垒的高度,从而使载流子的迁移率加大。由实验结果计算得出,ZnPc∶PbPc的混合质量比为1∶1的器件的势垒高度为0. 355eV,影响因子n为18. 21。     

Studying the operation characteristics and structure of vertical channel copper-phthalocyanine organic semiconductor transistor

The creation of Au/CuPe/Al/CuPc/strueture is a perpendicular type electricity found in the channel of organic static induction transistor. In the following we analyze transistor operation characteristics and machine structural relation. The results express that the transistor drives the voltage low and has no-saturation currentvoltage characteristics. Its operation characteristics are dependant on gate bias voltage and the construction of the aluminum eleetrode. The vertical ehannel of organic static induction transistor （OSIT） , with structure of Au/CuPc/Al/CuPc/ Cu, has been determined. According to the test results, the relation of its operation characteristics aud device structure was analyzed. The results show that this transistor has a low driving voltage and unsaturation Ⅰ-Ⅴ characteristies. Its operation characteristics are dependant on gate bias voltage and the structure of the aluminum electrode.     

Preparation and operation characteristics of organic semiconductor transistor using thin film Al gate and copper phthalocyanine

Semiconductor characteristics were detected inphthalocyanine dye in 1948. The research of organicsemiconductors was then standardized, especially theresearch of the electron state of organic crystals. Theresearch of organic electric material has continued for50 years, and remarkable achievements have beenmade in organic metal, organic superconduction and or-ganic electroluminescence.In the research of the organic semiconductor tran-sistor, the structure of the organic thin film transistoranaly…     

基于四取代铜酞菁的有机近红外电致磷光器件

制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温下的发射峰位于1110nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14wt%。制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DCJTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输。     

锌金属配合物BFHQZn的白色有机电致发光器件

利用新型荧光染料2-溴-4-氟苯乙烯-8-羟基喹啉锌(BFHQZn,(E)-2-(2-bromo-4-fluorostyryl)quinolato-Zinc)的电致发光(EL)特性,制备了非掺杂型的有机电致白光器件(WOLED)。器件的结构为ITO/CuPc(10nm)/NPBX(25 nm)/BFHQZn(18 nm)/NPBX(xnm)/BCP(10 nm)/Alq3((47-x)nm)/LiF(0.5 nm)/Al,当x为12时,得到了色度最好和效率最大的WOLED,最大电流效率为1.11 cd/A(at 10 V),最大的亮度为817 cd/m2(at 15 V),当驱动电压从7 V(启亮)升高到15 V(最高亮度)时,器件色坐标由(0.32,038)改变为(0.30,0.28)。     

酞菁铜有机薄膜肖特基二极管的研制

提出了一种基于有机半导体材料制作肖特基二极管的方法,通过真空气相沉积工艺依次将金属铝,酞菁铜和金属铜镀在玻璃基片上.在室温下测试该二极管的电流-电压(I-V)特性发现,其整流系数可达103.根据实验所得的电容-电压(C-V)的测试结果,得到该二极管的肖特基势垒高度在0.7V.     

Studies on the microstructure,optical and electrical properties of organic microcavity devices based on a porous silicon reflector

Due to its low-cost and mature technology, Si has consistently been the mostwidely used semiconductor in microelectronic industry. Nevertheless, as the photolitho-graphic line for integrated circuit devices becomes narrower and narrower, the quantumsize effect appearing in the devices will further limit the development of electronic in-dustry. Si-based optoelectronic integration can increase the operational velocity of inte-grated circuits because photon can propagate three orders faster than …     

外延双极晶体管基区表面电流的模型及应用

少数载流子在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的复合对双极器件的影响很大，文中通过对采用ＳｉＯ２膜和ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４双层膜一次钝化的电容和栅控外延ＮＰＮ晶体管表面电特性的研究，发现ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４一次钝化膜能减小基区表面电流，文中建立了外延双极晶体管基区表面电流随栅区（或基区表面电势）变化的理论模型，该模型成功地解释了栅控外延双极晶体管的基区表面电流随栅压变化的实验曲线，从而为器件的计算机模拟提供了更加精