选择高压场效应管实现节能

高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之外,更重要的是,还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。     

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技有限公司宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。AAT4910双MOSFET驱动器采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。     

一种单电源高集成度蔡氏振荡器

二端非线性电阻的实现是研究蔡氏电路中混沌现象的一个重要环节,传统的非线性电阻大多采用正负电源供电的运放和电阻、电容等分立器件来搭建。在分析非线性电阻工作原理的基础上,提出采用单电源供电的集成电路制造工艺实现负阻器件的思想。设计的非线性负阻器件主要由轨到轨运算放大器、基准电压/电流产生等模块组成,并在0.18 μm标准CMOS工艺下设计实现。仿真结果表明,在1.8 V单电源工作模式下,蔡氏电路两个关键节点的李萨如波形表现为双螺旋吸引子,证明该振荡器电路有效,整个电路的功耗约为2.45 mA。     

电源

半桥MOSFET驱动器AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高/低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启     

IR2233在功率驱动中的应用

IR2233是IR公司生产的一种高压高边功率MOSFET和IGBT驱动器。该器件内部集成了互相独立的三组丰桥电路，并具有多种保护电路。文中简要介绍了IR2233的电气性能、工作原理，给出了IR2233的典型应用电路。     

单路和四路运算放大器AD8614/AD8644

AD8614/AD8644是高压、高速、低功耗和大电流轨-轨输出的单路和四路运算放大器,是一种独具特色的器件,特别适合于LCD的驱动电路。文章介绍了AD8614/AD8644的性能特点和应用电路。     

电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究

受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备,结合相关的失效案例,论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理,为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。     

等离子体中频电源的驱动与保护电路设计

讨论了150 kHz等离子体中频电源的驱动与保护电路设计方案。该电路采用脉冲变压器耦合MOSFET管驱动电路,具有输出变压器原边平均电流和副边峰值电流的过流保护功能。结果表明:驱动波形的上升和下降时间都不超过80 ns,并能在检测到过流信号时封锁驱动信号,关断变换器中的开关器件,切断过流故障,有效进行电路保护。     

一种关于水文RTU电源稳定性的优化方案

本文简要的介绍了水文RTU(Remote Terminal Unit)远程测控终端的电源系统,针对传统水文RTU电源系统中电源切换电路、3.3V电源电路和现场仪表供电电路的缺点,分别提出了优化方法与改进措施。对于电源切换电路,利用Liner公司的LTC4412芯片控制MOSFET的导通,解决了电源在切换时产生纹波的现象;对于3.3V供电电路,利用磁环电感替换相同感值的柱状电感,使磁力线会集中在磁环电感中,避免了漏磁的产生;对于现场仪表供电电路,用MOSFET代替电磁继电器,解决了电磁继电器误动作和机械寿命短的问题。通过这三个部分优化了RTU电源系统,提高了电源系统的稳定性。     

基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.     

半桥MOSFET驱动器

AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。     

基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.     

基于Buck电路的压电陶瓷脉冲驱动电源研究

为提升传统压电陶瓷驱动电源的效率与动态性能,以双N型金属 氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）降压拓扑为基础,设计了一种新颖的压电陶瓷脉冲驱动电源方案,并进行了理论分析与实验验证。电源系统中主电路对输入高压进行降压调节,采样网络实时地检测压电陶瓷的驱动电压与电流,通过闭环控制对输出电压进行调节。同时,为使压电陶瓷驱动电源具有良好的自动调节能力,引入了模糊比例 积分 微分(PID)控制算法,提高了驱动电源的动态性能。     

基于高频高压交流母线多组输出直流电源的研制

本电源是基于高频高压交流母线具有多组输出的直流电源，它具有高达200kHz的开关频率，后级的整流电路由于高频交流母线的存在，使得变压器和电感的设计变得简单，滤波电容的选择也更容易。本电源由PFC电路提供400V的高压直流输入，再由MOSFET组成全桥逆变电路，在固定额率的PWM发生电路和IR2110 MOSFET驱动电路作用下，只加—个谐振电感就可实现开关管的零电压开通，可在大大降低开关损耗和噪声的同时实现直流交流的变换。整流部分采用倍流整流电路以提高原边电压的利用率，可输出低压大电流。由于采用肖特基管，—方面可使得二板管的损耗可以接受，另外—方面还避免了采用同步整流电路所面临的电路结构复杂和驱动困难。     

硅基低压MOSFET器件漏电失效分析

硅基低压MOSFET器件广泛应用于小电流驱动、电源控制模块等高科技领域，MOSFET器件失效主要是由生产过程中的工艺异常或缺陷导致。本文介绍了热点分析/聚焦离子束-扫描电镜的高精度检测方法，该方法可快速检查沟槽MOSFET器件电学性能及膜层结构失效。本文结合沟槽MOSFET的制备流程，阐明了由于多晶硅淀积工艺异常及过量刻蚀所导致的管芯边缘区域漏电失效并分析了其中原因，列举了改善及预防措施细则，为进一步优化刻蚀沉积设备提供了工艺依据。     

SiC 器件在雷达电源中的应用

现代雷达的发展迫切需要电源提升功率密度和效率。基于第三代半导体碳化硅(SiC)材料的功率器件在耐压等级、高频工作、高温性能等方面有较大优势。文中详细阐述了SiC 器件的特性和各类型SiC 功率器件的发展现状,分析了SiC功率器件在雷达电源中的应用方向,并基于SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)设计了阵面电源样机,完成了高开关频率性能测试。实验结果表明:SiC MOSFET 的高频工作能降低系统损耗,并提升电源功率密度。     

一种专为IGBT和MOSFET设计的新型集成驱动器

介绍了一种专为IGBT和功率MOSFET设计的电力电子驱动器件———SCALE集成驱动器的性能特点和内部结构 ,给出了SCALE集成驱动器在中频臭氧发生器电源中的应用电路     

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出全新 6 0 0 V HEXFET功率MOSFET系列 ,新器件具备快速本体二极管特性 ,专为零电压开关 (ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率 ,并能提高功率输出 ,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新 L系列 HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性 ,因此无需在 ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管 ,减少了元件数目 ,节省了电路空间。新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正…     

高精度模拟电源开发套件

TPS54060与TPS7A30／49电源管理开发套件不但可以消除开关噪声,而且还可提高数据转换器、运算放大器,时钟以及其他信号链器件的性能,可帮助设计人员为当前模拟电路供电生成最干净的正负电压轨。     

Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器

Vishay Intertechnology．Inc．推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器——VOM1271。新器件集成了关断电路,因此不需要外部的关断元件和副边供电电源。新的MOSFET驱动器极大降低了配置成本和PCB空间,并提高了整体的系统可靠性和性能。