高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法     

n—HgCdTe光导器件两种表面钝化研究

利用Ａｒ＾＋束溅射沉积技术实现了ＣｄＴｅ薄膜的低温生长,利用电化学方法进行了ＨｇＣｄＴｅ表面自身阳极氧化膜的生长,利用生工的ＣｄＴｅ介质膜和ＨｇＣｄＴｅ表在身阳极氧化膜对ｎ－ＨｇＣｄＴｅ光导器件进行了表面钝化。对两种器件的电阻、各项性能指标进行了测量分析,实验表明得到的ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ同质量已达到器件实用化水平。     

Au／Sn与p—HgCdTe的欧姆接触

研究了双层金属结构Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－ＨｇＣｄＴｅ上的接触电阻，实验测得Ａｕ／Ｓｎ与ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ（ｘ＝０．２１７，０．４１）的经接触电阻，ρｃ（２９５Ｋ，７７Ｋ）为１０＾－２～１０＾４Ω．ｃｍ＾２将这种电板接触应用于Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２３）光伏器件，测得ｐｎ结Ｉ－Ｖ特性的正向斜率为１２．６Ω即电极接触电阻小于１２．６Ω。     

HgCdTe—CdTe异质结构的变频导纳特性

采用宽频带导纳测试系统研究了Ｈｇ０．６６Ｃｄ０．３４Ｔｅ－ＣｄＴｅ异质结构和Ａｌ－半绝缘ＣｄＴｅ－Ｈｇ０．６６Ｃｄ０．３４Ｔｅ结构样品的变频导纳特性，分析了不同结构样吕的测试结果，表明：异质结ＨｇＣｄＴｅ表面空穴积累，ＣｄＴｅ表面空穴耗尽，界面处的势垒使载流子局限于ＨｇＣｄＴｅ体内，样品的光伏响应光谱在２９７０ｃｍ＾－１和３６５０ｃｍ＾－１处各有一个响应峰，前者对应于界面ＨｇＣｄＴｅ的本征光伏效庆     

碲镉汞薄膜材料

研制ＨｇＣｄＴｅ焦平面器件是当前实现长波红外焦平面器件的主要途径。红外焦平面器件要求大面积、均匀性好和高质量的ＨｇＣｄＴｅ材料。用ＬＰＥ、ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ外延生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料可满足焦平面器件对材料的要求。ＬＰＥ是目前研制ＨｇＣｄＴｅ光伏列阵主要材料，用双层掺杂生长的ｐ－ｎ异质结得到当前最高的Ｒ＿０Ａ值。ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ生长的ＨｇＣｄＴｅ外延膜近期有了较大的进展，除了在硅衬底上ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ仍在研究之外，其它已趋向成熟并开始转向工业生产。为了研制高质量的ＨｇＣｄＴｅ外延膜，高质量的衬底材料与建立薄膜均匀性的检测工艺是十分必要的。     

长波光导HgCdTe探测器的输运特性

测量了长波光导ＨｇＣｄＴｅ线列探测器在１．２～３００Ｋ的电阻率－温度（Ｒ－Ｔ）特性，结果表明：高性能和低性能探测元的Ｒ－Ｔ特性明显不同，前者有与正常ＨｇＣｄＴｅ材料Ｒ－Ｔ关系相似的变化规律，后者则与简并ＨｇＣｄＴｅ材料相似．探测器的性能与最大电阻温度有对应关系     

响应于1～3μm红外波段的MOCVD－HgCdTe红外探测器件

响应于１～３μｍ红外波段的ＭＯＣＶＤ－ＨｇＣｄＴｅ红外探测器件马可军，俞振中（上海技术物理研究所上海２０００８３）我们采用ＩＭＰ工艺生长出了组分处于０．４～０．７μｍ范围内的ＨｇＣｄＴｅＭＯＣＶＤ晶膜材料，随后对晶膜进行热处理，使之具有合适的空穴浓度...     

HgCdTe分子束外延的初步研究

ＨｇＣｄＴｅ分子束外延的初步研究何先忠，陈世达，林立（华北光电技术研究所北京１０００１５）ＨｇＣｄＴｅ单晶薄膜材料是下一代红外焦平面器件的首选材料。本文作者报道了在（２１１）ＢＧａＡｓ衬底上成功地外延生长出高质量的ＨｇＣｄＴｅ外延膜。得到了组分为０．...     

长波HgCdTe光伏器件漏电机理分析

从器件制造工艺的角度，分析了长波ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器的体内和表面漏电机理，认为深能级的辅助跃迁在体内漏电方面起主要作用。选择适当的离子注入剂量，可有效地降低体内深能级密度。表面漏电则与ＨｇＣｄＴｅ的表百状态有关，ＺｎＳ／ＨｇＣｄＴｅ之间的界面状态与ＨｇＣｄＴｅ表面的预处理方法有直接关系。控制ＺｕＳ／ＨｇＣｄＴｅ界面组成元素组分，便能控制表面状态，减小表面漏电。经采取相应工艺措施，ｎ＋ｐ结的特性明显提高，单片测量平均零偏阻抗Ｒ０～１０５Ω，平均器件优质Ｒ０Ａ～１Ωｃｍ２。     

Hg1—xCdxTe多层薄膜材料结构缺陷的透射电子显微镜测定

用透射电镜对Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ两种异质结的横截面进行了观测分析，对异质结附近的某些结构缺陷，如微孪晶的尺寸，几何形态、层错、界面失配位错的组态特征进行了研究，并对多层膜之间的取向差进行了分析，说明在ＧａＡｓ衬底上用分子束外延法制备的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ多层膜，就大量结构缺陷而言，ＣｄＴｅ缓冲层对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延层起到了屏障作用，在Ｈｇ１－ｘ     

长波HgCdTe光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算

研究了长波ＨｇＣｄＴｅ光导探测器液搂温度电阻和室温电阻比值计算问题。结果表明：制成器件后，表面导导，材料电导率的变化和背景辐射都将使器件液氮温度的电阻减小，进行这三项修正后，器件电阻比值的计算值与实验值吻合。     

HgCdTe光伏器件反常I—V特性分析

对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。     

离子束刻蚀光导HgCdTe探测器芯片的温度限制

利用离子对束对光导ＨｇＣｄＴｅ芯片阳极氧化膜，Ｃｒ－Ａｕ电极和ＨｇＣｄＴｅ芯片的成形进行刻蚀，要求ＨｇＣｄＴｅ芯片表面温度不能超过８０℃。     

Hg1—xCdxTe的扫描光致发光研究

用傅里叶变换红外扫找光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品。该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布，以及晶体中非平衡流子寿命的分布。     

有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究

本文采用有机偶然性沉积法在ＣａＡｓ衬底上先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层ｘ＝０．２、ｘ＝０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜工艺条件，总结出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性，厚度、表面形貌，结构和电性能。     

SPRITE探测器的电阻问题

ＳＰＲＩＴＥ探测器的电阻是一个重要的器件参数。研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料组分和电阻率、芯片厚度和表面电导等因素对该电阻的影响，并就实验数据进行了比较结果表明：ＳＰＲＩＴＥ器件的室温电阻主要是受Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料组份和芯片厚度的影响。而其液氮温度电阻则主要是受芯片表面电导的影响。     

傅里叶红外显微光谱技术测量HgCdTe晶片组分分布与截止波长分布

运用傅里叶红外显生光谱技术测量了ＨｇＣｄＴｅ晶片上透射光谱分析，并通过编程处理，得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分分布和截止波长分布图。     

MOCVD生长的Ⅱ－Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析2．Hg_（1－x）Cd_xTe体系

本文对ＭＯＣＶＤ生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ进行了热力学分析．所用的起始原材料为Ｈｇ、ＤＭ－Ｃｄ和Ｒ２Ｔｅ．计算结果一方面表明ＣｄＴｅ优先并入倾向使得在通常的ＤＡＧ工艺中ｘ值非常不易控制．另一方面表明即使在Ｈｇ存在的情况下，也可以沉积几乎纯的ＣｄＴｅ，这对实现ＩＭＰ工艺非常有利，计算结果还表明ＩＩ／ＶＩ比对ＨｇＣｄＴｅ的组分控制起着关键性的作用．在ＤＡＧ工艺中，较低的ＩＩ／ＶＩ比可以改善对ｘ值的控制能力，ＬＭＰ－ＤＡＧ工艺是降低ＩＩ／ＶＩ比的较好途径．本文还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及ＬＭＰ     

有机金属沉积法生长HgCdTe双色晶膜材料的研究

本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性、厚度、表面形貌、结构和电性能。     

长波红外n—HgCdTe材料的电阻比值与载流子寿命关系

少数载流子寿命是长波红外ＨｇＣｄＴｅ材料的重要性能参数。从大量实际数据统计中发现长波红外ｎ型ＨｇＣｄＴｅ材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有定关系,电阻比值在２￣６之间有较大的载流子寿命值,而电阻比值大于１０的寿命值较小。