有机添加剂对己二酸铵/乙二醇加水体系工作电解液性能的改善

在传统磷酸盐添加剂工艺的基础上，采用聚乙烯吡咯烷酮等有机添加剂改善工作电解液的高温稳定性，提高闪火电压。通过电解液组分的优化，降低电阻率，使传统的己二酸铵／乙二醇加水体系的适用范围从－２５～＋８５℃拓宽到＋１０５℃，工作电压从４～１００Ｖ拓宽到２５０Ｖ。由于中压电解液的电阻率ρ３０℃降至２００～２５０Ω·ｃｍ，低压电解液的电阻率ρ３０℃降至５０～７０Ω·ｃｍ，也可用于高频低阻抗品。     

(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制

研究了原材料、液相添加剂ＢＮ对Ｙ３＋掺杂的（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂ＢＮ能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ２５和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度ＴＣ≈２１０℃、ρ２５≤５．０×１０３Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１３％℃－１、电阻率ρ突变比ρｍａｘ／ρｍｉｎ＞５．０×１０３的Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

（Nd,Er）：YAG晶体中Nd^3＋和Er^3＋离子间相互作用

用激光加热基座法生长了Ｅｒ：ＹＡＧ、（Ｎｄ、Ｅｒ）：ＹＡＧ和Ｎｄ：ＹＡＧ单晶光纤，测试了单晶光纤的透过率谱和Ｅｒ＾３＋离子＾４Ｉ１１／２、＾４Ｉ１３／２态，Ｎｄ＾２＋离子＾４Ｆ３／２态的固有寿命τ０，双掺晶体中这些态的平均寿命τ０。讨论了Ｎｄ＾３＋离子对Ｅｒ＾３＋离子的敏化作用。     

高能Ar^＋注入对P^＋薄层特性的影响

研究了高能Ａｒ＾＋注入对Ｐ＾＋薄层特性的影响。结果表明,正面高能Ａｒ＾＋注入能在有源区下隐埋一层缺陷带,可有效地净化表面有源区。用高能Ａｒ＾＋／Ｂ＾＋注入制备出了反向漏电流仅１．９ｍＡ／ｃｍ＾２（－１．４Ｖ）的二极管。     

掺Cr^4＋饱和吸收体吸收截面和基态恢复时间的测量

本文给出一种测量掺Ｃｒ＾４＋饱和吸收体基态和激光发态吸收截面的方法，并用之测量国产Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ的两个吸收截面分别为４．３×１０＾－１８ｃｍ＾２和８．２×１０＾１９ｃｍ＾２；同时给出一种用泵浦探测法测量可饱和吸收体μｓ量级基态恢复时间的方法，并用之测得国产Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ的基态恢复时间为３．２μｓ。     

不同掺杂浓度Tm^3＋在YVO4晶体中光吸收各向异性的研究

在室温下测量了５种没的掺杂浓度（６．０ａｔ％,４．０ａｔ％,３．２ａｔ％）ＹＶＯ４;Ｔｍ＾３＋在２００－９００ｎｍ波段的吸收光谱。结果指出,Ｔｍ＾３＋掺杂的ＹＶＯ４晶体光 Ｔｍ＾３＋浓度而变化,每一谱带形状和结构是相似的;而高掺杂浓度Ｔｍ＾３＋的光吸收相对强度比低掺杂浓度的ＹＶＯ４吸收强;不同晶轴ＹＶＯ４晶体吸收质显示出各向异性。观察到在ａ晶轴含π和σ偏振的吸收谱。简要地讨论了Ｔｍ＾３＋,ＹＶＯ４     

ZnS：Mn^2＋纳米晶与钠硼硅玻璃复合体中的g因子漂移

对ＺｎＳ：Ｍｎ＾２＋纳米晶钠硼硅玻璃复合体进行了ＥＰＲ实验研究,确定Ｍｎ＾２＋在ＺｎＳ基质晶格中有３种形态：替位态（Ｍｎ＾２＋）ｓｕｂ,间隙态（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ和Ｍｎ团簇。观测到ｇ因子随纳米晶粒径的减小而增大。对ｇ值进行了理论拟合,结果与实验符合很好。分析和讨论了这种量子限域下ＺｎＳ的ｓｐ＾２和Ｍｎ的３ｄ＾５电子态杂化所引起的ｇ－漂移。     

四价添加剂掺杂ZnO压敏电阻器的性能

基于理论研究的结果,用固相法研究了四价添加剂对ZnO压敏电阻器性能的影响和作用机理.结果表明,优选的四价添加剂掺杂能有效降低ZnO晶粒的电阻率和残压比;通过提高晶界氧的电离度,可使晶界势垒高度上升,提高了ZnO的压敏电压梯度.     

SIMOX埋层的电离辐照及退火研究

将Ｆ＾＋注入ＳＩＭＯＸ材料，剥去皮表硅并制成电容，经＾６０Ｃｏ－γ辐照试验和退火试验，并采用高频Ｃ－Ｖ方法分析表明，注Ｆ＾＋能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。     

掺Tm3+石英光纤频率上转换过程的实验研究

报道了实验研究连续１０５３ｎｍＮｄ＾３＋：ＹＬＦ激光泵浦国产掺Ｔｍ＾３＋石英光纤产生紫外（３８７．４ｎｍ）、蓝光（４７７．４）、红光（６５１．４）、近红外光（８０２．９ｎｍ）的频率上转换荧光的实验结果。测量了荧光发射光谱以及发光强度随泵浦功率的变化,并给出了实验结果的初步机理解释。     

N（pz）4Br2型络合物的光,热,磁性质的理论研究

本文利用ｄ＾８（Ｄ４ｈ）对称性与ｄ＾８（Ｄ２ｈ）对称性线性叠加ｄ＆８［（１－Ｃ２）Ｄ４ｈ＋Ｃ２Ｄ２ｈ］作为Ｎｉ＾２＋离子的环境晶场，借助于强场能量矩阵和全组态混全ＥＰＲ理论对Ｎｉ（ｐｚ）４Ｂｒ２型络合物的吸收光谱、肖特基热容量和顺磁磁化率进行了统一计算和理论分析。     

Mn在SrTiO3功能陶瓷中的作用

从实验结果出发，通过微观分析研究了Ｍｎ在ＳｒＴｉＯ３双功能陶瓷中的作用以及它对电性能的影响。热重分析和Ｘ光衍射的结果说明了ＭｎＯ２在加热过程中物相和Ｍｎ离子价态的变化，得出Ｍｎ＾２＋，Ｍｎ＾３＋，Ｍｎ４＋共存的结论。     

微波场中烧结BaTiO3系半导体陶瓷的研究

采用ＴＥ３１０３单模腔微波炉烧结ＢａＴｉＯ３系半导体陶瓷，对微波与陶瓷材料相互作用机制进行了探讨，分析了ＢａＴｉＯ３陶瓷微波结过程中各损耗随温度的变化规律；同时，分别在体系中引入受主杂质Ｃｒ＾３＋和施主杂质Ｎｂ＾５＋，研究微波场中杂质浓度对钛酸钡陶瓷晶粒生长的影响。     

CdCOB：Er^3＋,Yb^3＋晶体的光谱分析

生长了新型激光晶体ＧｄＣａ４Ｏ（ＢＯ３）３：Ｅｒ＾３＿（简称ＧｄＣＯＢ：Ｅｒ＾３＋,Ｙｂ＾３＋）,并测量了其室温透过谱、荧光谱及红外吸收谱。在９７４ｍｎ的二极管泵浦下,观察到微弱薄的绿光发射。在１５３６ｎｍ左右的荧光发射较强,讨论了ＧｄＣＯＢ：Ｅｒ＾３＋,Ｙｂ＾３＋→Ｅｒ＾３＋的能量传递解释了绿光发射,提出Ｙｂ＾３＋合作向Ｅｒ＾３＋合作向Ｅｒ＾３＋进行能量传递的机制。     

三乙胺分子的共振增强多光子电离解离通道研究

利用ＴＯＦ质谱装置对三乙胺分子在和两谱区进行了共振增强多光子电离解离研究。质谱中除有极强的母体离子１０１＾＋和母体上甲基的８６＾＋峰外，还检测到明显的５８＾＋，４２＾＋，３０＾＋，２９＾＋，３０＾＋，２９＾＋，２８＾＋，２６＾＋，２７＾＋和较弱的７２＾＋，７０＾＋，５６＾＋，４４＾＋，１５＾＋，１２＾＋等峰，并与电子轰击谱进行了对照。     

铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。     

应用12MeV电子辐照效应制造硅p^＋nn^＋高频整流二极管

介绍了应用１２ＭｅＶ电子辐照效应将ｐ＾＋ｎｎ＾＋普通整流二极管改制成高频流二极管的新技术。多年研究、制造结果表明，该方法与传统掺金工艺相比，少子寿命控制精确，ｔｒｒ、ＶＦ一致性、重复性好，高温性能明显改善，合格率提高３０％以上，工艺简耐 易而易行，经济效益显著。     

GaN的离子注入掺杂和隔离

在ＧａＮ中注入Ｓｉ＾－和Ｍｇ＾＋／Ｐ＾＋之后，在约１１００℃下退火，分别形成ｎ区和ｐ区。每种元素的注入剂量为５×１０＾１４ｃｍ＾－２时，Ｓｉ的截流子激活率为９３％，Ｍｇ的是６２％。相反，在原ｎ型或ｐ型ＧａＮ中注入Ｎ＾＋，然后在约７５０℃下退火，能形成高阻区（＞５×１０＾９Ω／□）。控制这些注入隔离材料电阻率的深能态激活能在０．８－０．９ｅＶ范围内，这些工艺参数适用于各种不同的ＧａＮ基电子和光器件。     

1300V,1600V高压IGBT的实现

本文基于理论分析和实验研究，分别在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋外延和硅单晶基片上实现了１３００Ｖ及１６００Ｖ高压ＩＧＢＴ；并进而证实了获得高压ＩＧＢＴ相互联的关键技术──器件纵向横向几何结构及工作参数的准确计量优化，低缺陷密度高性能厚层硅材料的工艺生长技术，和复合高压终端结构的叠加组合形成。     

非线性度为2^n—2＋t（1≤t〈2^n—4）的n元布尔函数分布

本文研究了非线性度为２＾ｎ－２＋ｔ（１≤ｔ＜２＾ｎ－４，ｎ≥５）的ｎ元布尔函数分布问题，并通过刻划陪集结构与特征，确定了分布。