无机气体氟化物色谱分析

氟及气体无机氟化物在大规模集成电路、半导体器件、材料表面处理、新材料合成、激光等许多领域被越来越多地应用。八十年代以来，我们配合国内有关单位先后研制了四氟化硅、三氟化硼、三氟化磷、五氟化砷、六氟化钨、六氟化钼、五氟化钒、四氟化碳、四氟化锗、六氟化硒、六氟化铱，以及其它某些元素的气体氟化物。     

半导体材料掺杂机理

半导体材料如硅和锗,通过掺杂Ⅲ,Ⅴ族的化学元素,如用砷、磷、硼的化合物可改变半导体材料的电学性能。这种被掺杂的元素,称掺杂源,有固体、液体和气体三类,根据半导体材料及器件制造的要求,可选择不同的掺杂源。这种掺杂过程在半导体工艺中称为扩散,是改造半导体材料的电学性能和半导体器件生产过程中的一项非常重要的工艺。     

气体工业名词术语

特种气体　（Ｓｐｅｃｉａｌｔｙｇａｓｅｓ）系指那些在特定领域中应用的，对气体有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。特种气体门类繁多，通常可区分为电子气体、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等，广泛用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研究及诊断、食品保鲜等领域。电子气体　（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｇａｓｅｓ）　半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和…     

氟化富勒烯在电子材料与器件中的应用研究进展

氟化富勒烯因其独特的结构引起了研究者们持续而广泛的关注。在介绍氟化富勒烯电子特性的基础上,总结了其在金刚石、硅、石墨烯等材料的表面掺杂,以及有机发光二极管等电子器件的p型掺杂等领域的应用。最后,介绍了氟化富勒烯在其他领域中的最新应用,并对氟化富勒烯材料的发展趋势和前景进行了展望。     

锂离子电池正极材料氟化处理研究进展

综述了几种锂离子电池正极材料在氟掺杂及氟化表面处理改性方面的研究工作;部分正极材料进行氟处理以后材料稳定性、循环性能、工作电压及充放电容量得到很大改善,简要分析了材料性能得到改善的原因;对锂离子电池正极材料进行氟化改性研究,需要进一步深入研究的方向做出了展望。     

ZnO光纤氨气传感器的制作

氨气传感器在很多领域如食品工艺、化学工程、医药诊断以及环境保护等方面有着重要应用，其核心材料常用纯的或掺杂的金属氧化物如ZnO、SnO2、TiO2等，主要是因为其电学性质在氨气影响下会发生变化。尽管气体对材料光学性质影响的研究还并不充分，但利用光学性质对气体的响应来制造传感器却能避免电磁噪声，提高灵敏度。     

半导体用气体的品位要求

<正>硅片的制造,即在精制技术及加工技术中,硅的纯度达99．99999999%以上,在制造半导体时,某些工艺过程中,要扩散注入一些杂质(如磷、砷、硼等),但为了正确地注入这些设计上所需的杂质,控制半导体元件的阻抗值,因此就要求晶体生长用气体及掺杂质用气体     

洛阳开发成功新型电子气体三氟化氮项目

由河南省洛阳市黎明化工研究院承担的新型电子气体三氟化氮技术开发，日前通过河南省科技厅和洛阳市科技局组成的专家组验收。该项目由黎明化工研究院和美国氟多多公司合作开展，采用直接氟化法新工艺，成功地合成了新型电子蚀刻气体三氟化氮。     

掺磷对硬碳及软碳嵌锂性能的影响研究

为了提高碳材料的嵌锂性能，以沥青和自制的热固性酚醛树脂为原料，制备了掺磷酚醛树脂热解碳和掺磷沥青焦炭，通过充放电实验测量了两种掺磷碳材料的可逆容量，XRD，XPS技术分析了磷的掺杂对碳的组成与结构的影响。结果表明：掺磷使两种碳材料的可逆容量均有明显增加，且磷添加量为20%时增加最显著；磷的掺杂对硬碳的晶格参数无明显影响，而使软碳的石墨化程度下降；酚醛树脂热解碳中的磷主要与碳环相接，少部分同时还与氧相连，而焦炭中的磷则主要与氧成键，且掺磷使焦炭表面氧和氮含量明显增加。     

稀土氧化物掺杂对SnO2基气体传感器材料性能的影响

采用化学共沉淀法制备Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２,Ｅｒ２Ｏ３和Ｓｂ２Ｏ２基气体传感器。结果表明掺杂后的材料经煅烧后,平均晶粒尺寸均小于３０ｎｍ,比未经掺杂的材料小,中掺杂体系不同成分材料制备成厚膜传感器,进行了对ＣＯ气体敏感度性能测试,发现掺杂稀土氧化物的气体敏感度较纯ＳｎＯ２厚膜传感器高。其中掺杂Ｅｒ２Ｏ３材料性能最好。     

ZnO纳米粉对压敏陶瓷材料显微结构和电学特性的影响

用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备掺杂的ＺｎＯ纳米粉体，分析讨论了这种粉体对材料显微结构，材料电学特性如非线性系数，压敏电压和介电特性的影响，与传统方法制成的粉体相比，ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制成的纳米粉人有掺杂均匀，晶粒尺寸分布均匀，其电学特性得到较大提高。     

Matheson兼并Bandgap

Ｍａｔｈｅｓｏｎ兼并ＢａｎｄｇａｐＭａｔｈｅｓｏｎ气体产品公司（ＳａｎＪｏｓｅＡＣ）得到ＢａｎｄｇａＰ化学公司（ＬｏｎｇｍｏｎｔＣＯ）全部资产、ＣｙｐｒｕｓＡｍａｘＭｉｎｅｒａｌｓ公司的设备。Ｂａｎｄｇｅｎ化学公司的六氟化钨（ＷＦ６）是钨膜化学汽相过...     

Ni掺杂SnO_2气敏材料优化设计及对低浓度甲醛气敏性能研究

甲醛是室内空气污染的主要气体,严重危害人的身体健康。SnO_2是目前在气体传感器上应用较多的气敏材料。通过一步水热法成功制备了不同Ni掺杂SnO_2立方体。采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和紫外可见漫反射光谱仪(UV-Vis DRS)等表征手段对材料的形貌和结构进行分析,并以室内污染气体甲醛为目标气体对其气敏性能进行了研究。结果表明,Ni掺杂可以有效地改善SnO_2基气体传感器的气敏性能,最佳掺杂浓度为4%(原子分数),进一步掺杂不利于SnO_2气敏性能的提高。从材料的结构和表面缺陷方面对Ni掺杂改善SnO_2的气敏机理进行了分析。Ni掺杂增加了SnO_2材料的比表面积,为气体分子提供了更多的孔洞和间隙,有利于气体分子的吸附和脱附;同时,Ni掺杂降低禁带宽度,产生了更多氧缺陷,从而降低了工作温度并有利于吸附氧的产生,优化了SnO_2的气敏性能。     

SiO2-WO3纳米粉体的合成及其气敏特性

采用化学沉淀法制备了xwt％SiO2-WO3(x=0，3，5，10，15)粉体材料，利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构，探讨了掺杂量、元件工作温度与W03气敏性能的关系.研究发现：SiO2的掺杂提高了WO3粉体材料对H2S气体的灵敏度，其中掺杂量为5％的烧结型气敏元件在180℃下对H2S气体有较高的灵敏度和选择性；本文还对WO3的H2S气敏机理进行了探讨．     

磷掺杂对a-Si∶H膜晶化特性的影响

本文介绍了不同磷掺杂浓度的 a-Si∶H 膜的结构和电学、光学性质。实验结果表明:轻度的磷掺杂有促进薄膜晶化的作用,从而形成非晶相和微晶相二相混合结构。但当掺磷气体流量比大于5%时,磷掺杂对该膜晶化有抑制作用。这可能是由于在不同掺磷浓度时磷原子在 a-Si∶H 膜中的配位状态不同所致。另外,适当控制工艺条件可以制成高电导(～15Ω~(-1)cm~(-1))和宽带隙(～1.92eV)的优质 n 型 a-Si∶H 膜。     

国外部分

92039 电子气体保持增长势头 Chemical Week,1991,148(22),26～27 在过去10年中,半导体制造用气体和淀积材料市场稳定持续增长。一半以上电子气用作惰性气氛气和载气,它们主要是高纯N_2、O_2、H_2和稀有气体;有40～50种特种气体用于硅片的化学汽相淀积、刻蚀、掺杂及其它应用。1992年电子工业将进入上升期,气体用量可增长15％～17％。气体用量与半导体市场紧密相关。在全球半导体     

温度导向法制备氟化镧掺杂单晶及其电导率的测定

采用温度下降法在实验室条件下制备了氟化镧{纯LaF3及掺杂(Sm，Eu，Ga)F3、CaF2的LaF3)单晶。用交流电桥法测定了20～100℃范围内这些单晶的离子导电率，得出其离子导电率在10^-6Scm^-1数量级。用交流阻抗谱的方法在100～400℃范围内、氩气保护下测定了氟化镧{LaF3掺杂1％(Sm，Eu，Ga)F3、2．05％CaF2}单晶及市售氟化镧{LaF3掺杂(0．2％EuF2、5％CaF)}单晶的阻抗谱，求得单晶离子电导率皆在10^-4Scm^-1数量级。     

三氟化氮萃取精馏工艺研究

高纯度的三氟化氮是微电子工业中一种优良的等离子蚀刻气体,是半导体与LCD产业制造过程中必备的材料。针对NF3气体中CF4杂质采用常规方法难以分离的特点,提出一种新的纯化工艺——低温萃取精馏纯化法,对低温萃取精馏生产高纯NF3过程的工艺流程进行了研究,并采用AspenPlus在广泛操作条件下对精馏过程进行了精馏模拟计算。通过工艺试验,找到适合于本物系的精馏运行参数,优化了生产流程,稳定了工艺系统运行,三氟化氮纯度达到了99．999％以上,产品中的CF4杂质含量低于10×10^-6（V／V）。     

掺杂型炭材料在锂离子电池中的应用

对五种掺杂型炭材料的结构特征及其在锂离子电池中的嵌入机理作一综述,同时提出,除了炭材料的改性以外,硼、硅、磷和矾等四种元素在炭材料中的掺杂也将是未来锂离子电池发展的方向。     

杂原子掺杂三维石墨烯水凝胶的制备及电化学性能

采用水热法分别制备了氮、磷、硫等杂原子掺杂的三维石墨烯水凝胶电极材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)和光电子能谱仪(XPS)对材料的微观结构进行了分析,并利用电化学方法对材料的电化学性能进行了研究。结果表明:氮、磷、硫等杂原子掺杂入石墨烯晶格,掺杂的石墨烯呈现三维多孔层状形貌。杂原子的掺杂均有利于提高石墨烯的电化学性能,其中以磷掺杂石墨烯电极材料的性能最佳,原子半径最大的P掺杂使石墨烯晶格畸变加剧,比表面积显著增大进而保证了电解质在材料中的快速嵌入和脱出。在1 mol/L H_2SO_4的电解液中,电流密度为1 mA/cm~2时,其比容量388 F/g,组装成对称双电极电池装置,其能量密度在1 A/g的电流密度下可达到25.2 Wh/kg。优异的电容性能主要源于杂原子掺杂所提供的法拉第赝电容。