InSb晶片的阳极氧化

Ⅲ～Ⅴ族半导体材料,经过阳极氧化以后,可以生成一层电阻率很高的绝缘层。这种工艺可用来制备MOS器件;或使半导体器件表面纯化,防止工艺中的再沾污,降低表面的漏电流,以达到提高半导体器件的电学性质的目的。有关这方面的研究工作,国外已有大量的报导。本文是对InSb(111)晶片,选用了几种不同类型的电解液,以恒流法进行了阳极氧化实验。对所生成的阳极氧化膜,用光学显微镜观察表面形态;离子探针法分析杂质沾污;     

减少硅片湿法清洗工艺铁离子沾污研究

为了研制出高性能电荷耦合器件（CCD）,减少硅片清洗工艺Fe离子沾污是关键。利用表面光电压（SPV）法,研究了硅片清洗过程的Fe离子沾污。研究表明,SPM（H2SO4/H2O2）→SC-1清洗,去除Fe离子污染的效果比较差;用SPM→SC-1→SC-2清洗,去除Fe离子杂质的效果较好,Fe离子污染减少了2个数量级。增加SC-1和SC-2清洗次数可以减少Fe离子沾污,但效果不明显。当化学试剂中金属杂质含量由1×10^-8 cm^-3减少到1×10^-9 cm^-3,清洗工艺Fe离子沾污减少到8.0×1010 cm^-3。     

表面光电压法研究氧化工艺铁离子沾污

表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明,氧气、氮气、三氯乙烯中含有的微量杂质是氧化工艺中Fe离子沾污的主要来源。通过对氧气、氮气进行进一步纯化处理、减少三氯乙烯杂质质量分数到1.0×10-8、更换传输气体的不锈钢管路等措施,将氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。     

Vishay扩大ORN薄膜模压双列直插式电阻网络的阻值范围

日前．Vishay宣布扩大了ORN系列薄膜模压双列直插式表面贴装电阻网络的阻值范围。增强后的器件可提供499Ω～500kΩ范围内的13种标准阻值,使设计者在相同的标准窄体SOIC鸥翼型封装内可使用阻值更高或更低的电阻。     

CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器

提出了一种CMOS工艺兼容的、并采用XeF2气体干法刻蚀工艺释放的热电堆红外探测器.探测器包括硅基体、框架、热电堆、支撑臂、红外吸收层、刻蚀开口等.作为红外吸收层的氧化硅/氮化硅复合介质膜具有多种形状的腐蚀开口,使用各向同性的干法刻蚀从正面刻蚀衬底释放器件.探测器尺寸为2 mm×2 mm,由20对多晶硅-铝热电偶组成,串联电阻16～18 kΩ.释放后的器件特性响应率13～15 V/W,探测率(1.85～2.15)×107 cmHz1/2/W,时间常数20～25ms.     

锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究

设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术,包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺,针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响, 改进后的工艺在脱水处理后 采用高温烘干与吹扫相结合的方式对芯片进行干燥,并加入预处理工艺对脱水后钝化前的芯片进行表面处理,从而使锑化铟材料红外器件工艺适应各种环境湿度的工艺条件。     

长波HgCdTe光伏器件漏电机理分析

从器件制造工艺的角度，分析了长波ＨｇＣｄＴｅ光伏探测器的体内和表面漏电机理，认为深能级的辅助跃迁在体内漏电方面起主要作用。选择适当的离子注入剂量，可有效地降低体内深能级密度。表面漏电则与ＨｇＣｄＴｅ的表百状态有关，ＺｎＳ／ＨｇＣｄＴｅ之间的界面状态与ＨｇＣｄＴｅ表面的预处理方法有直接关系。控制ＺｕＳ／ＨｇＣｄＴｅ界面组成元素组分，便能控制表面状态，减小表面漏电。经采取相应工艺措施，ｎ＋ｐ结的特性明显提高，单片测量平均零偏阻抗Ｒ０～１０５Ω，平均器件优质Ｒ０Ａ～１Ωｃｍ２。     

聚酰亚胺表面钝化在大功率晶体管上的应用

前言半导体器件表面钝化技术如氮化硅、磷硅玻璃等无机物钝化层发展比较早,而聚酰亚胺表面钝化是近几年发展起来的一种新技术,它具有设备简单、工艺稳定、易于大批量制作等优点。在上海交通大学的帮助下,我们将聚酰亚胺表面钝化技术用在为电视机配套的行输出管DS_(33)上,在减小反向漏电流I_(cbe)、减少后工序杂质沾污及提高产品成     

一种简便有效的金属杂质吸除法

一、引言 在半导体器件和集成电路制造过程中,金属杂质的沾污是造成器件性能低劣,成品率低和可靠性差的重要原因之一。因此,消除金属杂质的危害是提高器件质量和成品率的重要措施。国内外在这方面已做了大量工作,研制出多种吸除金属杂质的工艺,获得了很好的效果。但是大部分都增加了工艺步骤,使器件工     

提高功率开关晶体管高温反偏能力的研究

影响大功率开关晶体管高温反偏能力的主要因素是表面沾污。从大功率开关晶体管表面沾污的主要来源、杂质类型上分析了半导体功率器件高温反偏的失效机理。为了改善高温反偏条件下功率晶体管的性能,结合实验室现有的条件,从SiO2的生长工艺和芯片表面钝化技术这两个方面出发,找到了有效的工艺路线。采用C2HCl3掺Cl氧化工艺和聚酰亚胺表面钝化工艺,有效地减轻和消除了芯片制造过程中的表面沾污,提高了产品的质量和在高温环境下的可靠性。     

关于改革硅平面晶体管常规工艺的研究

本文提出一种与常规硅平面工艺相容的工艺改革方案。本方案既使低温氧化得以实施,又不增长生产周期。研究表明,采用本方案可减少热氧化诱生缺陷、提高光刻质量以及减弱发射区陷落效应。此外,本方法还可减少二氧化硅层的杂质沾污和台阶效应,从而达到改善器件性能的目的。采用本方案,可望提高成品率、降低生产成本。     

采用表面稳定玻璃来提高半导体器件的成品率

美帝某公司用一种玻璃——IP650——代替氧化物淀积在器件表面上,不仅稳定了表面杂质离子,而且使器件密封起来,更便于进行塑料封装。此材料可以是粉末状,也可以是半溶状的。采用此技术直接将1～3微米厚的这种玻璃薄膜淀积到结上。器件仍为片状时,此     

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究

开展了In As/Ga Sb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的表面处理研究。通过对不同处理工艺形成台面器件的暗电流分析,发现N₂O等离子处理结合快速热退火(RTA)的优化工艺能够显著改善长波器件电学性能。对于50%截止波长12.3μm的长波器件,在液氮温度,-0.05 V偏置下,表面处理后暗电流密度从5.88×10^-1 A/cm²降低至4.09×10^-2 A/cm²,零偏下表面电阻率从17.7Ωcm提高至284.4Ωcm,有效降低侧壁漏电流。但是该表面处理后的器件在大反偏压下仍有较大的侧壁漏电,这可能是由于高浓度的表面电荷使得大反偏下侧壁存在较高的隧穿电流。通过栅控结构器件的变栅压实验,验证了长波器件存在纯并联电阻及表面隧穿两种主要漏电机制。最后,对表面处理前后的暗电流进行拟合,处理后器件表面电荷浓度为3.72×10¹¹ cm^-2。     

多晶硅吸除及其在LSI中的应用

一、引言 原始硅中的金属杂质,以及在器件工艺中由试剂、容器、炉管等所引入的杂质,它们在器件工艺的高温过程中极易发生聚集,尤其是在表面富集,它将使P-N结软化及器件失效。 为了减少硅中金属杂质的危害,提高器件制造成品率和可靠性,各种吸除技术被广泛采用:如背面打毛损伤用以消除外延灰雾,提高二极管反向特性合格率;背面扩浓磷、背面淀积多晶硅以减小动态RAM的LSI器件漏电流和增大电容存贮时间;背面离子注入损伤以及淀积氮化硅等等。     

碲镉汞表面钝化研究进展

碲镉汞(MCT)红外探测器近些年的发展非常迅速。随着相关技术的不断进步,对探测器的要求也越来越高。MCT探测器的表面对杂质、缺陷、损伤、温度等因素非常敏感,而器件的很多性能直接由其表面的性质决定,因此MCT材料表面的钝化被看成是红外探测器制备的关键工艺之一。为了提高器件表面的稳定性,最常用的方法就是对MCT材料表面进行钝化处理。主要介绍了几种常见的MCT材料表面钝化方法,然后结合国内外文献重点介绍了常见的介质膜钝化方法,并对以后的工作进行了展望。     

用钠离子选择电极法对半导体器件进行钠沾污分析实验小结

一、概述 钠广泛存在于自然界,不论在空气中、水中、人体汗液中都有较高的含量。由于钠的存在,给半导体器件的生产带来很大的危害。器件表面因受钠沾污而影响器件的稳定性,以致造成器件失效。因此,在器件生产的工艺流程中,严格控制钠的沾污已得到了普遍的重视,分析钠的沾污状态也被认为是一个重要的课题了。 目前钠沾污分析方法,从一些兄弟单位及有关资料介绍,大致分中子活化分析,非火焰原子吸收分光光度法,火焰分光光度法。由于受仪器的局限,这些方法虽然灵敏度较高,能满足对器件分析的要求。但并不普遍使用,更不可能放置在工序流程中进行分析使用。本试验是采用国产钠离子浓度计,在分析半导体用高纯度水的钠离子浓度基础上,分析半导体生产中一些工序上钠离子沾污情况和沾污的某些来源。 二、实验方法 1.方法原理 PNa电极与PH玻璃电极原理一样,同是一种离子选择电极,当与参比电极(甘汞     

夜视器件所用金属零件的处理和保存

金属零件的处理在夜视器件制造工艺中,对金属零件的处理方法,常用的有以下四种。 1.化学清洗法这种方法一般是:(a)用强酸(盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸等)和强碱(氢氧化钠、氢氧化钾等)来去除金属表面沾污的杂质及腐蚀其表面的氧化物,使酸或碱与金属表面氧化物起化学反应,生成新的化合物,脱离金属表面,从而达到去除金属表面氧化物的目的,使零件表面呈现本来的金属     

氧化前的原位HCl抛光在雪崩光电二极管(APD)制造中的应用

氧化时,在氧气中混入少量的HCl气体,能对有害杂质起萃取作用,能抑制硅热氧化堆垛层错的形成,减小漏电流,改善器件击穿特性。然而硅片的表面沾污和切割,研摩及抛光的机械损伤在高温氧化时要产生堆垛层错,从而增加了器件的漏电流和噪声。在APD器件制造工艺中,采用氧化前HCl原位抛光技术,去掉了切割、研摩的机械损伤层和表面污物,而后在同一炉中进行HCl氧化,从而获得高质量的氧化层,使器件的性能进一步改善,而且提高了器件的成品率。     

深亚微米ULSI工艺检测技术——扫描探针显微镜

扫描探针显微镜(SPM)是80年代发展起来的一种具有超高空间分辨率的显微技术。扫描探针显微镜功能强大,在表面科学、生命科学、微电子工业等许多领域得到广泛的运用。随着集成电路的线宽进入深亚微米阶段,扫描探针显微镜在ULSI工艺表征中显得日益重要。本文将介绍扫描探针显微镜及其在微电子工艺和器件微分析中的应用。     

基于标准CMOS工艺的pH值传感器

基于传统离子敏感器件的敏感模型,建立了与CMOS工艺兼容的以钝化层氮化硅作为敏感膜的MFGFET(multi-floating gate FET)多层浮栅晶体管结构阈值电压模型.采用上华0.6μm CMOS标准工艺,设计了一种与CMOS工艺兼容的pH值传感器.片上控制电路使MFGFET器件源漏电压和源漏电流恒定,器件工作在一个稳定的状态.采用离子敏MFGFET和参考MFGFET差分拓扑结构,减少了测量电路的固定模式噪声.器件溶液实测pH值在1～13范围内,器件的平均灵敏度为35.8mV/pH.