一种双采样保持器6位20 MSPS A/D转换器

提出了一种双采样保持器的6 位20 MSPS A/D转换器.电路采用两个彼此串联的采样保持器和一个3 位并行式A/D转换器.伴随着20 MHz双相差分时钟,3位并行式A/D转换器在时钟前半周期转换出高3位数字,并产生3阶模拟余量;在时钟后半周期,再利用该余量转换出低3位数字.既充分利用时钟时间,又充分提高了器件的利用率,大大降低了器件成本.通过实验仿真,进行了相关测试分析,给出了动态测试结果.     

一款带8选1MUX的14位2.5GS/s D/A转换器

本文介绍了一款带8选1MUX的14位2.5GS/s D/A转换器。该转换器采用了“5+9”分段PMOS电流舵结构,偏置电路保证PMOS电流源阵列能够在PVT（温度、电源电压、工艺角）变化的条件下获得较大的输出阻抗。高速8to1 mux电路采用了3级结构,采用恰当的数据选择时序,提高了数据合成的可靠性。D/A转换器输入数据的高5位译码器中加入了DEM功能改善了D/A转换器模拟输出的动态性能。本文所述的带8选1MUX功能的14位2.5GS/s D/A转换器内嵌在一款高性能DDS电路中,流片的实测结果显示在时钟2.5GHz下, MUX和D/A转换器工作正常,输出信号在1GHz带宽范围内,SFDR> 40dB。与目前国际上已发表的非模拟重采样结构的D/A转换器（即没有采用“归零”或“四开关”这些模拟重采样结构）相比,本文介绍的D/A转换器具有较高的时钟频率（2.5GHz）和较好的高频SFDR性能(>40dB, up to 1GHz)。     

高速D/A 转换器的WCDMA ACLR测试技术研究

D/A转换器是数字通信系统中的关键器件,其性能直接决定了发射通道的指标参数。随着D/A转换器转换速率的不断提高以及功能的不断增强,传统的混频器、调制器以及放大器等RF后端电路已逐渐被GS/s级超高速RF D/A转换器所取代。由于上述RF器件3阶交调失真(IM3)引起的相邻信道泄露逐渐开始转移至高速D/A转换器上,ACLR成为通信系统的关键技术指标。分析了D/A转换器WCDMA ACLR测试激励信号的关键技术,提出了D/A转换器WCDMA ACLR测试激励信号的产生算法,并采用MATLAB对整个流程进行了仿真。仿真及实测结果表明,该方法是有效和可行的。     

10位逐次逼近型A/D转换器的芯片设计

介绍了一种10位、3M sample/s逐次逼近型A/D转换器的设计,描述了具有可变时钟电路结构的有效工作方式.该模数转换器在0.6 μ m双多晶硅、双金属层CMOS工艺上实现,芯片总面积为3.2mm2.转换器采用单5V电源供电,功耗仅为3 5mW.     

跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件

报道了使用国产GaN外延材料（蓝宝石衬底）的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能. 器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm. 器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为325mS/mm,由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz.     

跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件

报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为325mS/mm,由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz.     

一种1MS/sCMOS/SIMOX8位A/D转换器

采用CMOS/SIMOX工艺制作1Msam ple/s 8 位A/D转换器。该A/D转换器采用半闪烁型结构,由两个4 位全并行A/D转换器实现8 位转换。电路共有31个比较器,采用斩波稳零型结构,具有结构简单和失调补偿功能。电路由2100 个器件组成,芯片面积为3.53 m m ×3.07 m m     

6位A/D转换器流水线电路结构的改进设计

文章介绍了流水线电压型结构A/D转换器的一种改进设计。该6位A/D转换器采用6个相同的处理单元级联,每个处理单元(内部倍乘作差单元统一设计)对所输入的模拟信号进行量化,输出一位数字信号,并把经该级处理后剩下的量化噪声信号传入下一处理单元,如此下去,直至最后一个处理单元。电路采用0.6μm双阱、双多晶硅、双金属线的标准CMOS工艺实现,芯片面积为2.05 mm×1.95 mm=3.9975 mm2,共有28个I/O管脚。     

单片机应用中A/D转换器件的选择

在单片机开发中 ,涉及到很多将模拟量转化为数字量的情况 ,因此使用A/D转换器件的场合很多。A/D转换器件的选择可能影响到A/D转换的精度 ,这在高速A/D转换电路设计中尤其明显。1　A/D转换器件的类型目前广泛使用的A/D转换器件种类繁多 ,特别近几年来随着半导体技术的不断发展 ,各种性能优越的A/D转换器件层出不穷。按照A/D转换器件的位数分 ,A/D转换器件可有 8位、12位、16位等 ,其位数越多 ,精度越高。按照A/D转换器件的转化速率分可有高速转换器和低速转换器。按照数值转化方式分可有积分型和比较型 ,前者主要用于低速场合 ,后者…     

集成电路

THS0842 A/D转换器有同步采样的双输入和带一个A/D转换器核的单或双8位总线,这个A/D转换器核在两倍的采样率下工作,对两个输入进行内部多路复用,与使用两个A/D转换器的器件相比减少了失配。这个8位、40M采样/秒转换器使设计者能够在包括同步同相和正交基带采样的系统中精确地匹配来自两个通道的转换。     

基于DSP的高精度A/D转换器转换特性参数静态测试系统的设计

A/D转换器是许多电子系统中的一个重要器件,其性能好坏直接影响到整个电子系统的性能指标。本文介绍了一种基于DSP和高精度D/A转换器的自动测试系统,可对16位及16位以下的高精度A/D转换器的转换特性参数进行测试。该系统硬件连接简单,软件操作方便,便于携带。     

A 16 bit Stereo Audio ΣΔ A/D Converter

提出了一种16位立体声音频新型稳定的5阶∑△A/D转换器.该转换器由开关电容∑△调制器、抽取滤波器和带隙基准电路构成.提出了一种新的稳定高阶调制器的方法和一种新的梳状滤波器.采用0.5μm 5V CMOS工艺实现∑△A/D转换器.∑△A/D转换器可以得到96dB的峰值SNR,动态范围为96dB.整个芯片面积只有4.1mm×2.4mm,功耗为90mW.     

高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究

报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaNHFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0.8μm,源漏间距为3μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7A/mm,最大跨导为242.4mS/mm,截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45GHz和100GHz。同时器件的脉冲测试结果显示,SiN钝化对大栅宽器件的电流崩塌效应不能彻底消除。     

一种16位音频∑△ A/D转换器

提出了一种16位立体声音频新型稳定的5阶∑△A/D转换器.该转换器由开关电容∑△调制器、抽取滤波器和带隙基准电路构成.提出了一种新的稳定高阶调制器的方法和一种新的梳状滤波器.采用0.5μm 5V CMOS工艺实现∑△A/D转换器.∑△A/D转换器可以得到96dB的峰值SNR,动态范围为96dB.整个芯片面积只有4.1mm×2.4mm,功耗为90mW.     

1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件

基于自对准栅电极制备技术,研制了具有低导通电阻和高电流密度的氢终端金刚石微波功率器件。采用高功函数金属Au与氢终端金刚石实现了良好的欧姆接触,接触电阻为0.73Ω·mm。得益于较低的源漏串联电阻和低损伤Al2O3栅介质原子层沉积工艺,金刚石微波器件的导通电阻低至4Ω·mm,饱和电流密度达1.01 A/mm,最大跨导为213 mS/mm,最大振荡频率达58 GHz。研究了该器件在2 GHz和10 GHz频率下连续波功率输出特性,发现在15 V低工作电压下即可分别实现1.56 W/mm和1.12 W/mm的输出功率密度,展现出自对准技术在研制高电流和高输出功率金刚石微波器件上的潜力。     

宽电压A/D、D/A转换器用BiCMOS工艺技术研究

研究和开发了一种用于宽电压A/D、D/A转换器的BiCMOS工艺。利用相关晶体管原理和公式,计算出工艺参数,再用TSUPREM4和MEDICI软件,进行工艺和器件仿真,得出精确的工艺参数。流片后对所有器件进行了测试,结果表明,开发的工艺完全符合设计要求。用此工艺制造的A/D、D/A转换器产品,其性能符合设计指标。     

Σ-Δ A/D转换器在软件无线电移动终端中的应用

A/D转换器是基于软件无线电的多模移动终端中的关键器件.文章简要描述了移动通信信号特征,对闪烁型A/D转换器(Flash ADC)和Σ-Δ A/D转换器的性能进行了详细分析与比较,指出Σ-Δ A/D转换器可以更好地满足多模移动终端中对大动态范围A/D转换的要求.     

最大振荡频率为200 GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT

本文报道了fmax为200GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）。外延材料结构采用了InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用了凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaN HEMT。器件饱和电流达到1.1A/mm,跨导为421mS/mm,截止频率（fT）为30GHz,最大振荡频率（fmax）为105GHz。采用了湿法腐蚀工艺将器件的Si3N4钝化层去除后,器件的Cgs和Cgd减小,器件截止频率提高到50GHz,最大振荡频率提高到200GHz。     

D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文）

利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,芯片面积2.6mm×1.2mm.基于器件B设计的两级放大器B在片测试结果表明:最大小信号增益为15.8dB@139GHz,3dB带宽12GHz,在130～150GHz频带范围内增益大于10dB,芯片面积1.7mm×0.8mm,带内最小噪声为4.4dB、相关增益15dB@141GHz,平均噪声系数约为5.2dB.放大器B具有高的单级增益、相对高的增益面积比以及较好的噪声系数.该放大器芯片的设计实现对于构建D波段接收前端具有借鉴意义.     

低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制

提出了一种适用于低电压工作的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件,开展了材料外延结构的设计,在SiC衬底上生长了AlN/GaN外延材料。基于此材料开展了器件制作,优化了高温快速退火工艺,获得良好的欧姆接触电阻。对所制备的器件进行直流测试,结果显示,电流输出能力为2.4 A/mm,跨导极值为518 mS/mm,小信号ft达到85 GHz,fmax大于141 GHz。在5G毫米波段28 GHz频率点测试了大信号特性,当VDS =3 V时,输出功率密度为0.55 W/mm,功率附加效率(PAE)为40.1%；当VDS = 6 V时,输出功率密度为1.6 W/mm,PAE达到47.8%。该器件具有低压毫米波应用的潜力。