抗 SMV 栽培大豆种质资源的 SCAR 标记指纹图谱分析

依据与ＳＭＶ（ＳｏｙｂｅａｎＭｏｓａｉｃＶｉｒｕｓ）抗性基因紧密连锁的共显性ＳＣＡＲ标记ＳＣＷ—０５６６０的序列测定结果，合成了两对ＳＣＡＲ（ＳｅｑｕｅｎｃｅＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄＡｍｐｌｉｆｉｅｄＲｅ－ｇｉｏｎｓ）标记特异引物，对３０个栽培大豆品种进行了指纹图谱分析。结果表明，较短的片段Ｓ—５６００和Ｓ—０５６６０是抗病品种的特征性条带；而较长的片段Ｓ—５１０００和Ｓ—５１６００是感病品种的特征性条带。Ｓｏｕｔｈｅｒｎ杂交结果表明，这两对引物扩增出的条带具有同源性。     

运用一步化体外转录—翻译系统筛查基因突变的新技术

报道了一种筛查基因突变的新技术－ＰＣＲ结合一步化体外转转录－翻译系统。该技术包括：（１）ＰＣＲ扩增靶ＤＮＡ片段，并使ＤＮＡ产物的一端或两端带上Ｔ７Ｔ１序列；（Ｔ１：翻译起始信号，ＣＣＡ ＣＣＡ ＴＧ）；（２）以核的为模板，利用一步化体外转录－翻译系统合成相应肽链；（３）用ＳＤＳ－ＰＡＧＥ及高分辨ｐＨ梯度ＰＡＧＥ（聚丙烯酰胺凝胶电泳）分离分析多肽产物，通过异常电泳图谱而发现基因突变，本文以已知突变的     

单晶高温合金CMSX－10与CMSX－4的性能比较

单晶高温合金ＣＭＳＸ－１０与ＣＭＳＸ－４的性能比较美国第三代单晶高温合金ＣＭＳＸ－１０的拉伸性能与第二代单晶高温合金ＣＭＳＸ－４相当。ＣＭＳＸ－１０合金的蠕变性能，特别是高温蠕变性能比ＣＭＳＸ－４高出３０℃。直到１１６３℃，ＣＭＳＸ－１０仍比ＣＭ－Ｓ...     

复合型Si光电发射材料

采用碱锑化合物的镀制与铯氧激活可制备复合型Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ＿２Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ＿３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｃｓ＿３Ｓｂ－·Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ＿２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，其最高灵敏度分别可达９５０，１０５０，１５０和２０００μＡ／１ｍ，其最低逸出功分别已达１．０，０．９，０．８５和０．９ｅＶ。比较了复合型Ｓｉ光电发射材料与Ｓｉ和Ｎａ＿２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的一些性能参数，提出了复合型Ｓｉ光电材料的表面原子模型；讨论了复合型Ｓ光电材料的光电发射过程并分析了碱锑过渡层的作用。     

一个具有启动子功能的酵母DNA自主复制起始区

对乳酸克鲁维酵母（Ｋｌｕｙｖｅｒｏｍｙｃｅｓ ｌａｃｔｉｓ）天然线性双链ＤＮＡ质粒ｐＧＫＬ１中一个有自主复制起始功能的６３８ｂｐ片进行了研究。序列分析结果显示该片段中存在两个高度保守的酵母ＡＣＳ（ＡＲＳｃｏｎｓｅｎｓｕｓ ｓｅｑｕｅｎｃｅ）序和多个ＡＲＳ－ｂｏｘ序列。缺失突变分析表明该片段的自主复制功能与其ＡＣＳ密切相关。并且证实它的两个ＡＣＳ都有功能，可以各自独立发挥作用。据此提出１０ｂｐ序列（     

CA—CA2—C2AS—MgO系统中C2AS转为为Q相的研究

本文研究了１３００℃下ＣＡ－ＣＡ２－Ｃ２ＡＳ－ＭｇＯ系统中Ｃ２ＡＳ转化为Ｑ相的条件，结果表明，在ＣＡ－ＣＡ２－Ｃ２ＡＳ－ＭｇＯ系统中的Ｃ２ＡＳ只有补钙的条件下才能转化为Ｑ相，转化后的矿物组成为ＣＡ－Ｃ１２Ａ７－Ｑ－ＭｇＯ。     

配对材料对Al—10SiCp复合材料滑动磨擦性能的影响

通过对Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ－４０Ｃｒ、Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ－Ｈ６２、Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ－Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ三对摩擦副的研究，发现配对材料对复合材料的抗磨损性能影响很大。结果表明，在试验条件下４０Ｃｒ钢适合与该铝基复合材料配对使用，而黄铜和该材料配对使用，则会大大降低复合材料耐磨损性能。另外，在较低载荷条件下，Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ自配对磨损率很低，亦能自配对使用。     

BP－SiC晶须的特性及显微结构研究

本文对稻壳合成的ＳｉＣ晶须（简称ＳｉＣｗ）中试产品进行了分析，结果表明：三种ＢＰ－ＳｉＣｗ的形貌及结构各具特点，ＢＰ－１ＳｉＣｗ表面粗糙，呈多节状；ＢＰ－３ＳｉＣｗ表面光滑平整，为完整β－Ｓｉｃ单晶；ＢＰ－ＳｉＣｗ介于两者之间，并含有一定量的弯晶。ＢＰ－ＳｉＣｗ的质量达到了美国、日本同类产品的水平。     

配对材料对Al-10Si/SiC_p复合材料滑动磨擦性能的影响

通过对Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ－４０Ｃｒ、Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ－Ｈ６２、Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ—Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ三对摩擦副的研究，发现配对材料对复合材料的抗磨损性能影响很大。结果表明，在试验条件下４０Ｃｒ钢适合与该铝基复合材料配对使用，而黄铜和该材料配对使用，则会大大降低复合材料耐磨损性能。另外，在较低载荷条件下，Ａｌ－１０Ｓｉ／ＳｉＣｐ自配对磨损率很低，亦能自配对使用。     

含硼Si—N—C纤维的高温结构组成研究

研究了含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维的组成、结构及其在高温环境下的变化。ＩＲ、ＸＰＳ、ＥＡ、ＳＲＤ、ＳＥＭ等分析结果表明，１２５０℃烧成的含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维由Ｓｉ、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｂ几种元素组成，呈无定形结构；经１８００℃高温处理后纤维的主要结构变为α－ＳｉＣ。在高温环境下，Ｂ始终以Ｂ－Ｎ键形式稳定存在，与Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维比较，含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维表面光滑，晶粒尺寸小，表明硼的引入可以有效改善纤维高温下的微观     

Co－Sm－Cu合金系中包共析转变Sm_2（Co、Cu）_（17）＋Sm（Co、Cu）_5﹦α－Co（Cu、Sm）＋Sm_2（Co、Cu）_7预测

本文以三元系相平衡规律为理论依据．结合文献资料中有关Ｃｏ－Ｓｍ－Ｃｕ系，Ｃｏ—Ｃｕ系和Ｃｏ－Ｓｍ系相图的实验数据，预测在Ｃｏ－Ｓｍ－Ｃｕ系方Ｃｏ区，约低于温度６００℃处．存在一个三元四相包共析转变：Ｓｍ_２（Ｃｏ、Ｃｕ）_１７十Ｓｍ（Ｃｏ、Ｃｕ）５　α—Ｃｏ（Ｃｕ、Ｓｍ）＋Ｓｍ２（Ｃｏ、Ｃｕ）７这个转变可能会导致相应的钴钐永磁材料的硬田性降低．     

PS—SbCl3／AlCl3引发α—蒎烯阳离子聚合反应

用聚苯乙烯负载ＳｂＣｌ３得到大分子催化剂ＰＳ－ＳｂＣｌ３，研究了ＰＳ－ＳｂＣｌ３／ＡｌＣｌ３复合体系对α－蒎烯阳离子聚合的催化性能。结果表明，与直接用ＳｂＣｌ３与ＡｌＣｌ３复合相比，ＰＳ－ＳｂＣｌ３／ＡｌＣｌ３体系催化α－蒎烯配合，在保持较高单体转化率的同时，使聚合反应变缓，避免了由于反应过快而引起的聚合产物中二聚体含量上升，Ｍｎ下降的现象。     

TiO2对ZrO2—NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用。金相观察表明，ＴｉＯ２的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善。ＸＲＤ和Ｅ     

TiO_2对ZrO_2－NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮＩＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用．金相观察表明，ＴｉＯ３的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善．ＸＲＤ和ＥＰＭＡ分析结果显示，ＴｉＯ２偏聚在ＮｉＣｒ金属相中，不影响ＣａＳＺ的稳定性．     

一步法电沉积CuInSe2半导体膜

在以ＩｎＣｌ３、ＣｕＣｌ、ＳｅＯ２为主盐，酒石酸为络合剂，聚乙二醇和硫脲为添加剂的电镀液中，在Ｍｏ片或Ｔｉ片上进行阴极电沉积，可获得ＣｕＩｎＳｅ２半导体膜，它与ＣｄＳ组成的ｎ－ＣｄＳ／ｐ－ＣｕＩｎＳｅ２光电池光电效率可达７－８％，部分达１１％。     

M（C3S5）2型分子导体的制备及其电磁和电荷转移性质

制备了晶态分子导体Ｎｉ（Ｃ３Ｓ３）２，Ｐｄ（Ｃ３Ｓ３）２，Ｐｔ（Ｃ３Ｓ３）２和无定形分子导体Ｃｕ（Ｃ３Ｓ３）２，测定它们的电阻－温度曲线，磁化率－温度曲线，结合ＥＨＭＯ理论计算与波谱分析，得出导电组元的分子轨道形式，计算了Ｎｉ（Ｃ３Ｓ５）２晶体的能带，在此基础上阐明了Ｎｉ（Ｃ３Ｓ５）２的导电机组理和半导体→导体相变的机理，讨论了Ｍ（Ｃ３Ｓ３）２＾２－与（Ｍ（Ｃ３Ｓ３）２＾－，（Ｍ（Ｃ３Ｓ２）２）＾     

CA-CA_2-C_2AS-MgO系统中C_2AS转变为Q相的研究

本文研究了１３００℃下ＣＡ－ＣＡ２－Ｃ２ＡＳ－ＭｇＯ系统中Ｃ２ＡＳ转化为Ｑ相的条件。结果表明：在ＣＡ－ＣＡ２－Ｃ２ＡＳ－ＭｇＯ系统中的Ｃ２ＡＳ只有补钙的条件下才能转化为Ｑ相，转化后的矿物组成为ＣＡ－Ｃ１２Ａ７－Ｑ－ＭｇＯ。     

PVA—CS共混体系相容性的研究

利用ＤＳＣ等方法，研究了ＰＶＡ－ＣＳ二元共混体系的相容性。结果表明，ＰＶＡ与ＣＳ之间存在一定的相互作用为部分相容体系，以Ｆｌｏｒｙ－Ｈｕｇｇｉｎｓ的高分子溶液理论为基础，通过Ｗｏｏｄ或Ｆｏｘ方程，计算出不同共混出ＰＶＡ－ＣＳ共混体系两相中二组分的表面质量分率，进而计算出体系的聚合物－聚合物Ｆｌｏｙ－Ｈｕｇｇｉｎｓ相互作用参数，ｘ１２或ｇ１２，对ＰＶＡ－ＣＳ共混体系的相容性进行了验证。     

浇带法制备具有密度梯度的SiC陶瓷骨架

通过对ＳｉＣ料浆稳定性和流变特性的控制条件，ＳｉＣ薄带的制备工艺，ＳｉＣ薄带烧结密度的影响因素等研究，采用配制ＳｉＣ料浆－浇带－剪切压制－无压力烧结工艺，制备出为理论密度５０－８５％的具有密度梯度的ＳｉＣ陶瓷骨架，进而制备其组分，结构和性能沿厚度方向呈阶梯变化的功能梯度材料的工艺路线成为可行。     

非晶态Ni-P-SiC涂层的沉积机理与特性研究

研究了非晶态Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＣ涂层的沉积机理与特性。ＳｉＣ在机械搅拌力的作用下，随着Ｎｉ－Ｐ的沉积而机械复合，且保持Ｎｉ－Ｐ的结构。ＳｉＣ的加入，显著改变了Ｎｉ－Ｐ的沉积特性，与Ｎｉ－Ｐ涂层相比，非晶态Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＣ涂层具有更高的硬度和耐磨性，孔隙率和抗蚀性变化不大。