特种固体摄象器件

本文介绍最近开发的几种特殊的固体摄象器件:伸缩式摄象器件、多功能摄象器件、高灵敏度摄象器件、PAN 摄象器件、摆动工作模式摄象器件。     

国外几种半导体新器件的发展概况

本文对一些半导体新器件,如HEMT、HBT、超晶格器件、约瑟夫逊器件、三维器件等,的工作原理,器件结构,工艺技术,器件水平和应用前景进行了评述。     

基于SON的MOSFET器件及其工艺方法研究

超薄体SOI器件能够有效抑制短沟道效应,业界认为在纳米器件时代它有可能取代传统体硅器件。但SOI器件的全局化埋氧层特性会使其产生自加热效应,严重时会导致器件开态电流下降、漏电流增加,从而导致器件可靠性降低。具有局部空洞层或介质层的SON器件及其制备方法已成为纳米器件时代的一个研究热点。阐述了SON器件的基本概念,比较了SON器件和传统体硅器件的电学特性。对SON器件的工艺制备方法进行了全面描述,包括早期的SON器件制备方法、基于MSTS的SON制备方法、气体注入SON制备方法,以及完全自对准SON器件制备方法。详细描述了准自对准气体注入SON器件和完全自对准SON器件制备方法的工艺流程。     

日本显示器件的研究动态

本文介绍日本显示器件的最近发展趋势。日本致力于下列器件的研究与开发,并取得了积极进展。它们是阴极射线管、真空荧光显示器件、等离子体显示板、液晶器件、发光二极管、电致发光板、电泳器件和电致变色器件。这些器件在汽车仪表显示、微型计算机、电视图象显示等方面都可以得到应用。     

声表面波后工序环节对器件可靠性影响的研究

报道了声表面波（SAW）后工艺环节对基片粘接剂的固化程度、不同制作条件、不同封帽环境制作的滤波器，通过在高温、负温以及高温加速老化后的器件性能变化，来研究SAW器件的可靠性。结果表明：器件的插入损耗随老化时间逐渐增加；器件插入损耗的稳定性明显依赖于封装的湿度和器件表面的状态；器件的气密性随老化时间，器件的老化会更明显。结论是：器件必须要在清洁（净化）的环境中制作，清洁的器件表面第一重要；干燥的封装是器件性能稳定的重要条件；器件、组件老化到一定程度后，将不会有较大的性能变坏现象出现。这些研究成果，对防止或控制高性能器件失效、提高SAW器件可靠性将具有指导意义。     

GaN基HEMT器件特性建模及表征方法研究

目前,GaN基HEMT器件以其优越的性能而受到广泛的关注.在器件结构的设计中,器件的尺寸、材料的物理参数都严重影响GaN基HEMT器件的优越性能.基于器件仿真软件ISE-TCAD,本文研究了器件各部分的尺寸、各种材料的物理参数对器件沟道中二维电子气(2DEG)密度、器件直流特性等参数的影响.结果表明器件沟道中的二维电子...     

表面贴装型微波器件

介绍了表面贴装型微波器件的最新进展状况,如陶瓷/铁氧体叠层共烧元件、微波陶瓷介质谐振器器件、SAW和FBAR器件、薄膜器件、RF宽带器件以及无源/有源集成功能模块等。     

后CMOS器件的候选者

介绍了几种后CMOS器件可能的候选器件:谐振隧道器件、单电子晶体管、碳纳米管晶体管、分子器件和自旋晶体管。     

微电子器件的抗辐射加固和高可靠技术

介绍了微电子器件的辐射效应和器件制作材料、电路设计、器件结构、制作工艺、元件之间的隔离、预辐射等加固技术，及微电子器件加固水平；并扼要介绍了微电子器件的耐高温和耐冲击与振动等高可靠技术。     

《电声器件材料及物性基础》正式出版发行

正由吴宗汉、何鸿钧、徐世和编著的《电声器件材料及物性基础》近日由国防工业出版社正式出版发行。本书以电声器件材料及其物性为主要内容,系统阐述了电声、声电转换的基础知识,电声器件中的功能材料,电声器件中的结构材料,电声器件中的辅助材料,电声器件材料研究及性能标准介绍等内容。目前,国内有关电声器件材料的专著很少,而介绍电声器件材料及     

有线电视系统中无源器件的选型与故障分析

有线电视系统中无源器件的选型与故障分析广西河池广播电视局唐斌在有线电视系统中，使用的器件主要分为有源器件和无源器件两大类。有源器件包括放大器、调制器、电源配电等。无源器件包括分支器、分配器、系统输出口、滤波、均衡、衰减、各种接插件等。在设计安装有线电...     

电子器件的新领域——电子束轰击半导体(EBS)器件

电子束轰击半导体器件,近年来有较大突破,出现了一批能与现有电真空器件、半导体器件相竞争的新型器件,从首批产品所显示的独特功能来看,以固体物理半导体技术和电真空技术为基础的结合型器件,有可能形成一种新的电子器件类别.本文评述EBS器件的基本原理,以及基于这种原理而发展的三类器件:功率器件、复杂功能器件和激光器件的研究动向、性能特点和应用领域.     

新型平板辉光显示器件

新型平板辉光显示器件李维諟，周云仙辉光显示器件是一种发展较早的显示器件，但是几十年来，特别是近２０年来，新一代显示器件的出现，该器件已处于被淘汰的边缘。在长期生产实践和对各种显示器件的了解、与用户的交流中感到：辉光显示器件的亮度高、生产成本低、高电压...     

纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。     

GaN HEMT器件稳态热特性试验研究

大功率GaN HEMT器件在工作时较高的热流密度引发器件高温,而高温会显著影响器件性能及可靠性。从不同器件结构设计出发,结合器件热量传递理论,建立了器件热阻模型;采用高速红外热像仪试验分析了器件结构对GaN HEMT器件稳态热特性的影响,定量给出了不同总栅宽、不同单指栅宽、不同栅间距在不同功率密度下的稳态温升。相关结果可用于研发阶段器件结温的快速评估。     

提高GaN功率器件开关频率的技术途径

GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件.介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响.针对影响GaN基功率器件开关特性的主要因素,重点分析了提高增强型GaN基功率器件开关频率的主要技术途径.减小器件的接触电阻、沟道方块电阻可以降低器件电阻对频率的影响.小栅长器件中栅电容较低,电子的沟道渡越时间较短,也可以提高器件的频率特性.此外,由于GaN基的功率器件频率高,设计应用在GaN器件上的栅驱动电路显得尤为重要.     

显示器件现状

显示器件是一类将电信号变成图象或字码的电子器件。由于这类器件可以直观而迅速地显示出图象或字码,在国民经济各部门、科学研究和国防面都有极重要的用途。可以予言,随着计算机的普及和自动化程度的提高,显示器件将会起着更加重要的作用。习惯上,将显示器件分成电子束显示器件、平板显示器件、数字显示器件以及大屏幕显示器件。本文就这些器件的发展现状及趋势作一简要介绍。     

碲镉汞线列光导器件的失效模式及原因分析

针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结,并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺寸、器件物理、器件制备工艺和器件测试等几个方面因素对器件失效的可能原因进行了分析,首次提出碲镉汞线列光导器件的优值因子作为失效判据,为进一步理解碲镉汞线列光导器件的物理机理以及更好优化器件的筛选过程提供了参考,为碲镉汞线列光导器件应用中出现的失效问题提供了分析和解决的方向。     

量子级联激光器热仿真与分析

针对大功率量子级联激光器对高散热能力的迫切需求,文章通过有限元法建立了常见器件结构的二维散热模型。在设置的热沉温度为293 K、波长为8.3μm、波导宽为8μm、发热功率为12.4 W的器件模型中,研究了不同器件散热结构和封装结构对量子级联激光器的温度及热通量分布的影响,进而评价器件的散热能力。结果表明,正焊无电镀金双沟道脊器件、正焊有电镀金双沟道脊器件和倒焊器件的最高温度分别为546,409和362 K。在掩埋异质结器件中,正焊无电镀金器件、正焊有电镀金器件、倒焊器件的最高温度分别为404,401和361 K。与使用铜底座相比,使用金刚石底座的掩埋异质结倒焊器件有源区的最高温度为355 K。对模型热通量分布进行了分析,发现掩埋异质结器件的热量分布更加均匀,有源区温度更低,这表明掩埋异质结更适合高功率器件。     

新型低压高效叠层有机白光器件

以Bphen:Li/WO3作为电荷产生层制备了低压、高效有机叠层白光器件.实验中,首先在器件中引入高导电性的载流子注入和传输层,有效降低了器件的驱动电压,然后通过电荷产生层垂直堆叠两个低压白光器件,获得了低压、高效有机叠层白光器件.叠层器件性能与单发光单元的器件相比较.其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了17cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2.3倍.同时由于在叠层结构中引入了高导电性的载流子传输层,有效降低了器件的驱动电压,显著改善了白光器件的流明效率.叠层器件的流明效率相对于单发光单元器件提高了53%.